mos驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TC4427AEOA713 编号：C20551

封装：SOIC-8

TC4426A/TC4427A/TC4428A是早期TC4426/TC4427/TC4428系列MOSFET驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外，TC4426A/TC4427A/TC4428A器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。这些器件在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有很高的抗闩锁能力。当接地引脚出现高达5V的噪声尖峰（任何极性）时，它们不会受到损坏。它们能够承受高达500mA的反向电流（任何极性）被强制回流到其输出端，而不会损坏或出现逻辑混乱。所有引脚都具有高达4kV的静电放电（ESD）保护。TC4426A/TC4427A/TC4428A MOSFET驱动器能够在30ns内轻松对1000pF的栅极电容进行充电/放电。这些器件在导通和关断状态下都具有足够低的阻抗，以确保即使存在大的瞬变，MOSFET的预期状态也不会受到影响。

数据手册

1+
￥3.56
10+
￥2.97
30+
￥2.56
100+
￥2.22
500+
￥1.76
1000+
￥1.7

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型号：IR2104STRPBF 编号：C2960

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

1+
￥2.99
10+
￥2.36
30+
￥2.05
100+
￥1.7444 ￥1.78
500+
￥1.4112 ￥1.44
1000+
￥1.372 ￥1.4

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型号：UCC27517DBVR 编号：C99395

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

UCC27516 和UCC27517 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。UCC27516 和UCC27517 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。当 VDD = 12V 时，UCC27516 和UCC27517 可提供峰值为4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。

数据手册

5+
￥0.9531
50+
￥0.745
150+
￥0.6435
500+
￥0.5528
3000+
￥0.4652
6000+
￥0.4502

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型号：UCC27517DBVR(UMW) 编号：C20623191

封装：SOT-23-5

品牌：UMW(友台半导体)

UMW UCC27517DBVR器件是一款用于功率MOSFET和IGBT的低电压同相栅极驱动器。专有的抗闩锁CMOS技术可实现具有高稳健性的单芯片集成架构。UMW UCC27517DBVR的逻辑输入电平与低至3V的CMOS或TTL逻辑输出电平兼容

5+
￥0.7259
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￥0.5686
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￥0.4877
500+
￥0.4211
3000+
￥0.3978
6000+
￥0.3821

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型号：IR2103STRPBF 编号：C2957

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

1+
￥2.52
10+
￥1.93
30+
￥1.64
100+
￥1.39
500+
￥1.32
1000+
￥1.27

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型号：MCP1416T-E/OT 编号：C83775

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP1415/16器件是能够提供1.5A峰值电流的高速MOSFET驱动器。反相或同相单通道输出能直接被TTL或CMOS逻辑所控制（3V到18V）。低贯通电流、匹配的上升和下降时间以及短传播延迟也是这些器件的特色，使它非常适合高开关频率应用。

数据手册

1+
￥2.65
10+
￥2.02
30+
￥1.71
100+
￥1.44
500+
￥1.36
1000+
￥1.32

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型号：UCC27524DR 编号：C465729

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

MOS驱动芯片，UCC27524 双路 5A 高速低侧电源 MOSFET 驱动器

数据手册

5+
￥1.4305
50+
￥1.0874
150+
￥0.9199
500+
￥0.7705
2500+
￥0.7294
5000+
￥0.7048

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型号：IR2110STRPBF 编号：C2968

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，单通道驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

1+
￥5.45
10+
￥4.54
30+
￥3.89
100+
￥3.36
500+
￥3.19
1000+
￥3.09

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型号：EG3112 编号：C111908

封装：SOIC-8

品牌：EG(屹晶微)

600V，IO+1A/-1.5A，大功率MOS管、IGBT管栅极驱动IC

数据手册

1+
￥2.62
10+
￥1.99
30+
￥1.68
100+
￥1.4
500+
￥1.36
1000+
￥1.32

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型号：IR2153STRPBF 编号：C79666

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是流行的IR2155和IR2151栅极驱动IC的改进版本，集成了高压半桥栅极驱动器和类似于行业标准CMOS 555定时器的前端振荡器。比以前的IC提供更多功能且更易于使用。CT引脚设计了关断功能，可使用低电压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。一旦VCC上的上升欠压锁定阈值达到，栅极驱动器输出脉冲宽度相同，使启动时频率与时间的曲线更稳定。通过降低栅极驱动器的峰值di/dt和将欠压锁定滞后增加到1V，显著提高了抗噪性。特别注重最大化器件的抗闩锁能力，并在所有引脚上提供全面的ESD保护。

数据手册

1+
￥6.4
10+
￥5.31
30+
￥4.76
100+
￥3.3345 ￥3.51
500+
￥3.0305 ￥3.19
1000+
￥2.869 ￥3.02

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型号：EG3001 编号：C81708

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

单通道功率MOSFET驱动芯片，电压范围：3.0V to 30V

数据手册

5+
￥1.1206
50+
￥0.8497
150+
￥0.7175
500+
￥0.5996
2500+
￥0.5672
4000+
￥0.5478

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型号：SD6288T 编号：C44606224

封装：TSSOP-20

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

SD6288是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 SD6288逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。

5+
￥1.732
50+
￥1.3692
150+
￥1.2138
500+
￥1.0383
2500+
￥0.9519
4000+
￥0.9

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型号：IR2101STRPBF 编号：C2956

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

1+
￥3.2
10+
￥2.5
30+
￥2.16
100+
￥1.7945 ￥1.85
500+
￥1.5423 ￥1.59
1000+
￥1.4938 ￥1.54

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型号：DRV8701ERGER 编号：C90964

封装：VQFN-24-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8701 47V H 桥智能栅极驱动器

数据手册

1+
￥3.66
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￥3.04
30+
￥2.61
100+
￥2.25
500+
￥2.14
1000+
￥2.07

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型号：FD6288Q 编号：C328453

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD6288是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET设计，可在高达 +250V 电压下工作。

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1+
￥5.32
10+
￥4.13
30+
￥3.53
100+
￥2.94
500+
￥2.59
1000+
￥2.4

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型号：JSM6288Q 编号：C19077370

封装：QFN-24

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

此版本为高欠压VCC≥8V；C52196409为低欠压VCC≥5V；三相高低侧栅极驱动芯片，大电流带欠压保护兼容FD6288Q。

1+
￥3.0305 ￥3.19
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￥2.3655 ￥2.49
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￥2.0805 ￥2.19
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￥1.7195 ￥1.81
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￥1.6245 ￥1.71
1000+
￥1.5295 ￥1.61

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型号：DRV8803PWPR 编号：C114177

封装：HTSSOP-16-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8803 具有 PWM 控制的 60V、2.3A、四通道低侧电机驱动器

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1+
￥4.98
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￥4.05
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￥3.58
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￥3.11
500+
￥2.59
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￥2.44

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型号：LTC4412ES6#TRPBF 编号：C514442

封装：TSOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)

采用 ThinSOT 封装的低损耗 PowerPath 控制器

数据手册

1+
￥18.39
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￥15.62
30+
￥13.88
100+
￥11.85
500+
￥11.04
1000+
￥10.7

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型号：MCP1407T-E/SN 编号：C622950

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP1406/07 器件是一系列缓冲器/MOSFET 驱动器，具有单输出，峰值驱动电流能力达 6A，直通电流低，上升/下降时间和传播延迟时间匹配等特点。这些器件引脚兼容，是 TC4420/TC4429 MOSFET 驱动器的改进版本。MCP1406/07 MOSFET 驱动器可在 20 ns 内轻松对 2500 pF 的栅极电容进行充放电，在导通和关断状态下均提供足够低的阻抗，以确保即使存在大的瞬态信号，MOSFET 的预期状态也不会受到影响

数据手册

1+
￥7.06
10+
￥5.87
30+
￥5.22
100+
￥4.48
500+
￥4.15
1000+
￥4

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型号：BTN8962TAAUMA1 编号：C112630

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

高电流 PN 半桥驱动IC

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1+
￥16.26
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￥13.67
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￥12.05
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￥10.38
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￥9.63
1000+
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