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高压高侧和低侧4 A栅极驱动器

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型号：UCC27712QDQ1 编号：C1549541

封装：SOIC-8

具有互锁功能的汽车类 1.8A/2.8A、620V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 140

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型号：FAN7382M1X 编号：C457737

封装：SOP-14

单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7382 可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输入逻辑电平兼容标准的 TTL 系列逻辑门极。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常分别会源/汲 350mA/650mA，适用于荧光灯镇流器、PDP 扫描驱动器、电机控制等。

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型号：MIC4605-1YMT-TR 编号：C621919

封装：TDFN-10-EP(2.5x2.5)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4605是一款85V半桥MOSFET驱动器，具备自适应死区时间和直通保护功能。自适应死区时间电路会主动监测半桥输出，以尽量缩短高端和低端MOSFET转换之间的时间，从而最大限度提高功率效率。直通保护电路可防止错误输入和噪声导致两个MOSFET同时导通

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型号：UCC27200DDAR 编号：C2677208

封装：SOIC-8-EP

具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 3A、120V 半桥栅极驱动器 8-SO PowerPAD -40 to 140

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型号：FAN7393AMX 编号：C890854

封装：SO-14

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型号：EG2126 编号：C480659

封装：SOP-28-300mil

品牌：EG(屹晶微)

EG2126是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了5V的LDO、一个运放、一个比较器、逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，更适合用于全桥拓扑电路。 EG2126高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽2.8V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+2.0A/-2.0A，采用SOP28L封装。

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型号：MP1921HQ-A-LF-Z 编号：C6910005

封装：QFN-8(3x3)

品牌：MPS(芯源)

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型号：L6571BD 编号：C1549378

封装：SOIC-8

带振荡器的高压半桥驱动器

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型号：ISL2111ABZ-T 编号：C695277

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器，但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A，这显著降低了开关功率损耗，并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器

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型号：FAN73933MX 编号：C606094

封装：SOP-14

FAN73933 是一款具有关断和可编程死区控制功能的半桥栅极驱动 IC，可驱动工作电压高达 +600 V 的高速 MOSFET 和隔离栅极桥晶体管 (IGBT)。它具有缓冲输出级，且所有 NMOS 晶体管设计为具有高脉冲电流驱动能力和最低交叉传导。

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型号：UCC27302ADDAR 编号：C49345244

封装：SO-PowerPAD-8

是一款坚固的栅极驱动器，设计用于在半桥或同步降压配置中驱动两个N沟道MOSFET，绝对最大自举电压为120V。其3.7A峰值源电流和4.5A峰值灌电流能力，使该驱动器能够驱动大功率MOSFET，并在通过米勒平台的过渡期间将开关损耗降至最低。开关节点（HS引脚）可以处理负瞬态电压，从而保护高端通道免受寄生电感和杂散电容引起的固有负电压的影响。输入与电源电压无关，能够承受-10V至+20V的绝对最大额定值

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型号：MCP14A0303T-E/SN 编号：C622963

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP14A0303/4/5 器件是高速双 MOSFET 驱动器，在单 4.5V 至 18V 电源供电下，能够提供高达 3A 的峰值电流。有三种输出配置可供选择：双反相（MCP14A0303）、双同相（MCP14A0304）和互补（MCP14A0305）。这些器件具有低直通电流、匹配的上升和下降时间以及短传播延迟的特点，非常适合高开关频率应用

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型号：NCV5703ADR2G 编号：C603971

封装：SOIC-8

是用于高功率应用的高电流、高性能独立 IGBT 驱动器。该器件通过消除外部输出缓冲器，提供了一种经济高效的解决方案。器件保护功能包括精确的欠压锁定 (UVLO)、去饱和保护 (DESAT) 和有源开漏故障输出。驱动器还具有精确的 5.0V 输出。驱动器设计用于适应宽电压范围的偏置电源，包括单极性和双极性电压。根据引脚配置，器件还包括有源米勒钳位、用于系统设计方便的单独高低 VOH 和 VOL 驱动器输出，以及用于通过外部信号控制驱动器输出的使能功能。

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型号：2ED2183S06FXUMA1 编号：C1850284

封装：DSO-8

是半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪性，能够在VS引脚负电压高达-11 VDC（VCC = 15V）的瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁定。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达650V的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT。

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型号：L6395DTR 编号：C2676993

封装：SO-8

L6395是一款采用BCD“离线”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片高低侧栅极驱动器。高侧（浮动）部分设计为可承受高达600 V的电压轨

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型号：IRS2184SPBF 编号：C1549306

封装：SOIC-8

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：IR21364STRPBF 编号：C537592

封装：SOIC-28-300mil

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道，适用于三相应用。专有HVIC技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。电流跳闸功能可通过外部电流检测电阻终止所有六个输出。具有使能功能，可同时终止所有六个输出。提供开漏FAULT信号，指示过流或欠压关断。过流故障条件在通过连接到RCIN输入的RC网络外部编程的延迟后自动清除。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉导通。传播延迟匹配，便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

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型号：UCC27211DPRT 编号：C2866951

封装：WSON-10-EP(4x4)

具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 10-WSON -40 to 140

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型号：IR2109PBF 编号：C537552

封装：PDIP-8

IR2109(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：IR2010SPBF 编号：C537537

封装：SOIC-16-300mil

IR2010是一款高功率、高电压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.0V逻辑。

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型号：L6388ED 编号：C1549313

封装：SO-8

带嵌入式自举二极管的HV高低侧驱动器

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型号：LM5101BMAX/NOPB 编号：C2677266

封装：SOIC-8

LM5101B 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 2A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：L6398DTR 编号：C2676941

封装：SO-8

L6398是一款采用BCD“离线”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端（浮动）部分设计用于承受高达600 V的电压轨

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型号：TLE92104232QXXUMA1 编号：C3655597

封装：VQFN-48