半桥电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

NCV51513是一款130 V半桥驱动器，具有高驱动电流能力，适用于DC - DC电源和逆变器。NCV51513在同类产品中具有出色的传播延迟，静态电流低，且在高频工作时开关电流小。该器件专为高频高效电源量身定制

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型号：L6391DTR 编号：C5267661

封装：SO-14

L6391是一款采用BCD “离线式”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端（浮动）部分设计为可承受高达600 V的电压轨

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型号：IRS2005SPBF 编号：C1549355

封装：SOIC-8

是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达200V。传播延迟匹配，简化了HVIC在高频应用中的使用。

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型号：2ED21844S06JXUMA1 编号：C1850283

封装：SOIC-14

是半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪性，能够在VS引脚负电压高达 -11V DC（VCC = 15V）的瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT，其工作电压高达650V。

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型号：MIC4605-2YM-TR 编号：C628052

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款85V半桥MOSFET驱动器，具有自适应死区时间和直通保护功能。自适应死区时间电路可主动监控半桥输出，以最小化高端和低端MOSFET转换之间的时间，从而最大限度提高电源效率。直通保护电路可防止错误输入和噪声同时开启两个MOSFET。还提供5.5V至16V的宽工作电源范围，以最大限度提高系统效率

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型号：MIC4605-1YMT-TR 编号：C621919

封装：TDFN-10-EP(2.5x2.5)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4605是一款85V半桥MOSFET驱动器，具备自适应死区时间和直通保护功能。自适应死区时间电路会主动监测半桥输出，以尽量缩短高端和低端MOSFET转换之间的时间，从而最大限度提高功率效率。直通保护电路可防止错误输入和噪声导致两个MOSFET同时导通

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型号：IR2302STRPBF 编号：C148147

封装：SOIC-8

IR2302(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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型号：1EDF5673F 编号：C530947

封装：DSO-16

CoolGaN™ 及类似的氮化镓（GaN）开关在导通状态下需要几毫安的连续栅极电流。此外，由于阈值电压较低且开关瞬态极快，可能需要负的关断电压电平。广泛使用的 RC 耦合栅极驱动器可满足这些要求，但其开关动态特性存在占空比依赖性，且在特定情况下缺乏负栅极驱动

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型号：UCC27200DDAR 编号：C2677208

封装：SOIC-8-EP

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 3A、120V 半桥栅极驱动器 8-SO PowerPAD -40 to 140

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型号：L6386AD 编号：C1549500

封装：SO-14

带嵌入式比较器和自举二极管的HV高低侧驱动器

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型号：MP1921HQ-A-LF-Z 编号：C6910005

封装：QFN-8(3x3)

品牌：MPS(芯源)

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型号：FAN7888MX 编号：C258167

封装：SOIC-20-300mil

FAN7888 是一款单片三相半桥门极驱动集成电路，适用于在最高 +200 V 下运行的高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输出驱动器通常会分别源/汲 250mA/500mA，适用于电机驱动系统中的三相半桥应用。

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型号：AUIRS21814STR 编号：C533512

封装：SOIC-14

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

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型号：NCP1392BDR2G 编号：C457690

封装：SOIC-8

NCP1392B 是一款自振荡高电压 MOSFET 驱动器，主要用于使用半桥拓扑结构的应用。由于其专属高电压技术，该驱动器接受最高 600 V 的大电压。使用一个电阻器，可将该驱动器的运行频率从 25 kHz 调节至 480 kHz。可调节欠电压保护可确保正确的大电压运行范围。内部 100 ms PFC 延迟计时器可保证主要的下游转换器在大电压完全稳定时打开。该器件提供固定死区时间，有助于降低击穿电流。

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型号：NCV5703ADR2G 编号：C603971

封装：SOIC-8

是用于高功率应用的高电流、高性能独立 IGBT 驱动器。该器件通过消除外部输出缓冲器，提供了一种经济高效的解决方案。器件保护功能包括精确的欠压锁定 (UVLO)、去饱和保护 (DESAT) 和有源开漏故障输出。驱动器还具有精确的 5.0V 输出。驱动器设计用于适应宽电压范围的偏置电源，包括单极性和双极性电压。根据引脚配置，器件还包括有源米勒钳位、用于系统设计方便的单独高低 VOH 和 VOL 驱动器输出，以及用于通过外部信号控制驱动器输出的使能功能。

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型号：DGD2136MS28-13 编号：C2677189

封装：SOIC-28-300mil

品牌：DIODES(美台)

是一款三相栅极驱动IC，专为高压/高速应用而设计，以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使高端在自举操作中可切换至600V。逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口，且低电平使能，以便在高噪声环境中更好地工作。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，旨在实现最小的驱动器交叉导通

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型号：NCP51560BBDWR2G 编号：C5206715

封装：SOIC-16-300mil

NCP51560 是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为 4.5 A 和 9 A。它们专为快速开关而设计，用于驱动功率 MOSFET 和碳化硅（SiC）MOSFET 功率开关。NCP51560 具有较短且匹配的传播延迟

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型号：IR21364STRPBF 编号：C537592

封装：SOIC-28-300mil

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道，适用于三相应用。专有HVIC技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。电流跳闸功能可通过外部电流检测电阻终止所有六个输出。具有使能功能，可同时终止所有六个输出。提供开漏FAULT信号，指示过流或欠压关断。过流故障条件在通过连接到RCIN输入的RC网络外部编程的延迟后自动清除。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉导通。传播延迟匹配，便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

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型号：IR2010SPBF 编号：C537537

封装：SOIC-16-300mil

IR2010是一款高功率、高电压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.0V逻辑。

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型号：TLE92104232QXXUMA1 编号：C3655597

封装：VQFN-48

是一款多MOSFET驱动IC，专用于控制多达八个n沟道MOSFET。包括四个半桥，用于直流电机控制应用，如汽车电动座椅控制或其他应用。采用24位串行外设接口（SPI）来配置和控制半桥，还可读取状态寄存器以进行诊断。提供广泛的诊断功能，如监控电源电压、电荷泵电压、温度警告和过温关断。每个栅极驱动器独立监控其外部MOSFET的漏源电压以检测故障。采用带有外露焊盘的VQFN-48封装，支持引脚检查，该封装具有良好的热性能，并最小化所需的PCB空间。

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型号：LM5104M 编号：C3655540

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5104 具有 8V UVLO 和自适应延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：IR2184SPBF 编号：C537610

封装：SOIC-8

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：L6571BD013TR 编号：C2970271

封装：SO-8

带振荡器的高压半桥驱动器

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型号：MP1922GV-Z 编号：C6992713

封装：QFN-22(4x5)

品牌：MPS(芯源)

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型号：STDRIVE601TR 编号：C5223633

封装：SO-28

三半桥高压栅极驱动器

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型号：MIC4102YM-TR 编号：C628004

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款高频100V半桥MOSFET驱动IC，具有内部抗直通保护功能。低侧和高侧栅极驱动器由一个输入信号控制。采用自适应抗直通电路，优化开关转换以实现最高效率。单输入控制降低了系统复杂性，简化了整体设计。还具有低侧驱动禁用引脚，可在非同步降压模式下工作，能在存在偏置电压的应用中启动而不会拉低输出电压。低侧和高侧电源的欠压保护会使输出为低电平。片上自举二极管消除了其他驱动IC所需的分立二极管。采用SOIC-8L封装，结工作范围为-40℃至 + 125℃。

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型号：2EDF7175FXUMA2 编号：C1869517

封装：DSO-16

双通道隔离EiceDRIVER产品系列设计用于高性能功率转换应用。强大的4 A/8 A源/灌双通道栅极驱动器可提高CoolMOS、CoolSiC和OptiMOS MOSFET半桥的效率。37 ns的低传播延迟，结合高度精确和稳定的定时、过温保护和生产工艺，可在电气隔离功率级内和跨功率级或在多相/多级拓扑中进一步提高效率。不同封装的功能和增强型隔离驱动器使其非常适合初级侧和（安全）次级侧控制。栅极驱动器输出具有5 A的高反向电流能力和150 V/ns的CMTI抗扰度，适用于高dv/dt功率环路。对于较慢的开关或驱动较小的MOSFET，也提供1 A/2 A峰值电流的产品变体。

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型号：2ED1323S12PXUMA1 编号：C20189642

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