半桥电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：UCC27211DPRT 编号：C2866951

封装：WSON-10-EP(4x4)

具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 10-WSON -40 to 140

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型号：DRV8340HPHPRQ1 编号：C2150486

封装：HTQFP-48(7x7)

DRV8340-Q1 汽车类 12V 至 24V 三相智能栅极驱动器

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型号：UCC27201ADPRR 编号：C2864194

封装：WSON-10-EP(4x4)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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型号：UCC27282QDDARQ1 编号：C3655041

封装：SOIC-8

UCC27282-Q1 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，UCC27282-Q1 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET 。

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型号：MPQ6626GF-AEC1-Z 编号：C5776047

封装：TSSOP-28-EP

MPQ6626 是一款 6 通道半桥 DMOS 输出驱动器，集成了功率 MOSFET。输入电压范围为 5.5V 至 40V，输出电流能力高达 0.8A。MPQ6626 的六个半桥可通过标准串行数据接口单独控制，并具备多种诊断功能。该器件在待机模式下的静态电流极低。全面保护功能包括短路保护（SCP）、欠压保护（UVP）和热关断。MPQ6626 仅需少量易于获取的标准外部元件。它采用 TSSOP - 28 EP 封装。

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型号：MP1923GRE-Z 编号：C5775673

封装：QFN-10(4x4)

MP1923是一款高频N沟道MOSFET半桥栅极驱动器。该器件的低端MOSFET（LS - FET）和高端MOSFET（HS - FET）驱动通道可独立控制，且延时匹配在5ns以内。在供电不足的情况下，器件的高端MOSFET和低端MOSFET欠压锁定（UVLO）保护会强制输出为低电平

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型号：TLE94112ESXUMA1 编号：C3655680

封装：TSDSO-24

TLE94112ES是一款带保护功能的12通道半桥驱动器，专为汽车运动控制应用而设计，如加热、通风和空调（HVAC）风门直流电机控制。它是一个更大产品系列的一部分，该系列提供从3路输出到12路输出的半桥驱动器，具备直接接口或SPI接口。半桥驱动器可用于顺序或并行驱动直流电机负载。正转（顺时针）、反转（逆时针）、制动和高阻抗等运行模式可通过16位SPI接口进行控制。它具备短路、开路负载、电源故障和过温检测等诊断功能。结合其低静态电流特性，该器件在汽车应用领域颇具吸引力。小型细间距外露焊盘封装PG - TSDSO - 24具有良好的散热性能，可减少PCB板空间和成本。

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型号：DRV8340SPHPRQ1 编号：C2150485

封装：HTQFP-48(7x7)

DRV8340-Q1 汽车类 12V 至 24V 三相智能栅极驱动器

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型号：MP86950GLVT-Z 编号：C6097231

封装：TLGA-27(4x5)

MP86950 是一款单片半桥芯片，内置功率 MOSFET 和栅极驱动器。MP86950 在 4.5V 至 16V 的宽输入电源范围内可实现 50A 的连续输出电流。MP86950 是一款单片集成电路，每相可驱动高达 50A 的电流。集成的 MOSFET 和驱动器通过优化死区时间和降低寄生电感实现了高效率。MP86950 的工作频率范围为 100kHz 至 2MHz。MP86950 具备诸多特性，可简化系统设计。MP86950 与三态脉冲宽度调制（PWM）信号控制器兼容，拥有 Accu - SenseTM 电流检测功能以监测电感电流，还具备温度检测功能以报告结温。MP86950 非常适合对高效率和小尺寸要求严苛的服务器应用。MP86950 采用小型 TLGA - 27（4mmx5mm）封装。

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￥24.1679
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型号：ISL78420AVEZ 编号：C1549366

封装：HTSSOP-14-EP

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL78420是一款具备三电平PWM输入的100V、2A高频半桥NMOS FET驱动器。其工作电源范围为8V至14V，并集成了高端自举偏置，支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。该驱动器设计用于与ISL78220和ISL78225“多相交错式升压PWM控制器”以及ISL78226“六相12V/48V双向同步PWM控制器”配合使用

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型号：LM25101AMX/NOPB 编号：C575561

封装：SOIC-8

LM25101 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、2A 或 1A 半桥栅极驱动器

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型号：NCP303150MNTWG 编号：C892344

封装：PQFN-39(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

集成式驱动器和 MOSFET，带集成式电流监控器

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型号：AUIRS2191STR 编号：C533514

封装：SOIC-16

AUIRS2191S是一款高功率、高电压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道，专为汽车AC/DC和DC/DC转换器应用而设计。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可低至3.3V逻辑电平。

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￥27.8388 ￥37.62
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型号：DRV8955PRGER 编号：C3654929

封装：VQFN-24(4x4)

DRV8955 具有电流检测功能的 50V、2.5A 四路半桥驱动器

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型号：LTC7061EMSE#PBF 编号：C3717111

封装：MSOP-12-EP

品牌：ADI(亚德诺)

驱动两个半桥配置的N沟道MOSFET，电源电压高达100V。高端和低端驱动器都可以使用不同的接地参考来驱动MOSFET，具有出色的抗噪声和瞬态能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容高压MOSFET。还具有欠压锁定、TTL/CMOS兼容输入、可调开启/关闭延迟和直通保护等功能。

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￥33
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型号：LTC7060HMSE#PBF 编号：C690112

封装：MSOP-12-EP-0.65mm

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7060 以半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET

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型号：DRV8244HQDGQRQ1 编号：C6183904

封装：HTSSOP-28

DRV8244-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、21A H 桥驱动器

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型号：IR2130SPBF 编号：C537572

封装：SOIC-28-300mil

是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有三个独立的高低侧参考输出通道。专有的 HVIC 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容CMOS 或 LSTTL 输出，逻辑电压低至 2.5V。接地参考运算放大器通过外部电流检测电阻提供桥电流的模拟反馈。该电阻还具有电流跳闸功能，可终止所有六个输出。开漏故障信号指示是否发生过流或欠压关断。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度地降低驱动器交叉传导。

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￥38.07
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型号：L99MH98-TR 编号：C37964754

封装：VFQFPN-48L-EP(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

是一款集成式八通道半桥预驱动器，可控制多达16个N沟道MOSFET。用于直流电机控制应用，如汽车电动座椅控制等。使用24位串行外设接口（SPI）配置和控制八个半桥或四个H桥。SPI状态寄存器提供高级诊断信息，如电源电压监控、电荷泵电压监控、温度警告和过温关断

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￥42.43
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￥41.49
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￥40.86

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型号：MP86952GMJ-Z 编号：C7231751

封装：LGA-41(5x6)

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￥43.748
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￥39.4534
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型号：MAX15019BASA+ 编号：C1549287

封装：SOIC-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

125V/3A、高速、半桥MOSFET驱动器、增强散热型、8引脚SO封装，能够在+70°C环境温度下耗散1.9W功率

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￥43.68
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￥42.95

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型号：IR2233JTRPBF 编号：C537616

封装：PLCC-32(16.6x16.6)

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￥46.03
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￥39.58
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￥35.66

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型号：MP86905GR-Z 编号：C3655435

封装：QFN-23(4x4)

MP86905 是一款单片半桥芯片，内置功率 MOSFET 和栅极驱动器。MP86905 在较宽的输入电源范围内可实现 50A 的连续输出电流。MP86905 采用单片 IC 方案，每相可驱动高达 50A 的电流。驱动器和 MOSFET 的集成通过优化死区时间和降低寄生电感，实现了高效率。MP86905 的工作频率范围为 100kHz 至 2MHz。MP86905 具备诸多特性，可简化系统设计。MP86905 可与具有三态 PWM 信号的控制器配合使用，并配备精确的电流检测功能以监测电感电流，以及温度检测功能以报告结温。MP86905 非常适合对效率和尺寸要求较高的服务器应用。MP86905 采用小型 FC - QFN（4mmx4mm）封装。

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￥50.5477
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￥44.507
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￥41.7818

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型号：DRV3233QPHPRQ1 编号：C48385505

封装：HTQFP-48

是一款集成式智能栅极驱动器，适用于12V和24V汽车类三相BLDC应用。此器件具有三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧N沟道功率MOSFET。使用集成式自举二极管和GVDD电荷泵生成合适的栅极驱动电压。此智能栅极驱动架构支持0.8mA至1A（拉电流）和2A（灌电流）的可配置峰值栅极驱动电流

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型号：ISL2110ABZ 编号：C1549676

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器，但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A，这显著降低了开关功率损耗，并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器

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￥63.3
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￥54.52
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￥49.17

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型号：DRV3245AQPHPRQ1 编号：C2150736

封装：HTQFP-48(7x7)