半桥电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

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型号：2EDL5013U2DXTMA1 编号：C23120499

封装：TSNP-12

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型号：UCC27282QDRCTQ1 编号：C1518702

封装：VSON-10-EP(3x3)

具有 5V UVLO、互锁功能和使能功能的汽车类 3A、120V 半桥驱动器 10-VSON -40 to 125

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型号：UCC27302AQDRCRQ1 编号：C50092305

封装：VSON-10(3x3)

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型号：UCC27211AQDRQ1 编号：C41699701

封装：SOIC-8

驱动器相比其他产品具有显著的性能提升。峰值输出上拉和下拉电流已提高至3.7A拉电流和4.5A灌电流，因此可在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构可直接处理 -10VDC电压，这提高了器件的稳健性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器直接连接。此外，输入还独立于电源电压，且具有20V的最大额定值

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型号：MP1924AHS-LF-Z 编号：C5675613

封装：SOIC-8

品牌：MPS(芯源)

MP1924A是一款高频半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道独立控制，且延时匹配小于5ns。高端和低端电源均具备欠压锁定（UVLO）功能，在电源不足时会强制输出为低电平

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型号：STDRIVEG610QTR 编号：C43079849

封装：QFN-18(4x5)

是用于N沟道增强型氮化镓（GaN）的高压半桥栅极驱动器。高端驱动器部分设计用于承受高达600V的电压轨，并可通过集成的自举二极管轻松供电。高电流能力、短传播延迟以及出色的延迟匹配和集成LDO，使该驱动器针对高速氮化镓驱动进行了优化。具有针对快速启动和低功耗软开关应用量身定制的电源欠压锁定（UVLO）功能，同时完全支持硬开关并具有互锁功能，以避免交叉导通

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型号：LM5105SDX/NOPB 编号：C2677073

封装：WSON-10-EP(4x4)

LM5105 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.8、1.6A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：HIP2210FRTZ 编号：C20350729

封装：TDFN-10(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2210和HIP2211是100V、源电流3A、灌电流4A的高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211具有标准的HI/LI输入，且引脚与瑞萨（Renesas）的热门桥接驱动器（如HIP2101和ISL2111）兼容。HIP2210具有带可编程死区时间的三电平PWM输入

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型号：UCC27201ADPRR 编号：C2864194

封装：WSON-10-EP(4x4)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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型号：UCC27282QDDARQ1 编号：C3655041

封装：SOIC-8

UCC27282-Q1 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，UCC27282-Q1 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET 。

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型号：1ED3120MC12HXUMA1 编号：C5311646

封装：DSO-8

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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型号：MPQ6626GF-AEC1-Z 编号：C5776047

封装：TSSOP-28-EP

品牌：MPS(芯源)

MPQ6626 是一款 6 通道半桥 DMOS 输出驱动器，集成了功率 MOSFET。输入电压范围为 5.5V 至 40V，输出电流能力高达 0.8A。MPQ6626 的六个半桥可通过标准串行数据接口单独控制，并具备多种诊断功能。该器件在待机模式下的静态电流极低。全面保护功能包括短路保护（SCP）、欠压保护（UVP）和热关断。MPQ6626 仅需少量易于获取的标准外部元件。它采用 TSSOP - 28 EP 封装。

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型号：STDRIVE601 编号：C2961092

封装：SO-28-300mil

三半桥高压栅极驱动器

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型号：IR2132STRPBF 编号：C537580

封装：SOIC-28-300mil

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型号：UCC27284QDRQ1 编号：C3654891

封装：SOIC-8

是一款功能强大的N沟道MOSFET驱动器，最大开关节点(HS)额定电压为100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个N沟道MOSFET。由于具有3A的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在MOSFET米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此与模拟控制器和数字控制器均可结合使用

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型号：DRV8340SPHPRQ1 编号：C2150485

封装：HTQFP-48(7x7)

DRV8340-Q1 汽车类 12V 至 24V 三相智能栅极驱动器

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型号：AUIRS2191STR 编号：C533514

封装：SOIC-16

AUIRS2191S是一款高功率、高电压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道，专为汽车AC/DC和DC/DC转换器应用而设计。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可低至3.3V逻辑电平。

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￥24.453 ￥37.62
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型号：LM25101AMX/NOPB 编号：C575561

封装：SOIC-8

LM25101 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、2A 或 1A 半桥栅极驱动器

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￥25.36
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型号：LTC7063RMSE#PBF 编号：C20047755

封装：MSOP-12-EP

品牌：ADI(亚德诺)

驱动两个半桥配置的N沟道MOSFET，电源电压高达140V。高端和低端驱动器都可以用不同的接地参考驱动MOSFET，具有出色的抗噪声和抗瞬态能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容高压MOSFET。其他功能包括欠压锁定、三态PWM输入、可调开启/关闭延迟和直通保护。

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型号：LM5101AMRX/NOPB 编号：C2677212

封装：SO-8

LM5101A 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器

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￥27.08
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￥24.2

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型号：MP86933GQT-Z 编号：C3655164

封装：TQFN-13(3x3)

品牌：MPS(芯源)

MP86933 是一款单片半桥驱动器，内置功率 MOSFET 和栅极驱动器。MP86933 在较宽的输入电源范围内可实现 12A 的连续输出电流，工作频率范围为 100kHz 至 2MHz。驱动器和 MOSFET 的集成通过优化死区时间和降低寄生电感实现了高效率。MP86933 可与三态输出控制器配合使用，并具备通用电流检测和温度检测功能。MP86933 非常适合对效率和尺寸要求较高的服务器和电信应用。MP86933 采用小型 FC-TQFN-13（3mmx3mm）封装。

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￥32.77
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型号：DRV8955PRGER 编号：C3654929

封装：VQFN-24(4x4)

DRV8955 具有电流检测功能的 50V、2.5A 四路半桥驱动器

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￥33.06
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型号：IRSM005-301MH 编号：C538363

封装：PQFN-27

IRSM005 - 301MH是一款通用半桥器件，集成了栅极驱动器，采用极具吸引力的7x8mm PQFN封装。它是一个通用构建模块，适用于各种对功率密度至关重要的低压应用。典型示例包括先进的电机驱动器、直流 - 交流和直流 - 直流转换器

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￥34.76
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型号：TD310IDT 编号：C501103

封装：SO-16

带电流感应的三IGBT/MOS驱动器

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型号：NCP51560ABDWR2G 编号：C5206714

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

是隔离双通道栅极驱动器，源极和漏极峰值电流分别为4.5 A和9 A。专为快速开关以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关而设计，具有短且匹配的传播延迟。输入到每个输出之间有两个独立的5 kVrms内部电流隔离，两个输出驱动器之间有内部功能隔离，允许最高1500 VDC的工作电压。该驱动器可用于两个低端、两个高端开关或具有可编程死区时间的半桥驱动器的任何可能配置。ENA/DIS引脚在设置为低电平或高电平时分别用于启用或禁用模式，同时关闭两个输出。还提供其他重要保护功能，如两个栅极驱动器的独立欠压锁定和死区时间调整功能。

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￥30.06
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￥26.9

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型号：IR2130SPBF 编号：C537572

封装：SOIC-28-300mil

是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有三个独立的高低侧参考输出通道。专有的 HVIC 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容CMOS 或 LSTTL 输出，逻辑电压低至 2.5V。接地参考运算放大器通过外部电流检测电阻提供桥电流的模拟反馈。该电阻还具有电流跳闸功能，可终止所有六个输出。开漏故障信号指示是否发生过流或欠压关断。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度地降低驱动器交叉传导。

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￥42.33
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￥40.34

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型号：L99MH98-TR 编号：C37964754

封装：VFQFPN-48L-EP(7x7)