半桥电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：MP18851-A4BGLU-Z 编号：C20099536

封装：LGA-13(5x5)

品牌：MPS(芯源)

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￥22.1007
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￥19.3945
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￥17.5987

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型号：2EDF7175FXUMA2 编号：C1869517

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

双通道隔离EiceDRIVER产品系列设计用于高性能功率转换应用。强大的4 A/8 A源/灌双通道栅极驱动器可提高CoolMOS、CoolSiC和OptiMOS MOSFET半桥的效率。37 ns的低传播延迟，结合高度精确和稳定的定时、过温保护和生产工艺，可在电气隔离功率级内和跨功率级或在多相/多级拓扑中进一步提高效率。不同封装的功能和增强型隔离驱动器使其非常适合初级侧和（安全）次级侧控制。栅极驱动器输出具有5 A的高反向电流能力和150 V/ns的CMTI抗扰度，适用于高dv/dt功率环路。对于较慢的开关或驱动较小的MOSFET，也提供1 A/2 A峰值电流的产品变体。

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型号：IR21363STRPBF 编号：C537591

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高端和低端参考输出通道，适用于三相应用。专有HVIC技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。电流跳闸功能可从外部电流检测电阻得出，用于终止所有六个输出。使能功能可同时终止所有六个输出。提供漏极开路FAULT信号，指示过流或欠压关断已发生。过流故障条件在通过连接到RCIN输入的RC网络进行外部编程的延迟后自动清除。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉导通。传播延迟匹配，便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：IR2184SPBF 编号：C537610

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：6EDL04N02PRXUMA1 编号：C2676965

封装：TSSOP-28

品牌：Infineon(英飞凌)

6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构

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型号：NCP303150MNTWG 编号：C892344

封装：PQFN-39(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

集成式驱动器和 MOSFET，带集成式电流监控器

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型号：MP18851-A4BGY-Z 编号：C20099539

封装：SOIC-16

品牌：MPS(芯源)

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型号：MPQ1922GV-AEC1-Z 编号：C5799716

封装：QFN-22(4x5)

品牌：MPS(芯源)

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型号：LTC7060HMSE#PBF 编号：C690112

封装：MSOP-12-EP-0.65mm

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7060 以半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET

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型号：LCS700LG 编号：C568297

封装：SIP-13

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

HiperLCS™ 是一款集成式 LLC 功率级产品，在半桥配置中集成了多功能控制器、高端和低端栅极驱动器以及两个功率 MOSFET。可变频率控制器通过在零电压（ZVS）条件下切换功率 MOSFET 来实现高效率，消除了开关损耗。

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型号：2ED1324S12PXUMA1 编号：C20189643

封装：DSO-20

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED132x系列器件可控制IGBT或SiC MOSFET功率器件，在半桥配置中，其最大阻断电压为+1200 V。该器件对瞬态电压具有出色的耐受性，内部不存在寄生晶闸管结构。因此，在整个工作温度和电压范围内，该设计对寄生闩锁效应具有很强的抵抗力

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型号：MIC4102YM-TR 编号：C628004

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款高频100V半桥MOSFET驱动IC，具有内部抗直通保护功能。低侧和高侧栅极驱动器由一个输入信号控制。采用自适应抗直通电路，优化开关转换以实现最高效率。单输入控制降低了系统复杂性，简化了整体设计。还具有低侧驱动禁用引脚，可在非同步降压模式下工作，能在存在偏置电压的应用中启动而不会拉低输出电压。低侧和高侧电源的欠压保护会使输出为低电平。片上自举二极管消除了其他驱动IC所需的分立二极管。采用SOIC-8L封装，结工作范围为-40℃至 + 125℃。

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型号：HIP2101IBZ 编号：C1549446

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2101是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它与HIP2100相当，额外优势是具备完全兼容TTL/CMOS的逻辑输入引脚。低端和高端栅极驱动器可独立控制，匹配时间为13ns

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型号：LCS700HG 编号：C568296

封装：SIP-13

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

HiperLCS™ 是一款集成式 LLC 功率级产品，在半桥配置中集成了多功能控制器、高端和低端栅极驱动器以及两个功率 MOSFET。可变频率控制器通过在零电压（ZVS）条件下切换功率 MOSFET 来实现高效率，消除了开关损耗。

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型号：TLE9180D21QKXUMA1 编号：C1854987

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE9180D - 21QK和TLE9180D - 31QK是先进的栅极驱动IC，专门用于控制6个外部N沟道MOSFET，这些MOSFET构成一个逆变器，适用于汽车领域的大电流三相电机驱动应用。先进的高压技术使这些IC能够支持单电池和混合电池系统的应用，电池电压涵盖12 V、24 V和48 V。与桥路、电机和电源相关的引脚能够承受高达90 V的电压

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型号：MP86952GMJ-Z 编号：C7231751

封装：LGA-41(5x6)

品牌：MPS(芯源)

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型号：PWD13F60 编号：C2969893

封装：VQFN-28-Power

品牌：ST(意法半导体)

高密度功率驱动器 - 高压全桥与集成式栅极驱动器

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型号：DRV3256PEPAPRQ1 编号：C6935137

封装：HTQFP-64(10x10)

品牌：TI(德州仪器)

DRV3256-Q1 栅极驱动峰值灌电流为 2.5A 的集成式三相 48V 汽车栅极驱动器单元 (GDU)

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型号：IRS21867STR(UMW) 编号：C20623204

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

IRS21867S是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容，低至3.3V

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型号：LM2103DR 编号：C22428474

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

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型号：GR8853AJG 编号：C436826

封装：DIP-8

品牌：Grenergy(南京绿芯)

GR8853A是一款高压、高速、自振荡功率MOSFET和IGBT驱动器，具备高端和低端参考输出通道。其采用专有HVIC和抗闩锁CMOS技术，实现了坚固耐用的单片式结构。前端配备一个可编程振荡器，类似于555定时器

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型号：TF2103-3AS 编号：C6387921

封装：PDIP-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V,单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：IRS2302SPBF 编号：C538315

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

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型号：IRS2001STRPBF 编号：C495819

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2001是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容，低至3.3V

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￥7.16
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￥6.99
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￥6.88

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型号：IRS2005SPBF 编号：C1549355

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达200V。传播延迟匹配，简化了HVIC在高频应用中的使用。

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￥7.89
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￥6.55
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￥5.81

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型号：INS2003FQ 编号：C49215222

封装：QFN-12(3x3)

品牌：Innoscience(英诺赛科)

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￥8.54
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￥7.1
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￥6.31
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￥5.41

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型号：DRV8106HQRHBRQ1 编号：C3655393

封装：VQFN-32(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8106-Q1 具有离线诊断功能和直列式电流检测放大器的汽车类 40V 半桥智能栅极驱动器。

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￥8.98
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￥8.77
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￥8.63

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型号：IRS2308SPBF 编号：C538319

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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