半桥电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：TQFN-13(3x3)

MP86933 是一款单片半桥驱动器，内置功率 MOSFET 和栅极驱动器。MP86933 在较宽的输入电源范围内可实现 12A 的连续输出电流，工作频率范围为 100kHz 至 2MHz。驱动器和 MOSFET 的集成通过优化死区时间和降低寄生电感实现了高效率。MP86933 可与三态输出控制器配合使用，并具备通用电流检测和温度检测功能。MP86933 非常适合对效率和尺寸要求较高的服务器和电信应用。MP86933 采用小型 FC-TQFN-13（3mmx3mm）封装。

1+
￥32.77
50+
￥30.548
100+
￥27.363

有货

立即购买

型号：DRV8955PRGER 编号：C3654929

封装：VQFN-24(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8955 具有电流检测功能的 50V、2.5A 四路半桥驱动器

数据手册

1+
￥33.06
10+
￥28.18
30+
￥25.28

有货

立即购买

型号：TD310IDT 编号：C501103

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

带电流感应的三IGBT/MOS驱动器

数据手册

1+
￥35.14
10+
￥30.27
30+
￥27.3

有货

立即购买

型号：MAX5064BATC+T 编号：C2677260

封装：TQFN-12-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

特性：高达125V输入操作。 8V至12.6V VDD输入电压范围。 2A峰值源电流和灌电流驱动能力。应用：电信半桥电源

数据手册

1+
￥36.15
10+
￥35.33
30+
￥34.79

有货

立即购买

型号：NCP51560ABDWR2G 编号：C5206714

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

是隔离双通道栅极驱动器，源极和漏极峰值电流分别为4.5 A和9 A。专为快速开关以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关而设计，具有短且匹配的传播延迟。输入到每个输出之间有两个独立的5 kVrms内部电流隔离，两个输出驱动器之间有内部功能隔离，允许最高1500 VDC的工作电压。该驱动器可用于两个低端、两个高端开关或具有可编程死区时间的半桥驱动器的任何可能配置。ENA/DIS引脚在设置为低电平或高电平时分别用于启用或禁用模式，同时关闭两个输出。还提供其他重要保护功能，如两个栅极驱动器的独立欠压锁定和死区时间调整功能。

数据手册

1+
￥38.42
10+
￥33.17
30+
￥30.06
100+
￥26.9

有货

立即购买

型号：IR2130SPBF 编号：C537572

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有三个独立的高低侧参考输出通道。专有的 HVIC 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容CMOS 或 LSTTL 输出，逻辑电压低至 2.5V。接地参考运算放大器通过外部电流检测电阻提供桥电流的模拟反馈。该电阻还具有电流跳闸功能，可终止所有六个输出。开漏故障信号指示是否发生过流或欠压关断。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度地降低驱动器交叉传导。

数据手册

1+
￥42.33
10+
￥40.34

有货

立即购买

型号：L99MH98-TR 编号：C37964754

封装：VFQFPN-48L-EP(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

是一款集成式八通道半桥预驱动器，可控制多达16个N沟道MOSFET。用于直流电机控制应用，如汽车电动座椅控制等。使用24位串行外设接口（SPI）配置和控制八个半桥或四个H桥。SPI状态寄存器提供高级诊断信息，如电源电压监控、电荷泵电压监控、温度警告和过温关断

1+
￥42.43
10+
￥41.49
30+
￥40.86

有货

立即购买

型号：EPC23104 编号：C53066374

封装：WQFN-13-HR(3.5x5)

品牌：EPC

1+
￥43.26
10+
￥37.53
30+
￥34.04

有货

立即购买

型号：2ED1322S12MXUMA1 编号：C20189641

封装：PG-DSO-16-U02

品牌：Infineon(英飞凌)

控制 IGBT 或 SiC MOSFET 功率器件，在半桥配置中最大阻断电压为 +1200V。基于 SOI 技术，在瞬态电压下具有出色的耐用性，器件中不存在寄生晶闸管结构，在工作温度和电压范围内对寄生闩锁具有很强的抵抗力。两个独立的驱动器输出在低端使用两个不同的 CMOS 或 LSTTL 兼容信号进行控制，低至 3.3V 逻辑。该器件包括一个具有滞后特性的欠压检测单元。具有对称的欠压锁定电平，支持集成的超快自举二极管。此外，离线栅极钳位功能在 IC 未通过 VCC 供电时，为晶体管提供固有的保护，防止因浮动栅极条件导致的寄生导通。

1+
￥43.77
10+
￥37.42
30+
￥33.55

有货

立即购买

型号：MASTERGAN4LTR 编号：C22071978

封装：QFN-31(9x9)

品牌：ST(意法半导体)

一款先进的功率系统级封装产品，集成了半桥配置的栅极驱动器和两个增强型 GaN 晶体管。集成的功率 GaN 分别具有 225 mΩ 的导通电阻和 650 V 的漏源阻断电压，嵌入式栅极驱动器的高端可通过集成自举二极管轻松供电。具备 VCC 欠压锁定 (UVLO) 保护功能，防止功率开关在低效率或危险条件下运行，联锁功能避免交叉导通。输入引脚扩展范围允许轻松与模拟控制器、微控制器和 DSP 单元接口。工作在 -40℃ 至 125℃ 的工业温度范围。采用紧凑的 9×9 mm QFN 封装。

1+
￥43.81
10+
￥42.84
30+
￥42.2

有货

立即购买

型号：IR2233JTRPBF 编号：C537616

封装：PLCC-32(16.6x16.6)

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥46.03
10+
￥39.58
30+
￥35.66

有货

立即购买

型号：MP86905GR-Z 编号：C3655435

封装：QFN-23(4x4)

品牌：MPS(芯源)

MP86905 是一款单片半桥芯片，内置功率 MOSFET 和栅极驱动器。MP86905 在较宽的输入电源范围内可实现 50A 的连续输出电流。MP86905 采用单片 IC 方案，每相可驱动高达 50A 的电流。驱动器和 MOSFET 的集成通过优化死区时间和降低寄生电感，实现了高效率。MP86905 的工作频率范围为 100kHz 至 2MHz。MP86905 具备诸多特性，可简化系统设计。MP86905 可与具有三态 PWM 信号的控制器配合使用，并配备精确的电流检测功能以监测电感电流，以及温度检测功能以报告结温。MP86905 非常适合对效率和尺寸要求较高的服务器应用。MP86905 采用小型 FC - QFN（4mmx4mm）封装。

1+
￥50.5477
50+
￥44.507
100+
￥41.7818

有货

立即购买

型号：IGI60F5050A1LAUMA1 编号：C5740689

封装：TIQFN-28

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥55.89
10+
￥48.41
30+
￥43.85

有货

立即购买

型号：IGI60F2727A1LAUMA1 编号：C21798351

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥61.11
10+
￥52.94
30+
￥47.95

有货

立即购买

型号：ISL2110ABZ 编号：C1549676

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器，但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A，这显著降低了开关功率损耗，并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器

1+
￥63.3
10+
￥54.52
30+
￥49.17

有货

立即购买

型号：IGI60F2020A1LAUMA1 编号：C21615397

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥67.94
10+
￥58.84
30+
￥53.3

有货

立即购买

型号：DRV3245AQPHPRQ1 编号：C2150736

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV3245Q-Q1 具有精确电流检测和增强保护功能的汽车 1 级 12V 电池三相栅极驱动器单元

数据手册

1+
￥123.96
10+
￥117.97
30+
￥107.61

有货

立即购买

型号：TM2123-SOP8-TA2402C 编号：C51026294

封装：SOP-8

品牌：TM(天微)

TM2123 是一款具有VCC欠压保护和输入高低侧信号互锁功能的高压半桥驱动芯片，内置VCC欠压保护电路可防止功率管工作在过低的电压下，提高效率。同时内置输入高低侧信号互锁电路可防止功率管上下桥臂发生直通，有效保护高压功率器件。设计该芯片主要用于高压、高速驱动N型功率MOSFET。适用于电动自行车、马达驱动、电动工具等电机驱动类产品。本产品性能优良，质量可靠。

5+
￥0.8895
50+
￥0.7071
200+
￥0.6159
500+
￥0.5475

有货

立即购买

型号：3253ESA/T 编号：C336590

封装：SOP-8

品牌：VP(中芯集成)

相同型号IMP3253ESA/T 3253是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，内部集成了高压半桥驱动电路和一个前置振荡器，形成一款多功能、更加安全的功率驱动芯片。管脚CT具有保护关断功能，可以用一个低电压信号使驱动器停止输出。此外，输出脉冲的宽度保持一致，一旦VCC上电流超过开启阈值，驱动器就能以更加稳定的频率振荡。

数据手册

1+
￥2.62
10+
￥2.35
30+
￥2.21
100+
￥2.08
500+
￥1.79
1000+
￥1.75

有货

立即购买

型号：LM2101DSGR 编号：C31003035

封装：WSON-8(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

数据手册

1+
￥3.58
10+
￥3.49
30+
￥3.43
100+
￥3.37

有货

立即购买

型号：NCP5901BDR2G 编号：C603757

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5901B是一款高性能双MOSFET栅极驱动器，专为驱动同步降压转换器中的高端和低端功率MOSFET的栅极而优化。它能够驱动高达3 nF的负载，传播延迟为25 ns，转换时间为20 ns。自适应抗交叉导通和节能操作电路可为笔记本电脑和台式机系统提供低开关损耗和高效率的解决方案

数据手册

1+
￥4.16
10+
￥3.41
30+
￥3.03

有货

立即购买

型号：DGD05463M10-13 编号：C6021630

封装：MSOP-10

品牌：DIODES(美台)

DGD05463是一款高频半桥栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压最高可达50V。DGD05463逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器接口

1+
￥4.29
10+
￥3.52
30+
￥3.13

有货

立即购买

型号：NSG2110P 编号：C49449825

封装：DIP-14

品牌：WXNSIC(国硅集成)

是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。采用DIP14封装，可以在-40°C至125°C温度范围内工作。

1+
￥5.66
10+
￥4.57
25+
￥4.02
100+
￥3.48

有货

立即购买

型号：NCV57201DR2G 编号：C2902041

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

是一款高压栅极驱动器，具有一个非隔离低端栅极驱动器和一个电流隔离高端或低端栅极驱动器。它可以在半桥配置中直接驱动两个IGBT。隔离高端驱动器可以由隔离电源供电，也可以通过自举技术从低端电源供电。高端栅极驱动器的电流隔离保证了在高达800V、高dv/dt下工作的IGBT在高功率应用中的可靠开关。优化的输出级有助于降低IGBT损耗。其特性包括两个独立输入、精确的不对称欠压锁定和短且匹配的传播延迟。工作时VDD/VBS最高可达20V。

数据手册

1+
￥6.19
10+
￥6.04
30+
￥5.95
100+
￥5.86

有货

立即购买

型号：NCV51513ABMNTWG 编号：C5209111

封装：DFNW-10(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCV51513是一款130 V半桥驱动器，具有高驱动电流能力，适用于DC - DC电源和逆变器。NCV51513在同类产品中具有出色的传播延迟，静态电流低，且在高频工作时开关电流小。该器件专为高频高效电源量身定制

数据手册

1+
￥6.47
10+
￥6.31
30+
￥6.21

有货

立即购买

型号：NCD57200DR2G 编号：C904341

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCD57200是一款高压栅极驱动器，具备一个非隔离型低端栅极驱动器和一个电流隔离型高端或低端栅极驱动器。它能够以半桥配置直接驱动两个IGBT。隔离型高端驱动器可采用隔离电源供电，也可借助自举技术由低端电源供电

数据手册

1+
￥7.29
10+
￥7.11
30+
￥6.99

有货

立即购买

型号：DGD2103MS8-13 编号：C460691

封装：SOIC-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2103M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2103M的高端在自举操作中能够切换至600V。DGD2103M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

数据手册

1+
￥7.44
10+
￥6.21
30+
￥5.54

有货

立即购买

型号：2ED2304S06F 编号：C533055

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED2304S06F 是一款 650 V 半桥栅极驱动器。其英飞凌薄膜 SOI 技术具备出色的耐用性和抗噪能力。施密特触发器逻辑输入与低至 3.3 V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在通过内置互锁逻辑实现最小的驱动器交叉导通，防止直通现象。浮动通道可用于驱动高端配置下的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，最高工作电压可达 650 V。

1+
￥7.6
10+
￥6.34
30+
￥5.65
100+
￥4.66

有货

立即购买

型号：2ED21844S06JXUMA1 编号：C1850283

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

是半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪性，能够在VS引脚负电压高达 -11V DC（VCC = 15V）的瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT，其工作电压高达650V。

数据手册

1+
￥9.38
10+
￥9.16
30+
￥9.02

有货

立即购买

型号：IR2302STRPBF 编号：C148147

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2302(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

数据手册

1+
￥9.41
10+
￥7.9
30+
￥6.95

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示