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高压高端和低端驱动器

型号：L6395DTR 编号：C2676993

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

L6395是一款采用BCD“离线”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片高低侧栅极驱动器。高侧（浮动）部分设计为可承受高达600 V的电压轨

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1+
￥15.85
10+
￥13.53
30+
￥12.07

有货

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自振荡半桥驱动器

型号：IR2153SPBF 编号：C537596

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2153D(S) 是广受欢迎的 IR2155 和 IR2151 栅极驱动集成电路的改进版本，集成了一个高压半桥栅极驱动器，其前端振荡器类似于行业标准的 CMOS 555 定时器。与早期的集成电路相比，IR2153 功能更丰富，使用更便捷。CT 引脚被设计有关断功能，因此可以使用低压控制信号禁用两个栅极驱动器输出

数据手册

1+
￥16.23
10+
￥13.65
30+
￥12.04

有货

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高端和低端驱动器

型号：IR2106PBF 编号：C537545

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2106(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

数据手册

1+
￥16.42
10+
￥16.01
50+
￥15.74

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600V三相栅极驱动IC，具备过流保护、使能和故障功能

型号：IR21364STRPBF 编号：C537592

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道，适用于三相应用。专有HVIC技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。电流跳闸功能可通过外部电流检测电阻终止所有六个输出。具有使能功能，可同时终止所有六个输出。提供开漏FAULT信号，指示过流或欠压关断。过流故障条件在通过连接到RCIN输入的RC网络外部编程的延迟后自动清除。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉导通。传播延迟匹配，便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

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1+
￥17.33
10+
￥16.88
30+
￥16.59

有货

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具有8V UVLO、互锁和使能功能的120V、3.7A/4.5A半桥驱动器

型号：UCC27301ADRCR 编号：C41498904

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个N沟道MOSFET而设计，绝对最大自举电压为120V。凭借3.7A的峰值拉电流和4.5A的峰值灌电流能力，可在驱动大功率MOSFET的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。输入与电源电压无关，并且能够承受 -10V和 +20V的绝对最大额定值

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1+
￥17.37
10+
￥16.94
30+
￥16.66

有货

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UCC27211AQDRQ1

型号：UCC27211AQDRQ1 编号：C41699701

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

驱动器相比其他产品具有显著的性能提升。峰值输出上拉和下拉电流已提高至3.7A拉电流和4.5A灌电流，因此可在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构可直接处理 -10VDC电压，这提高了器件的稳健性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器直接连接。此外，输入还独立于电源电压，且具有20V的最大额定值

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1+
￥17.42
10+
￥16.99
30+
￥16.7

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120 V自举、3 A峰值、高频、高端和低端驱动器

型号：UCC27200D 编号：C181386

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720x系列高频N沟道MOSFET驱动器内置一个120V自举二极管，以及具有独立输入的高端和低端驱动器，可实现最大的控制灵活性。这使得它能够在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中对N沟道MOSFET进行控制。低端和高端栅极驱动器可独立控制，且导通和关断时间匹配精度达1ns

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1+
￥18.25
10+
￥15.55
30+
￥13.95

有货

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用于驱动高端和低端N沟道MOSFET的高压栅极驱动器

型号：LM5101BMAX/NOPB 编号：C2677266

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5101B 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 2A、100V 半桥栅极驱动器

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1+
￥18.32
10+
￥17.86
30+
￥17.56

有货

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BRD1165C-TL

型号：BRD1165C-TL 编号：C566746

封装：INSOP

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

数据手册

1+
￥18.86
10+
￥18.39
30+
￥18.08

有货

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集成自举二极管的160V、4A/8A半桥SOI栅极驱动器

型号：2ED2748S01GXTMA1 编号：C6404744

封装：VSON-10(3x3)

品牌：Infineon(英飞凌)

基于SOI技术、耐压160 V的栅极驱动器，专为半桥无刷直流（BLDC）电机驱动应用而设计。集成自举二极管用于为外部高端自举电容供电。保护功能包括Vcc和VB引脚的欠压锁定

1+
￥18.87
10+
￥16.1
30+
￥14.36
100+
￥12.59

有货

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高压高端和低端驱动器

型号：L6398DTR 编号：C2676941

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

L6398是一款采用BCD“离线”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端（浮动）部分设计用于承受高达600 V的电压轨

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1+
￥18.91
10+
￥18.47
30+
￥18.18

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120V升压、4A峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

型号：UCC27210DRMR 编号：C2677330

封装：VSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-VSON -40 to 140

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1+
￥19.03
10+
￥18.56
30+
￥18.25

有货

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同步降压NexFET智能功率级

型号：CSD95485RWJ 编号：C3717236

封装：VQFN-41-CLIP(5x6)

品牌：TI(德州仪器)

CSD95485RWJ 采用业界通用封装的 75A NexFET™ 同步降压智能功率级

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1+
￥23.37
10+
￥22.83
30+
￥22.46

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工业标准驱动替换 25-ns 最大上升/下降时间和 40-ns 最大传播延迟 2-A 峰值输出电流

型号：TPS2813PWR 编号：C2677031

封装：TSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

TPS2813 具有一个反相驱动器、一个同相驱动器和内部稳压器的 2A/2A 双路栅极驱动器

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1+
￥23.92
10+
￥21.14
30+
￥19.71

有货

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具有自适应延迟的高压半桥栅极驱动器

型号：SM74104SDX/NOPB 编号：C2677238

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

SM74104 具有 8V UVLO 和自适应延迟的 1.8A、100V 半桥栅极驱动器

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1+
￥24.02
10+
￥23.41
30+
￥23

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100V自举、4A峰值、单PWM输入且具备自适应死区时间控制的半桥驱动器

型号：ISL78444AVEZ-T7A 编号：C2677024

封装：HTSSOP-14-EP

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL78424、ISL78434和ISL78444是汽车级（AEC - Q100 1级）高压、高频半桥NMOS FET驱动器，用于驱动最高70V的半桥拓扑的栅极。该系列半桥驱动器具有3A源极、4A灌极的峰值栅极驱动电流。ISL78424和ISL78444具有单个三电平PWM输入，用于控制两个栅极驱动器

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1+
￥24.45
10+
￥23.85
30+
￥23.45

有货

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先进的IGBT/MOSFET驱动器

型号：TD352IDT 编号：C155594

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

先进的IGBT/MOSFET驱动器

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1+
￥25.23
10+
￥21.73
30+
￥19.65

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汽车类多通道智能半桥栅极驱动器，具有宽共模内嵌式电流检测放大器

型号：DRV8714HQRHARQ1 编号：C3655398

封装：VQFN-40(6x6)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8714-Q1 具有直列式电流检测放大器的汽车类 40V、4 通道半桥智能栅极驱动器

数据手册

1+
￥25.35
10+
￥24.7
30+
￥24.27

有货

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具备过流保护（OCP）、使能（EN）、故障指示功能及集成自举二极管（BSD）的200 V和600 V三相栅极驱动器

型号：6EDL04N02PRXUMA1 编号：C2676965

封装：TSSOP-28

品牌：Infineon(英飞凌)

6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构

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1+
￥26.18
10+
￥22.25
30+
￥19.92

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具有集成电流检测的四路半桥驱动器

型号：DRV8932PRGER 编号：C2876703

封装：VQFN-24-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8932 具有电流检测功能的 35V、1A 四通道独立半桥驱动器

数据手册

1+
￥26.33
10+
￥25.68
30+
￥25.24

有货

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驱动高低侧N沟道MOSFET的高压栅极驱动器

型号：LM5102MM/NOPB 编号：C2676954

封装：VSSOP-10-0.5mm

品牌：TI(德州仪器)

LM5102 具有 8V UVLO 和可编程延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥27.02
10+
￥26.37
30+
￥25.94

有货

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120V升压3A峰值电流的高频高侧和低侧驱动器

型号：UCC27201ADRMR 编号：C2876552

封装：VSON-8(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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1+
￥27.61
10+
￥23.54
30+
￥21.11

有货

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120V 3A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

型号：UCC27201AQDMKRQ1 编号：C2861728

封装：VSON-10(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和负电压处理能力的汽车类 3A、120V 半桥栅极驱动器 10-VSON -40 to 125

数据手册

1+
￥29.57
10+
￥28.81
30+
￥28.31

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100V、3A/4A 峰值、高频半桥驱动器

型号：ISL2111ABZ 编号：C1524111

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器，但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A，这显著降低了开关功率损耗，并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器

1+
￥31.4
10+
￥30.73
30+
￥30.27

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高电压同步 N 沟道 MOSFET 驱动器

型号：LTC4444IMS8E#TRPBF 编号：C688583

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

数据手册

1+
￥32.28
10+
￥31.53
30+
￥31.03

有货

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集成式LLC控制器、高压功率MOSFET和驱动器

型号：LCS702HG 编号：C568300

封装：SIP-13

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

HiperLCS™ 是一款集成式 LLC 功率级产品，在半桥配置中集成了多功能控制器、高端和低端栅极驱动器以及两个功率 MOSFET。可变频率控制器通过在零电压（ZVS）条件下切换功率 MOSFET 来实现高效率，消除了开关损耗。

数据手册

1+
￥37.28
10+
￥32.29
30+
￥29.25

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汽车H桥驱动器，集成电流检测和诊断功能

型号：DRV8244SQDGQRQ1 编号：C6225657

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8244-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、21A H 桥驱动器

1+
￥40.22
10+
￥39.19
30+
￥38.5

有货

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80V半桥栅极驱动器

型号：LM25101ASD-1/NOPB 编号：C2677006

封装：WSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM25101 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、2A 或 1A 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥43.94
10+
￥37.85
30+
￥34.14

有货

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集成电流检测与诊断功能的汽车用H桥驱动器

型号：DRV8245PQPWPRQ1 编号：C5355901

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8245-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、32A H 桥驱动器

数据手册

1+
￥44.67
10+
￥43.62
30+
￥42.92

有货

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600 V半桥增强模式氮化镓高电子迁移率晶体管与高压驱动器

型号：MASTERGAN4LTR 编号：C22071978

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

一款先进的功率系统级封装产品，集成了半桥配置的栅极驱动器和两个增强型 GaN 晶体管。集成的功率 GaN 分别具有 225 mΩ 的导通电阻和 650 V 的漏源阻断电压，嵌入式栅极驱动器的高端可通过集成自举二极管轻松供电。具备 VCC 欠压锁定 (UVLO) 保护功能，防止功率开关在低效率或危险条件下运行，联锁功能避免交叉导通。输入引脚扩展范围允许轻松与模拟控制器、微控制器和 DSP 单元接口。工作在 -40℃ 至 125℃ 的工业温度范围。采用紧凑的 9×9 mm QFN 封装。

1+
￥50.96
10+
￥49.83
30+
￥49.08

有货

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