半桥电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

FAD6263是一款高压半桥栅极驱动IC，可提供2个互补输出，用于以半桥配置驱动功率MOSFET或IGBT。它采用自举技术，以确保正确驱动高端功率开关。该驱动器使用单输入工作

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型号：FAN7888MX 编号：C258167

封装：SOIC-20-300mil

FAN7888 是一款单片三相半桥门极驱动集成电路，适用于在最高 +200 V 下运行的高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输出驱动器通常会分别源/汲 250mA/500mA，适用于电机驱动系统中的三相半桥应用。

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型号：IR21084STRPBF 编号：C537547

封装：SOIC-14

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：FAN7191MX-F085 编号：C604977

封装：SOIC-8

FAN7191_F085 是一款单片高压和低压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得此器件适用于控制直喷驱动器，以及很多汽车 DC-DC 转换器和电机控制应用。

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型号：2EDL23I06PJXUMA1 编号：C2676931

封装：DSO-14

2EDL系列器件可在半桥配置中控制最大阻断电压为+600 V的MOS晶体管或IGBT等功率器件。该器件对瞬态电压具有出色的耐受能力，内部不存在寄生晶闸管结构。因此，在所有温度和电压条件下都不会出现寄生闩锁现象

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型号：DRV8328CRUYR 编号：C5218865

封装：WQFN-28(4x4)

DRV8328 60V 1000/2000mA 三相栅极驱动器

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型号：2ED2182S06FXUMA1 编号：C1850289

封装：DSO-8

2ED2182(4)S06F(J)是一款半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。该器件具有出色的耐用性和抗干扰能力，在VS引脚（VCC = 15 V）承受高达 -11 VDC 的负电压瞬态时，仍能维持逻辑操作。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象

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型号：UCC27301AQDRCRQ1 编号：C42295981

封装：VSON-10(3x3)

UCC27301A-Q1 是一款强大的栅极驱动器，专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个 N 沟道 MOSFET 而设计，绝对最大自举电压为 120V，凭借 3.7A 的峰值拉电流和 4.5A 的峰值灌电流能力，UCC27301A-Q1 可在驱动大功率 MOSFET 的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS 引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。

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型号：1ED3121MU12H 编号：C530922

封装：DSO-8

1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

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型号：HIP2100IBZT 编号：C2653813

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2101是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它与HIP2100相当，额外优势是具备完全兼容TTL/CMOS的逻辑输入引脚。低端和高端栅极驱动器可独立控制，匹配时间为13ns

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型号：MP1924AHR-LF-Z 编号：C3654838

封装：QFN-10(4x4)

品牌：MPS(芯源)

MP1924A是一款高频半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道独立控制，且延时匹配小于5ns。高端和低端电源均具备欠压锁定（UVLO）功能，在电源不足时会强制输出为低电平

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型号：DRV8340HPHPRQ1 编号：C2150486

封装：HTQFP-48(7x7)

DRV8340-Q1 汽车类 12V 至 24V 三相智能栅极驱动器

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型号：CSD95496QVMT 编号：C701756

封装：VSON-18-EP(4x5)

CSD95496QVM 采用 4x5 SON 小型封装的 40A 同步降压 NexFET 智能功率级

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型号：LM5101ASD/NOPB 编号：C181591

封装：WSON-10-EP(4x4)

LM5101A 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：MP86920GLV-Z 编号：C6675180

封装：LGA-27(4x5)

品牌：MPS(芯源)

MP86920 是一款单片半桥驱动器，内置功率 MOSFET 和栅极驱动器。在较宽的输入电源范围内，它可实现 20A 的连续输出电流。由于优化的死区时间和降低的寄生电感，集成的驱动器和 MOSFET 实现了高效率。该器件可与三态输出控制器配合使用，工作频率范围为 100kHz 至 2MHz。它还具备通用电流检测和温度检测功能。MP86920 非常适合对效率和尺寸要求较高的服务器和电信应用。它采用 LGA - 27（4mmx5mm）封装。

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￥20.8909
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型号：MP18024HN-LF-Z 编号：C6992699

封装：SOICE-8

品牌：MPS(芯源)

MP18024是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道独立控制，延时匹配小于5ns。高端和低端电源均具备欠压锁定功能，在电源不足时强制输出为低电平。集成的自举二极管可减少外部元件数量。

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￥21.7101
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型号：MAX15013AASA+ 编号：C1549367

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

175V/2A、高速、半桥MOSFET驱动器、175V/2A半桥驱动器，具有低至35ns传输延时，驱动器之间具有8ns的传输延时匹配度

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￥22.5165 ￥26.49
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￥22.015 ￥25.9
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型号：IR2113PBF 编号：C2973

封装：DIP-14

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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型号：NCP51561DADWR2G 编号：C5206740

封装：SOIC-16-300mil

NCP51561是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为4.5 A和9 A。它们专为快速开关而设计，用于驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关。NCP51561具有较短且匹配的传播延迟

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￥27.51
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型号：DRV8329AQRGFRQ1 编号：C22435456

封装：VQFN-40-EP(5x7)

65V 三相半桥栅极驱动器，可驱动 3 个高侧和 3 个低侧 N 沟道 MOSFET(NMOS)，4.5V 至 60V 工作电压范围，具有涓流电荷泵，支持 100%占空比。

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型号：UCC27311AQDRCRQ1 编号：C41730487

封装：VSON-10(3x3)

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型号：TMC6100-LA-T 编号：C3655384

封装：QFN-37-EP(7x7)

品牌：TRINAMIC

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￥31.797 ￥35.33
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型号：STDRIVEG600 编号：C3655212

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

GaN晶体管的高压半桥栅极驱动器

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型号：LM5101ASDX-1/NOPB 编号：C2677210

封装：WSON-8-EP(4x4)

LM5101A 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器

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￥30.82
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￥27.97
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型号：IR2181PBF 编号：C537603

封装：PDIP-8

IR2181(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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￥43.17 ￥71.95
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￥22.584 ￥56.46
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￥20.616 ￥51.54

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型号：IR2183PBF 编号：C537608

封装：PDIP-8

IR2183(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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￥43.614 ￥72.69
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￥31.48 ￥62.96
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￥22.812 ￥57.03
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￥20.824 ￥52.06

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型号：LT8418ACBZ-R7 编号：C22450844

封装：WLCSP-12

品牌：ADI(亚德诺)

LT8418是一款100V半桥氮化镓（GaN）驱动器，集成了上下桥驱动级、驱动逻辑控制和保护功能。它可配置为同步半桥、全桥拓扑，或降压、升压和升降压拓扑。LT8418具备强大的源/灌电流能力，上拉电阻为0.6Ω，下拉电阻为0.2Ω

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￥56.97
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￥49.32
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￥44.66

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型号：LT1158ISW 编号：C18167366

封装：SOIC-16

品牌：ADI(亚德诺)

一个输入引脚同步控制图腾柱配置中的两个N沟道功率MOSFET。独特的自适应保护功能可防止直通电流，消除了两个MOSFET的匹配要求，大大简化了高效电机控制和开关调节器系统的设计。连续电流限制环路可调节顶部功率MOSFET中的短路电流，只要MOSFET的VDS不超过1.2V，就允许更高的启动电流。通过将故障输出返回到使能输入，在发生故障时将自动关闭，并在内部上拉电流对使能电容重新充电时重试。片上电荷泵在需要时开启，以连续导通顶部N沟道MOSFET。特殊电路确保在PWM和直流操作之间的转换过程中，顶部栅极驱动能安全维持。在较高电源电压下工作时，栅源电压内部限制为14.5V。

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￥72.998 ￥76.84
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￥70.5185 ￥74.23

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型号：DRV8952DDWR 编号：C21860344

封装：HTSSOP-44

四通道半桥驱动器– 独立控制每个半桥。可驱动各种类型的负载，如多达四个螺线管或阀门、一个步进电机、两个有刷直流电机、一个或两个热电冷却器 (TEC)、一个三相无刷直流电机、一个三相永磁同步电机 (PMSM)。集成式电流检测和调节，高侧 MOSFET 上的电流检测，每个半桥 (DDW) 的 IPROPI 输出，最大电流下为 5% 检测精度，可选外部检测电阻。与 DRV8955PWP、DRV8962DDW 引脚对引脚兼容。

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￥78.81
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￥71.44
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￥68.77

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型号：LMG3410R150RWHR 编号：C1858363

封装：VQFN-32-EP(8x8)