半桥电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：3203ESA 编号：C782183

封装：SOP-8

品牌：VP(中芯集成)

3203 是一款半桥驱动芯片，用来驱动高压、高速功率MOSFET 和IGBT。芯片含有独立的高压侧和低压侧两个输出通道。高压侧输出与逻辑输入HIN 同相，低压侧输出与逻辑输入!LIN 反相，其逻辑输入电平可低至3.3V。

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￥1.4437
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型号：3201ESA/T 编号：C2684797

封装：SOP-8

品牌：VP(中芯集成)

3201/3202 是一款高压、高速MOSFET 和IGBT 驱动芯片，具有独立的高压侧和低压侧输出通道。专有的高压栅工艺和抗闩锁CMOS技术使集成电路具有很高的可靠性。逻辑输入与标准的CMOS 输出或者LSTTL 输出兼容，最低可至 3.3V。

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￥1.901
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型号：3520DESA/T 编号：C336588

封装：SOIC-8

品牌：VP(中芯集成)

相同型号IMP3520DESA/T 3520D集成600V半桥驱动的自适应镇流器控制芯片，是一款应用于紧凑型荧光灯的芯片。此芯片包含自适应零电压开关，峰值因子过流保护功能，同时还集成了自举二极管。该芯片最核心的部分是一个最小频率外部可调的压控振荡器。

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型号：3253EPA 编号：C336589

封装：DIP-8

品牌：VP(中芯集成)

相同型号IMP3253EPA/T 3253 是一款高压、高速功率MOSFET 和IGBT 栅极驱动器，内部集成了高压半桥驱动电路和一个前置振荡器，行程一款多功能、更加安全的功率驱动芯片。管脚CT 具有保护关断功能，可以用一个低电压信号使驱动器停止输出。此外，输出脉冲的宽度保持一致，一旦VCC 上电流超过开启阈值，驱动器就能以更加稳定的频率振荡。

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型号：NCP1392DDR2G 编号：C904448

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1392B 是一款自振荡高电压 MOSFET 驱动器，主要用于使用半桥拓扑结构的应用。由于其专属高电压技术，该驱动器接受最高 600 V 的大电压。使用一个电阻器，可将该驱动器的运行频率从 25 kHz 调节至 480 kHz。可调节欠电压保护可确保正确的大电压运行范围。内部 100 ms PFC 延迟计时器可保证主要的下游转换器在大电压完全稳定时打开。该器件提供固定死区时间，有助于降低击穿电流。

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￥3.3732 / 个

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型号：LM5113TME/NOPB 编号：C181340

封装：DSBGA-12

品牌：TI(德州仪器)

LM5113 适用于 GaN FET 的 1.2A/5A、90V 半桥栅极驱动器

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￥20.405642 / 个

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型号：DRV3946QPWPRQ1 编号：C29976057

封装：HTSSOP-28-EP

品牌：TI(德州仪器)

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￥46.515029 / 个

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型号：DGD0506AM10-13 编号：C460681

封装：MSOP-10

品牌：DIODES(美台)

DGD0506A是一款高频半桥栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD0506A的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接

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￥1.675114 / 个

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型号：FD2109S 编号：C42411224

封装：SOIC-8

品牌：Fortior Tech(峰岹)

一款半桥栅极驱动电路芯片，设计用于高压、高速驱动N型功率MOSFET。内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电源电压下工作而对功率管产生损坏。内置直通防止保护和死区时间，防止功率管发生直通，有效防止半桥功率器件损坏。

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型号：LM5109ASDX/NOPB 编号：C2677118

封装：WSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5109A 具有 8V UVLO 的 1A、100V 半桥栅极驱动器

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￥1.856
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型号：MD1211LG-G 编号：C623931

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Supertex MD1211 是一款高速双 MOSFET 驱动器。它专为驱动高压 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 晶体管而设计，适用于医疗超声和其他需要高输出电流来驱动容性负载的应用。MD1211 的高速输入级可在 1.8 至5.0V 的逻辑接口电压下工作，最佳工作输入信号范围为1.8 至 3.3V。电平转换器采用专有电路，可提供直流耦合和高速运行。

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型号：L6387ED 编号：C155554

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

L6387E是一款简单紧凑的高压栅极驱动器，能够驱动由功率MOSFET或IGBT器件构成的半桥电路。高端（浮动）部分可在高达600 V的电压轨下工作。两个器件输出端分别可独立吸入650 mA电流和提供400 mA电流，由于集成了互锁功能，两个输出端无法同时置为高电平

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￥10.355314 / 个

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型号：6EDL7141XUMA1 编号：C3655737

封装：VQFN-48

品牌：Infineon(英飞凌)

MOTIX 6EDL7141 是一款用于三相无刷直流（BLDC）或永磁同步电机（PMSM）驱动应用的栅极驱动 IC。它提供三个半桥驱动器，每个驱动器都能够驱动一个高端和一个低端 N 型 MOSFET。该栅极驱动器还具备可编程死区时间延迟功能，用于在正常运行时防止高端（HS）和低端（LS）开关之间出现电流直通现象。用于低端和高端栅极驱动器的独立电荷泵支持 100%占空比和低电压供电运行。栅极驱动器的供电电压可在以下电平中进行编程选择：7V、10V、12V 或 15V。此外，驱动信号的压摆率可以进行精细编程，以降低电磁干扰（EMI）辐射。一个集成的同步降压转换器为系统的其余部分提供高效的电流供应。然而，电动工具系统需要高精度的电流测量，这涉及到非常精确的 ADC 参考电压。为此，6EDL7141 使用一个由降压转换器供电的线性稳压器（最大 300mA），为系统中的微控制器（MCU）和其他敏感组件供电。采用这种先进的电源架构，不仅能实现尽可能好的信号质量，还能在任何输入和输出条件下优化电源效率。6EDL7141 包含三个电流检测放大器，用于精确的电流测量，支持具有可编程增益的双向低端电流检测。通过将相节点内部连接到电流检测放大器的输入，支持 RDSON 检测。如果需要，温度补偿应由用户应用程序提供。电流检测放大器的输出支持 3.3V 和 5V，使大多数商用控制器都能兼容。低噪声、低建立时间和高精度是集成运算放大器的主要特点。内部缓冲器可用于对检测放大器的输出进行偏移调整，以优化动态范围。该器件提供了众多保护功能，用于在不利条件下提高应用的鲁棒性，例如监测电源电压以及系统参数。该器件的故障行为、阈值电压和监测滤波时间可通过 SPI 进行调节。监测的方面包括逆变器电流、栅极驱动电压和电流、器件温度以及转子锁定。当发生故障时，器件停止驱动并将 nFAULT 引脚拉低，以防止系统损坏或其他可能的故障。该信号可连接到微控制器，通知处理器发生了故障。微控制器可以通过 SPI 命令请求获取更多关于故障的信息。集成的 SPI 接口可用于为应用配置 6EDL7141。SPI 既提供详细的故障报告，又提供灵活的参数设置，如电流检测放大器的增益、栅极驱动器的压摆率控制、各种保护功能或栅极驱动电压。

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￥23.26
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型号：UCC27210D 编号：C2878269

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 140

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￥11.895213 / 个

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型号：DRV8312DDW 编号：C1523842

封装：HTSSOP-44-EP-6.1mm

品牌：TI(德州仪器)

DRV8312 具有集成 FET、70V 最大电压、6.5A 峰值电流的三相电机驱动器

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￥34.526861 / 个

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型号：LM5113SD/NOPB 编号：C181365

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5113 适用于 GaN FET 的 1.2A/5A、90V 半桥栅极驱动器

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￥22.880543 / 个

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型号：MAX15013CASA+ 编号：C1549513

封装：ESOP-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

175V/2A、高速、半桥MOSFET驱动器、175V/2A半桥驱动器，具有低至35ns传输延时，驱动器之间具有8ns的传输延时匹配度

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￥74.412 / 个

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型号：L6392DTR 编号：C2677087

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

L6392是一款采用BCD “离线” 技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端（浮动）部分设计用于承受高达600 V的电压轨

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500+
￥6.05
2500+
￥5.778
5000+
￥5.671

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型号：INS2001FQ 编号：C22439612

封装：FCQFN-12(3x3)

品牌：Innoscience(英诺赛科)

是一款100V半桥驱动器，旨在高效驱动高端和低端氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。专为GaN FET设计，解决了传统MOSFET驱动解决方案面临的诸多挑战。内部智能自举（BST）开关可防止在死区时间内高端浮动电源BST电容过度充电，从而保护GaN FET的栅极，同时为GaN FET的两侧保持一致的栅极电压。提供丰富的故障保护，包括独立的VCC和BST欠压锁定、VCC过压锁定和过温保护。有两个逻辑输入，可独立控制高端和低端驱动器，实现最大灵活性，驱动器具有分离输出，可分别调节导通和关断速度。强大的驱动能力和出色的延迟匹配使其适用于高功率和高频应用。

1+
￥3.83
10+
￥3.74
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￥3.69
100+
￥3.63

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型号：MIC4605-2YM-TR 编号：C628052

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款85V半桥MOSFET驱动器，具有自适应死区时间和直通保护功能。自适应死区时间电路可主动监控半桥输出，以最小化高端和低端MOSFET转换之间的时间，从而最大限度提高电源效率。直通保护电路可防止错误输入和噪声同时开启两个MOSFET。还提供5.5V至16V的宽工作电源范围，以最大限度提高系统效率

100+
￥7.5488
200+
￥7.414
500+
￥7.2792

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型号：L6385ED013TR 编号：C111182

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

带嵌入式自举二极管的HV高低侧驱动器

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￥6.511431 / 个

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型号：1EDB9275FXUMA1 编号：C1870162

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

电信、数据中心和工业开关电源（SMPS）的发展受到能源效率提升、高功率密度和不断增长的输出功率等趋势的推动。宽带隙材料，如CoolSiC™ 650 V MOSFET和CoolGaN™ 600 V增强型高电子迁移率晶体管（e-mode HEMT），有助于实现高性能拓扑结构，如连续导通模式（CCM）图腾柱功率因数校正（PFC）。这种拓扑结构可确保PFC级效率达到99%，使系统整体效率达到98%，且每个开关周期都会出现硬开关换相

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1+
￥14.79
10+
￥12.56
30+
￥11.17
100+
￥9.74
500+
￥9.1
1000+
￥8.82

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型号：MP18021HQ-A-LF-Z 编号：C3655756

封装：QFN-8(3x3)

品牌：MPS(芯源)

1+
￥16.2212
50+
￥14.4188
100+
￥13.5996
500+
￥11.2237
1000+
￥7.8414
3000+
￥7.5191

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型号：MP6610GJ-Z 编号：C3655224

封装：TSOT-23-8

品牌：MPS(芯源)

MP6610是一款具备电流测量和调节功能的半桥驱动器。在4V至55V的宽输入电压范围内，它能够提供高达3A的输出电流。MP6610旨在驱动有刷直流电机、螺线管及其他负载

1+
￥16.4669
50+
￥14.255
100+
￥13.1899
500+
￥11.1418
1000+
￥8.5202
3000+
￥7.8648

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型号：UCC27301AQDDARQ1 编号：C41488145

封装：SO-8

品牌：TI(德州仪器)

专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个 N 沟道 MOSFET 而设计，绝对最大自举电压为 120V，凭借 3.7A 的峰值拉电流和 4.5A 的峰值灌电流能力，可在驱动大功率 MOSFET 的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS 引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。输入与电源电压无关，并且能够承受 -10V 和 +20V 的绝对最大额定值。低侧和高侧栅极驱动器彼此之间的开通和关断时间均为 4ns，并通过 LI 和 HI 输入引脚独立控制

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