半桥电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：UCC27201AQDMKRQ1 编号：C2861728

封装：VSON-10(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和负电压处理能力的汽车类 3A、120V 半桥栅极驱动器 10-VSON -40 to 125

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1+
￥29.57
10+
￥28.81
30+
￥28.31

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型号：LM5102SD/NOPB 编号：C2676922

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5102 具有 8V UVLO 和可编程延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器

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1+
￥30.1
10+
￥29.4
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￥28.93

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型号：ICL7667CPA+ 编号：C1549284

封装：PDIP-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

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1+
￥32.33
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￥31.65
30+
￥28.85

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型号：LM5102SDX/NOPB 编号：C2862578

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5102 具有 8V UVLO 和可编程延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器

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1+
￥34.45
10+
￥29.48
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￥26.53

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型号：LTC7060IMSE#PBF 编号：C690114

封装：MSOP-12-EP-0.65mm

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7060 以半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET

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1+
￥35.14
10+
￥30.24
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￥27.32

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型号：HIP4082IBZ 编号：C1549293

封装：SOIC-16

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP4082是一款中频、中压H桥N沟道MOSFET驱动IC，提供16引脚塑料SOIC (N)和DIP封装。HIP4082 H桥驱动器专门针对PWM电机控制和UPS应用，使基于桥接的设计变得简单灵活。该器件工作电压高达80V，最适合中等功率水平的应用

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1+
￥35.9
10+
￥35.07
30+
￥34.52

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型号：DRV8143HQDGQRQ1 编号：C36884958

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

1+
￥37.33
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￥36.51
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￥35.97

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型号：DRV8935PPWPR 编号：C2879323

封装：HTSSOP-28-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8935 具有电流调节功能的 33V、2.5A 四路独立半桥驱动器

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1+
￥39.98
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￥39.06
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￥38.44

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型号：DRV8244SQDGQRQ1 编号：C6225657

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8244-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、21A H 桥驱动器

1+
￥41.64
10+
￥40.62
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￥39.93

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型号：LM25101ASD-1/NOPB 编号：C2677006

封装：WSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM25101 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、2A 或 1A 半桥栅极驱动器

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1+
￥43.94
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￥37.85
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￥34.14

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型号：DRV8245PQPWPRQ1 编号：C5355901

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8245-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、32A H 桥驱动器

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1+
￥44.67
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￥43.62
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￥42.92

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型号：ISL2111ABZ 编号：C1524111

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器，但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A，这显著降低了开关功率损耗，并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器

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￥52.85
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￥45.91
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￥41.68

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型号：DRV3233QPHPRQ1 编号：C48385505

封装：HTQFP-48

品牌：TI(德州仪器)

是一款集成式智能栅极驱动器，适用于12V和24V汽车类三相BLDC应用。此器件具有三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧N沟道功率MOSFET。使用集成式自举二极管和GVDD电荷泵生成合适的栅极驱动电压。此智能栅极驱动架构支持0.8mA至1A（拉电流）和2A（灌电流）的可配置峰值栅极驱动电流

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1+
￥58.99
10+
￥56.95

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型号：DRV3245BQPHPRQ1 编号：C701774

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV3245Q-Q1 具有精确电流检测和增强保护功能的汽车 1 级 12V 电池三相栅极驱动器单元

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1+
￥66.71
10+
￥60.28
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￥57.95

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型号：LMG3411R150RWHR 编号：C1858368

封装：VQFN-32-EP(8x8)

品牌：TI(德州仪器)

LMG3411R150 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 150mΩ GaN

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￥67.22
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￥64.87

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型号：1ED020I12FTA 编号：C530920

封装：DSO-20

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED020I12FTA是一款采用PG-DSO-20封装的单通道IGBT驱动器，具有电气隔离功能，典型输出电流能力为2A。所有逻辑引脚均与5V CMOS兼容，可直接连接到微控制器。电气隔离的数据传输通过集成的无芯变压器技术实现

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￥76.04
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￥72.2
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￥65.56

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型号：LN8322SR-G 编号：C3008046

封装：SOP-8

品牌：natlinear(南麟)

LN8322是一款可驱动高端和低端N沟道MOSFET栅极驱动芯片，可用于同步降压、升降压和半桥拓扑中。内部集成欠压锁死电路可以确保MOSFET在较低的电源电压下处于关断状态，用以提高转换效率。集成使能关断功能，可以同时关断DRVH、DRVL的输出。

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￥0.8269
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￥0.6445
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￥0.5533

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型号：ZH619A0-TR 编号：C53184468

封装：SOP-8

品牌：Semiment(赛卓)

高压半桥栅极驱动器、600V高压、具有高边和低边输入

5+
￥1.1069
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￥0.875
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￥0.7757

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型号：U3116C 编号：C20626025

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3115C/U3116C可在高达+350V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

5+
￥1.1085
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￥0.5659
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型号：NCP81258MNTBG 编号：C892859

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81258 是一款高性能双 MOSFET 门极驱动器，采用小巧的 2 mm x 2 mm 封装，经过优化，可驱动同步降压转换器中的高压侧和低压侧功率 MOSFET。零电流检测功能成就了高能效的方案，即使在轻负载条件下。电源电压较低时，VCC UVLO 可确保 MOSFET 关闭。检测到 UVLO 故障时，双向启用引脚会向控制器提供故障信号。

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￥2.74
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￥2.64

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型号：DGD1003FTA-13 编号：C5244545

封装：VDFN3035-8

品牌：DIODES(美台)

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￥3.6
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￥3.52
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￥3.47

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型号：1EDN7126UXTSA1 编号：C6984478

封装：PG-TSNP-7-11

品牌：Infineon(英飞凌)

是单通道栅极驱动IC，针对驱动英飞凌CoolGaN肖特基栅HEMT以及其他GaN SG HEMT和Si MOSFET进行了优化。该栅极驱动器具备几个关键特性，可实现基于GaN SG HEMT的高性能系统设计，包括真差分输入、四种驱动强度选项、有源米勒钳位和自举电压钳位。

1+
￥6.16
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￥4.99
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型号：2ED28073J06F 编号：C533056

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是高电压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达 600V 的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT。

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￥6.24
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￥6.1
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型号：LM5109BSD/NOPB 编号：C544701

封装：WSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5109B 具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器

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单价：
￥3.015773 / 个

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型号：2EDL8124G3CXTMA1 编号：C5502862

封装：VDSON-10

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥7.3
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￥7.14
30+
￥7.04

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型号：L6391DTR 编号：C5267661

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

L6391是一款采用BCD “离线式”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端（浮动）部分设计为可承受高达600 V的电压轨

1+
￥7.39
10+
￥7.2
30+
￥7.08

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型号：FAN3268TMX 编号：C464150

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3268 双 2A 门极驱动器适用于在以最高 18 V 的电压轨运行的电机控制应用中驱动高压侧 P 沟道 MOSFET 和低压侧 N 沟道 MOSFET。该驱动器具有 TTL 输入阈值，提供从逻辑输入的缓冲和电平转换功能。内部电路提供欠电压锁闭功能，可在 VDD 电源电压低于运行水平时阻止输出开关设备运行。内部 100kΩ 电阻会将非反向输出低电平和反向输出偏置到 VDD，以便在启动间隔期间，逻辑控制信号不存在时保持外部 MOSFET 的关断状态。FAN3268 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。FAN3268 具有两个独立的启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。如果用于非反向沟道 A 的启用引脚拉低，OUTA 则强制为低电平；如果用于反向沟道 B 的启用引脚拉低，OUTB 则强制为高电平。如果一个输入保持未联接，内部电阻则会偏置多个输入，以便外部 MOSFET 为关断状态。

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1+
￥7.66
10+
￥7.48
30+
￥7.36

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型号：TLE94103EPXUMA1 编号：C2653457

封装：TSDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE94103EP是一款受保护的三路半桥驱动器，专为汽车运动控制应用（如后视镜x-y调节）而设计。它是一个更大产品系列的一部分，该系列提供从三路输出到十二路输出、具有直接接口或SPI接口的半桥驱动器。这些半桥驱动器用于在顺序或并行操作中驱动直流电机负载

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1+
￥8.01
10+
￥7.8
30+
￥7.67

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型号：IR25606STRPBF 编号：C537639

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR25606是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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1+
￥8.46
10+
￥8.27
30+
￥8.15

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型号：UCC27201D 编号：C544969

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

高频N沟道MOSFET驱动器系列包括一个120V自举二极管以及高端和低端驱动器，具有独立输入，可实现最大控制灵活性。这允许在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中控制N沟道MOSFET。低端和高端栅极驱动器独立控制，导通和关断之间的匹配时间为1ns。片上自举二极管消除了外部分立二极管。为高端和低端驱动器提供欠压锁定功能，若驱动电压低于指定阈值，则强制输出为低电平。提供两种版本，UCC27200具有高抗噪CMOS输入阈值，UCC27201具有TTL兼容阈值。

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