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2ED132x系列器件可控制IGBT或SiC MOSFET功率器件，在半桥配置中，其最大阻断电压为+1200 V。该器件对瞬态电压具有出色的耐受性，内部不存在寄生晶闸管结构。因此，在整个工作温度和电压范围内，该设计对寄生闩锁效应具有很强的抵抗力

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型号：LCS700LG 编号：C568297

封装：SIP-13

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

HiperLCS™ 是一款集成式 LLC 功率级产品，在半桥配置中集成了多功能控制器、高端和低端栅极驱动器以及两个功率 MOSFET。可变频率控制器通过在零电压（ZVS）条件下切换功率 MOSFET 来实现高效率，消除了开关损耗。

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型号：TLE9180D21QKXUMA1 编号：C1854987

封装：LQFP-64(10x10)

TLE9180D - 21QK和TLE9180D - 31QK是先进的栅极驱动IC，专门用于控制6个外部N沟道MOSFET，这些MOSFET构成一个逆变器，适用于汽车领域的大电流三相电机驱动应用。先进的高压技术使这些IC能够支持单电池和混合电池系统的应用，电池电压涵盖12 V、24 V和48 V。与桥路、电机和电源相关的引脚能够承受高达90 V的电压

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型号：LCS700HG 编号：C568296

封装：SIP-13

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

HiperLCS™ 是一款集成式 LLC 功率级产品，在半桥配置中集成了多功能控制器、高端和低端栅极驱动器以及两个功率 MOSFET。可变频率控制器通过在零电压（ZVS）条件下切换功率 MOSFET 来实现高效率，消除了开关损耗。

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型号：LCS708HG 编号：C568305

封装：SIP-13

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

是集成 LLC 功率级，采用多功能控制器、高端和低端栅极驱动器，以及半桥配置的两个功率 MOSFET。可变频率控制器通过在零电压 (ZVS) 下切换功率 MOSFET 来提供高效率，消除开关损耗。

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型号：TM2123-SOP8-TA2402C 编号：C51026294

封装：SOP-8

品牌：TM(天微)

TM2123 是一款具有VCC欠压保护和输入高低侧信号互锁功能的高压半桥驱动芯片，内置VCC欠压保护电路可防止功率管工作在过低的电压下，提高效率。同时内置输入高低侧信号互锁电路可防止功率管上下桥臂发生直通，有效保护高压功率器件。设计该芯片主要用于高压、高速驱动N型功率MOSFET。适用于电动自行车、马达驱动、电动工具等电机驱动类产品。本产品性能优良，质量可靠。

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型号：U3116C 编号：C20626025

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3115C/U3116C可在高达+350V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

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型号：ADP3120AJCPZ-RL 编号：C606336

封装：DFN-8-EP(3x3)

ADP3120A是一款单相12 V MOSFET栅极驱动器，专为驱动同步降压转换器中的高端和低端功率MOSFET的栅极而优化。高端和低端驱动器能够驱动3000 pF负载，传播延迟为45 ns，转换时间为25 ns。凭借较宽的工作电压范围，可对高端或低端MOSFET栅极驱动电压进行优化，以实现最佳效率

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型号：UCC27289DR 编号：C2870124

封装：SOIC-8

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET；在 DRC 封装中启用/禁用功能；禁用时消耗的电流很低 (7μA)；16ns 典型传播延迟；1800pF 负载时的上升时间为 12ns，下降时间典型值为 10ns；1ns 典型延迟匹配；集成式 100V 自举二极管；8V 典型欠压锁定；输入引脚上接受的绝对最大负电压 (–5V)；HS 引脚上接受的绝对最大负电压 (-14V)；±3A 峰值输出电流；绝对最大启动电压为 120V；输入相互独立且 VDD；两个通道的欠压锁定；额定结温范围为 –40°C 至 140°C。

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型号：IR2183STRPBF-JSM 编号：C17701720

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,SD功能,大电流,高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：FAN3268TMX 编号：C464150

封装：SOIC-8

FAN3268 双 2A 门极驱动器适用于在以最高 18 V 的电压轨运行的电机控制应用中驱动高压侧 P 沟道 MOSFET 和低压侧 N 沟道 MOSFET。该驱动器具有 TTL 输入阈值，提供从逻辑输入的缓冲和电平转换功能。内部电路提供欠电压锁闭功能，可在 VDD 电源电压低于运行水平时阻止输出开关设备运行。内部 100kΩ 电阻会将非反向输出低电平和反向输出偏置到 VDD，以便在启动间隔期间，逻辑控制信号不存在时保持外部 MOSFET 的关断状态。FAN3268 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。FAN3268 具有两个独立的启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。如果用于非反向沟道 A 的启用引脚拉低，OUTA 则强制为低电平；如果用于反向沟道 B 的启用引脚拉低，OUTB 则强制为高电平。如果一个输入保持未联接，内部电阻则会偏置多个输入，以便外部 MOSFET 为关断状态。

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型号：DRV8106HQRHBRQ1 编号：C3655393

封装：VQFN-32(5x5)

DRV8106-Q1 具有离线诊断功能和直列式电流检测放大器的汽车类 40V 半桥智能栅极驱动器。

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型号：2EDF7275K 编号：C2677063

封装：TFLGA-13

双通道隔离EiceDRIVER产品系列设计用于高性能功率转换应用。强大的4 A/8 A源/灌双通道栅极驱动器可提高CoolMOS、CoolSiC和OptiMOS MOSFET半桥的效率。37 ns的低传播延迟，结合高度精确和稳定的定时、过温保护和生产工艺，可在电气隔离功率级内和跨功率级或在多相/多级拓扑中进一步提高效率。不同封装的功能和增强型隔离驱动器使其非常适合初级侧和（安全）次级侧控制。栅极驱动器输出具有5 A的高反向电流能力和150 V/ns的CMTI抗扰度，适用于高dv/dt功率环路。对于较慢的开关或驱动较小的MOSFET，也提供1 A/2 A峰值电流的产品变体。

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型号：L6491D 编号：C155653

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

高压高侧和低侧4 A栅极驱动器

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型号：2ED21834S06JXUMA1 编号：C1850288

封装：SOIC-14

是半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪性，能够在VS引脚负电压高达-11 VDC（VCC = 15V）的瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁定。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达650V的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT。

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型号：DGD2181MS8-13 编号：C5711497

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2181M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2181M的高端在自举操作中可切换至600V。DGD2181M逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口

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型号：1ED3140MU12FXUMA1 编号：C17695126

封装：DSO-8

单通道栅极驱动IC，采用DSO-8 150 mil封装，用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。提供高达6.5 A的典型输出电流。输入逻辑引脚使用CMOS阈值电平，在3 V至6.5 V的宽输入电压范围内工作，以支持3.3 V微控制器。通过无芯变压器技术实现跨隔离屏障的数据传输。所有型号都具有输入和输出欠压锁定（UVLO）和主动关断功能。

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型号：TPS28226DRBR 编号：C2677171

封装：VSON-8-EP(3x3)

TPS28226 具有 8V UVLO、用于同步整流的 4A、27V 半桥栅极驱动器

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型号：FAN7393AMX 编号：C890854

封装：SO-14

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型号：UCC27284DRMR 编号：C7089352

封装：VSON-8(4x4)

是一款耐用的N沟道MOSFET驱动器，最大开关节点（HS）额定电压为100 V。它允许在半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个N沟道MOSFET。其3 A的峰值源电流和灌电流以及低上拉和下拉电阻，使得在MOSFET米勒平台过渡期间，能够以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET。由于输入独立于电源电压，可与模拟和数字控制器配合使用

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型号：IR21094SPBF 编号：C537551

封装：SOIC-14

IR2109(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：HIP2210FRTZ-T 编号：C3655656

封装：TDFN-10(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是100V、3A源极、4A漏极高频半桥NMOS FET驱动器。具有标准HI/LI输入，与流行的瑞萨桥驱动器引脚兼容。具有三电平PWM输入，可编程死区时间。宽6V至18V工作电源范围和集成的高端自举二极管，支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。具有强大的3A源极、4A漏极驱动器，典型传播延迟为15ns，典型延迟匹配为2ns，适用于高频开关应用。VDD和自举欠压锁定可防止欠压操作。

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型号：FAN8811TMPX 编号：C890862

封装：WDFN-10-EP(4x4)

是一款用于高压、高速驱动MOSFET的高端和低端栅极驱动IC，可驱动高达80V的MOSFET。该IC集成了驱动IC和自举二极管，驱动IC具有低延迟时间和匹配的PWM输入传播延迟，进一步提高了性能。高速双栅极驱动器设计用于在半桥或同步降压配置中驱动N沟道MOSFET的高端和低端。浮动高端驱动器能够在高达80V的电源电压下工作

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型号：UCC27302ADDAR 编号：C49345244

封装：SO-PowerPAD-8

是一款坚固的栅极驱动器，设计用于在半桥或同步降压配置中驱动两个N沟道MOSFET，绝对最大自举电压为120V。其3.7A峰值源电流和4.5A峰值灌电流能力，使该驱动器能够驱动大功率MOSFET，并在通过米勒平台的过渡期间将开关损耗降至最低。开关节点（HS引脚）可以处理负瞬态电压，从而保护高端通道免受寄生电感和杂散电容引起的固有负电压的影响。输入与电源电压无关，能够承受-10V至+20V的绝对最大额定值

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型号：L6494LDTR 编号：C2677273

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

高压高侧和低侧2 A栅极驱动器

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型号：IR21531SPBF 编号：C537595

封装：SOIC-8

是流行的IR2155和IR2151栅极驱动IC的改进版本，结合了高压半桥栅极驱动器和类似于行业标准CMOS 555定时器的前端振荡器。与以前的IC相比，提供了更多功能且更易于使用。在CT引脚上设计了关断功能，因此可以使用低电压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。此外，一旦VCC上的上升欠压锁定阈值达到，栅极驱动器输出脉冲宽度就相同，从而在启动时实现更稳定的频率与时间曲线。通过降低栅极驱动器的峰值di/dt并将欠压锁定迟滞增加到1V，显著提高了抗噪性。最后，特别注意最大化器件的抗闩锁能力，并在所有引脚上提供全面的ESD保护。

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型号：LM5105SD/NOPB 编号：C86253

封装：WSON-10-EP(4x4)