半桥电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：DIP-8

NSG2113P是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。采用DIP8封装，可以在 -40°C 至 125°C 温度范围内工作。

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￥5.97
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型号：2EDF8275FXUMA1 编号：C6078221

封装：SOIC-16

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：2EDL8124G3CXTMA1 编号：C5502862

封装：VDSON-10

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：LM5109ASD/NOPB 编号：C2653786

封装：WSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5109A 具有 8V UVLO 的 1A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：DGD2181S8-13 编号：C460704

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2181是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2181的高端在自举操作中可切换至600V。DGD2181的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

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型号：UCC27282DRCT 编号：C2676968

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。

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型号：LM5101ASDX/NOPB 编号：C2860818

封装：WSON-10(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5101A 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：UCC27712QDQ1 编号：C1549541

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

具有互锁功能的汽车类 1.8A/2.8A、620V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 140

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型号：MD1211LG-G 编号：C623931

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Supertex MD1211 是一款高速双 MOSFET 驱动器。它专为驱动高压 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 晶体管而设计，适用于医疗超声和其他需要高输出电流来驱动容性负载的应用。MD1211 的高速输入级可在 1.8 至5.0V 的逻辑接口电压下工作，最佳工作输入信号范围为1.8 至 3.3V。电平转换器采用专有电路，可提供直流耦合和高速运行。

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型号：FAN7382M1X 编号：C457737

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7382 可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输入逻辑电平兼容标准的 TTL 系列逻辑门极。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常分别会源/汲 350mA/650mA，适用于荧光灯镇流器、PDP 扫描驱动器、电机控制等。

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型号：1EDI30I12MFXUMA1 编号：C17183214

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1EDIxxI12MF 是采用 DSO - 8 窄体封装的单通道电气隔离式栅极驱动器，可提供高达 6.2 A 的输出电流，还集成了具有相同额定电流的有源米勒钳位电路，以防止寄生导通。输入逻辑引脚的输入电压范围宽，为 3 V 至 15 V，采用缩放后的 CMOS 阈值电平，甚至可支持 3.3 V 的微控制器。

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型号：DRV8106SQRHBRQ1 编号：C2868243

封装：VQFN-32-EP(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8106-Q1 具有离线诊断功能和直列式电流检测放大器的汽车类 40V 半桥智能栅极驱动器。

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型号：DRV8300UDPWR 编号：C7172549

封装：TSSOP-20

品牌：TI(德州仪器)

DRV8300U 具有自举二极管和增强型 UVLO 保护的 100V（最大值）简单三相栅极驱动器

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型号：CHL8510CRT 编号：C534889

封装：DFN-10L(3x3)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3537/CHL8510是一款高效栅极驱动器，可在同步降压转换器中驱动高端和低端N沟道外部MOSFET。它旨在与国际整流器公司（International Rectifier）的数字PWM控制器配合使用，为当今的先进计算应用提供完整的电压调节器（VR）解决方案。IR3537/CHL8510低端驱动器能够快速切换低导通电阻（RDS(on)）、高输入电容的大型MOSFET，适用于高效设计

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型号：MC33153PG 编号：C603253

封装：PDIP-8

品牌：onsemi(安森美)

MC33153 专门设计为用于大功率应用的 IGBT 驱动器，包括电感电机控制、无电刷直流电机控制和不中断电源。尽管设计为驱动分立和模块 IGBT，但此器件提供了用于驱动功率 MOSFET 和双极晶体管的成本高效的方案。器件保护功能包括去饱和或过电流感应和欠电压检测。此类器件采用双列直插和表面贴装封装，包括以下功能：

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型号：UCD7232RTJR 编号：C2867675

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

具有电流感应和故障保护功能的数字控制兼容同步降压闸极驱动器 20-QFN -40 to 125

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型号：1ED3121MC12HXUMA1 编号：C17497486

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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型号：IR2108PBF 编号：C537548

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：DGD21814S14-13 编号：C460703

封装：SO-14

品牌：DIODES(美台)

DGD21814是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD21814的高端在自举操作中可切换至600V。DGD21814的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

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￥12.0904 ￥17.78
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型号：EG2126 编号：C480659

封装：SOP-28-300mil

品牌：EG(屹晶微)

EG2126是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了5V的LDO、一个运放、一个比较器、逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，更适合用于全桥拓扑电路。 EG2126高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽2.8V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+2.0A/-2.0A，采用SOP28L封装。

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型号：L6571BD 编号：C1549378

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

带振荡器的高压半桥驱动器

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型号：ISL2111ABZ-T 编号：C695277

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器，但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A，这显著降低了开关功率损耗，并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器

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型号：FAN73933MX 编号：C606094

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

FAN73933 是一款具有关断和可编程死区控制功能的半桥栅极驱动 IC，可驱动工作电压高达 +600 V 的高速 MOSFET 和隔离栅极桥晶体管 (IGBT)。它具有缓冲输出级，且所有 NMOS 晶体管设计为具有高脉冲电流驱动能力和最低交叉传导。

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￥14.01
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型号：2ED2183S06FXUMA1 编号：C1850284

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪性，能够在VS引脚负电压高达-11 VDC（VCC = 15V）的瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁定。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达650V的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT。

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￥15.27
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型号：L6390D 编号：C2965457

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

L6390是一款采用BCD“离线”技术制造的全功能高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端（浮动）部分能够在高达600 V的电压轨下工作

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型号：HIP2103FRTAAZ 编号：C1549569

封装：TDFN-8-EP(3x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是高频率MOSFET驱动器，优化用于在同步降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET，有HI/LI输入或单PWM输入。由单个低压电源（5V）偏置，可减少在高MOSFET栅极电容和高开关频率应用中的驱动器开关损耗，能够以小于15ns的上升/下降时间驱动3nF负载。上栅极驱动器采用内部低正向压降二极管实现自举，降低实施成本和复杂性，允许使用更高性能、更具成本效益的N沟道MOSFET。HIP2106A集成了自适应直通保护，防止两个MOSFET同时导通

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￥15.23

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型号：IRS2184SPBF 编号：C1549306

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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￥16.75
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￥16.1

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型号：UCC27211DPRT 编号：C2866951

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 10-WSON -40 to 140

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￥17.29
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￥14.25

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型号：DRV8340HPHPRQ1 编号：C2150486

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8340-Q1 汽车类 12V 至 24V 三相智能栅极驱动器

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￥17.54

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型号：UCC27201ADPRR 编号：C2864194

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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