半桥电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

XJNG2102 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至3.3V

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￥0.8008
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￥0.6242
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￥0.5359
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￥0.4696
2500+
￥0.4166

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型号：DOS2003 编号：C52140044

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

250V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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￥1.155
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￥0.9131
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型号：DOS2104 编号：C52140040

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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￥1.7325
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￥1.3696
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型号：NCP81161MNTBG 编号：C603811

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81161是一款高性能双MOSFET栅极驱动器，针对同步降压转换器中高端和低端功率MOSFET的栅极驱动进行了优化。它能够驱动高达3 nF的负载，传播延迟为25 ns，转换时间为20 ns。自适应抗交叉导通和节能运行电路可为笔记本电脑和台式机系统提供低开关损耗和高效率的解决方案

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￥2.66
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￥2.38
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￥2.24
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￥2.1
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￥2.01
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￥1.97

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型号：ISL95808HRZ-T 编号：C964602

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高频双MOSFET驱动器，具有低关断电流，经过优化可在同步整流降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET。特别适用于需要高效率和出色热性能的移动计算应用。该驱动器与多相降压PWM控制器结合，可为高级移动微处理器形成完整的单级核心电压调节器解决方案。低侧栅极驱动器典型灌电流为4A，此电流能够在相节点上升沿期间保持低侧MOSFET栅极关断，防止因相电压高dv/dt引起的直通功率损耗。工作电压与移动计算机电源中常用MOSFET的30V击穿电压相匹配。还具有三态PWM输入，与多相PWM控制器配合使用可防止CPU关机期间出现负电压输出，此功能可省去微处理器电源系统中常见的保护肖特基二极管

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￥2.7975
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￥2.2279
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型号：NSG6025 编号：C52975933

封装：SOP-8

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￥2.94
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型号：COS2181STRPBF 编号：C7501651

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

高低边半桥驱动， 10V-20V 电源电压，600V高压， 2.5A峰值拉/灌电流

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￥3.36
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￥2.38
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型号：SS6208L 编号：C3345074

封装：DFN-8(3x3)

品牌：LEADPOWER(率能)

最大额定持续电流 4A，峰值 8A。自举式高端驱动器。集成高/低侧 MOSFET。高频操作（最高 1MHz）。PWM 输入兼容 3.3V 和 5V。内部自举二极管。欠电压锁定。热保护关断。自适应防串通保护。

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￥3.47
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￥2.05
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￥1.68

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型号：NSG27714 编号：C52975936

封装：SOP-14

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型号：COS2110PBF 编号：C7501650

封装：DIP-14

品牌：COSINE(科山芯创)

高低边驱动， 10V-20V 电源电压，600V高压， 2.5峰值拉/灌电流

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￥4.53
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型号：SLM27211CA-DG 编号：C967931

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

120V高低边驱动，不带互锁，VDD：8-17V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:220/200ns，DT:NA,MT:30ns

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型号：COS21834S 编号：C42411193

封装：SOP-14

品牌：COSINE(科山芯创)

高低边半桥驱动， 10V-20V电源电压，600V高压，2.5A峰值拉/灌电流

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￥5.32
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型号：NSG2113P 编号：C49023243

封装：DIP-8

NSG2113P是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。采用DIP8封装，可以在 -40°C 至 125°C 温度范围内工作。

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￥5.95
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型号：NSG21364 编号：C41414506

封装：SOP-28

700V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.21/0.35A

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￥6.41
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￥5.3
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￥4.01
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型号：2EDL05I06PFXUMA1 编号：C2676937

封装：DSO-8

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型号：CSD97394Q4M 编号：C529286

封装：PFDFN-8

CSD97394Q4M CSD97394Q4M 同步降压 NexFET™ 功率级

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￥7.28
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型号：LM5109ASD/NOPB 编号：C2653786

封装：WSON-8-EP(4x4)

LM5109A 具有 8V UVLO 的 1A、100V 半桥栅极驱动器

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￥7.4
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型号：STDRIVE101TR 编号：C3655697

封装：VFQFPN-24

品牌：ST(意法半导体)

STDRIVE101是一款低压栅极驱动器，适用于驱动三相无刷电机。它是一款单芯片，带有三个用于N沟道功率MOSFET的半桥栅极驱动器。每个驱动器的电流能力为600 mA（灌电流/拉电流）

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￥7.49
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型号：CHL8510CRT 编号：C534889

封装：DFN-10L(3x3)

IR3537/CHL8510是一款高效栅极驱动器，可在同步降压转换器中驱动高端和低端N沟道外部MOSFET。它旨在与国际整流器公司（International Rectifier）的数字PWM控制器配合使用，为当今的先进计算应用提供完整的电压调节器（VR）解决方案。IR3537/CHL8510低端驱动器能够快速切换低导通电阻（RDS(on)）、高输入电容的大型MOSFET，适用于高效设计

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￥9.5403 ￥16.17
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￥4.8009 ￥12.31
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￥3.8259 ￥9.81

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型号：LM5101ASDX/NOPB 编号：C2860818

封装：WSON-10(4x4)

LM5101A 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器

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￥10.08
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￥8.55
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型号：DGD21814S14-13 编号：C460703

封装：SO-14

品牌：DIODES(美台)

DGD21814是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD21814的高端在自举操作中可切换至600V。DGD21814的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

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￥10.4902 ￥17.78
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￥4.2081 ￥10.79

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型号：IR2108PBF 编号：C537548

封装：PDIP-8

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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￥10.8275 ￥15.25
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￥9.0951 ￥14.91
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￥7.3746 ￥14.46

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型号：1EDI30I12MFXUMA1 编号：C17183214

封装：SOIC-8

1EDIxxI12MF 是采用 DSO - 8 窄体封装的单通道电气隔离式栅极驱动器，可提供高达 6.2 A 的输出电流，还集成了具有相同额定电流的有源米勒钳位电路，以防止寄生导通。输入逻辑引脚的输入电压范围宽，为 3 V 至 15 V，采用缩放后的 CMOS 阈值电平，甚至可支持 3.3 V 的微控制器。

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￥10.87
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￥9.16
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￥8.1
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￥7.01

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型号：FL73282MX 编号：C903681

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

单片半桥门极驱动集成电路 FL73282可驱动最高在 +900 V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VBS 低于指定的阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常会分别源/汲 350 mA / 650 mA，适用于所有类型的半桥和全桥逆变器。

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￥10.92
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￥9.7188 ￥10.68
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￥8.5212 ￥10.52
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￥8.3916 ￥10.36

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型号：TPS28225TDRQ1 编号：C2677049

封装：SOIC-8

TPS28225-Q1 具有 4V UVLO、用于同步整流的汽车类 4A、27V 半桥栅极驱动器

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型号：DGD2304S8-13 编号：C460710

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2304是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2304的高端在自举操作中能够切换至600V。DGD2304逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

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￥11.13
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￥9.38
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￥8.41

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型号：1ED3140MU12FXUMA1 编号：C17695126

封装：DSO-8

单通道栅极驱动IC，采用DSO-8 150 mil封装，用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。提供高达6.5 A的典型输出电流。输入逻辑引脚使用CMOS阈值电平，在3 V至6.5 V的宽输入电压范围内工作，以支持3.3 V微控制器。通过无芯变压器技术实现跨隔离屏障的数据传输。所有型号都具有输入和输出欠压锁定（UVLO）和主动关断功能。

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￥11.22
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￥9.43
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￥8.31

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型号：MC33153PG 编号：C603253

封装：PDIP-8

品牌：onsemi(安森美)

MC33153 专门设计为用于大功率应用的 IGBT 驱动器，包括电感电机控制、无电刷直流电机控制和不中断电源。尽管设计为驱动分立和模块 IGBT，但此器件提供了用于驱动功率 MOSFET 和双极晶体管的成本高效的方案。器件保护功能包括去饱和或过电流感应和欠电压检测。此类器件采用双列直插和表面贴装封装，包括以下功能：

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￥11.26
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￥9.59
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￥8.2

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型号：DRV8106SQRHBRQ1 编号：C2868243

封装：VQFN-32-EP(5x5)

DRV8106-Q1 具有离线诊断功能和直列式电流检测放大器的汽车类 40V 半桥智能栅极驱动器。

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￥11.31
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￥11.05
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￥10.87

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型号：2EDL8034G3CXTMA1 编号：C6798612

封装：PG-VSON-10-4