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LM5101A 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：NCD57256DR2G 编号：C17585826

封装：SOIC-16

高电流双通道隔离式 IGBT/MOSFET 栅极驱动器，从输入到每个输出具有 2.5 或 5 kVrms 的内部电流隔离，两个输出通道之间具有功能隔离。该器件在输入侧接受 3.3 V 至 20 V 的偏置电压和信号电平，在输出侧接受高达 32 V 的偏置电压。该器件接受互补输入，并为禁用和死区时间控制提供单独的引脚，方便系统设计。驱动器有宽体 SOIC-16 和窄体 SOIC-16 封装。

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型号：LTC7066RMSE#PBF 编号：C20047759

封装：MSOP-12-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7066以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET，其电源电压最高可达140V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容的高压MOSFET

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型号：MP86933GQT-Z 编号：C3655164

封装：TQFN-13(3x3)

品牌：MPS(芯源)

MP86933 是一款单片半桥驱动器，内置功率 MOSFET 和栅极驱动器。MP86933 在较宽的输入电源范围内可实现 12A 的连续输出电流，工作频率范围为 100kHz 至 2MHz。驱动器和 MOSFET 的集成通过优化死区时间和降低寄生电感实现了高效率。MP86933 可与三态输出控制器配合使用，并具备通用电流检测和温度检测功能。MP86933 非常适合对效率和尺寸要求较高的服务器和电信应用。MP86933 采用小型 FC-TQFN-13（3mmx3mm）封装。

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型号：NCV7724DQBR2G 编号：C2902155

封装：SSOP-24-EP-150mil

NCV7724B是一款八通道半桥驱动器，具备保护功能，专为汽车和工业运动控制应用而设计。该产品拥有独立的控制和诊断功能，驱动器可在正向、反向、制动和高阻抗状态下运行。该器件通过16位SPI接口进行控制，并且支持菊花链连接

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型号：2ED1322S12MXUMA1 编号：C20189641

封装：-

控制 IGBT 或 SiC MOSFET 功率器件，在半桥配置中最大阻断电压为 +1200V。基于 SOI 技术，在瞬态电压下具有出色的耐用性，器件中不存在寄生晶闸管结构，在工作温度和电压范围内对寄生闩锁具有很强的抵抗力。两个独立的驱动器输出在低端使用两个不同的 CMOS 或 LSTTL 兼容信号进行控制，低至 3.3V 逻辑。该器件包括一个具有滞后特性的欠压检测单元。具有对称的欠压锁定电平，支持集成的超快自举二极管。此外，离线栅极钳位功能在 IC 未通过 VCC 供电时，为晶体管提供固有的保护，防止因浮动栅极条件导致的寄生导通。

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型号：MP86934GLT-Z 编号：C5800437

封装：TQFN-21(3x4)

品牌：MPS(芯源)

MP86934是一款单片半桥器件，内置功率MOSFET和栅极驱动器。在较宽的输入电源范围内，它能实现25A的连续输出电流。驱动器和MOSFET的集成通过优化死区时间和降低寄生电感，实现了高效率

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型号：MP86945-AGVT-Z 编号：C3655818

封装：TQFN-25(4x5)

品牌：MPS(芯源)

是一款单片半桥，内置功率MOSFET和栅极驱动器。在较宽的输入电源范围内可实现60A的连续输出电流。是一种单片IC方案，每相可驱动高达60A的电流。驱动器和MOSFET的集成由于优化的死区时间和降低的寄生电感而实现了高效率。可在100kHz至2MHz的频率下工作。提供了许多简化系统设计的功能。可与具有三态PWM信号的控制器配合使用，并配有精确的电流检测来监测电感电流和温度检测来报告结温。非常适合对效率和小尺寸要求较高的服务器应用。

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￥64.7208
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型号：LMG3100R044VBER 编号：C42715446

封装：VQFN-FCRLF-15(4x6.5)

LMG3100器件是一款具有集成驱动器的100V连续、120V脉冲氮化（GaN）FET。该器件提供两种Rds(on)和最大电流型号，即126A/1.7mΩ(LMG3100R017)和46A/4.4mΩ(LMG3100R044)。该器件包含一个由高频GaNFET驱动器驱动的100V GaN FET。LMG3100包含一个高侧电平转换器和自举电路，因此两个LMG3100器件可用于形成半桥，而无需额外的电平转换器。 GaNFET在功率转换方面的优势极为显著，因为它们的反向恢复为零，而且输入电容Ciss和输出电容Coss都非常小。驱动器和GaNFET均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG3100器件采用6.5mmx4mmx0.89mm无铅封装，可轻松安装在PCB上。无论VCC电压如何，TTL逻辑兼容输入均可支持3.3V和5V逻辑电平。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式GaNFET的栅极电压处于安全的工作范围内。该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式GaNFET的优势。对于需要小尺寸、高频、高效运行的应用来说，该器件是理想的解决方案。

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型号：DRV8952DDWR 编号：C21860344

封装：HTSSOP-44

四通道半桥驱动器– 独立控制每个半桥。可驱动各种类型的负载，如多达四个螺线管或阀门、一个步进电机、两个有刷直流电机、一个或两个热电冷却器 (TEC)、一个三相无刷直流电机、一个三相永磁同步电机 (PMSM)。集成式电流检测和调节，高侧 MOSFET 上的电流检测，每个半桥 (DDW) 的 IPROPI 输出，最大电流下为 5% 检测精度，可选外部检测电阻。与 DRV8955PWP、DRV8962DDW 引脚对引脚兼容。

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型号：LMG3100R017VBER 编号：C44990765

封装：VQFN-FCRLF-15(4x6.2)

该产品是一款连续电压100V、脉冲电压120V的氮化镓（GaN）场效应管（FET），集成了驱动器。有两种导通电阻（Rds(on)）和最大电流的变体。GaN FET在功率转换方面具有显著优势，因为它们具有零反向恢复特性，并且输入电容Ciss和输出电容Coss非常小。驱动器和GaN FET安装在一个完全无键合线的封装平台上，可最大限度地减少封装寄生元件

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型号：DOS2186 编号：C52140038

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。低VCC工作特性使其适用于电池供电的应用场景

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型号：3253ESA/T 编号：C336590

封装：SOP-8

品牌：VP(中芯集成)

相同型号IMP3253ESA/T 3253是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，内部集成了高压半桥驱动电路和一个前置振荡器，形成一款多功能、更加安全的功率驱动芯片。管脚CT具有保护关断功能，可以用一个低电压信号使驱动器停止输出。此外，输出脉冲的宽度保持一致，一旦VCC上电流超过开启阈值，驱动器就能以更加稳定的频率振荡。

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型号：NCP81161MNTBG 编号：C603811

封装：DFN-8-EP(2x2)

NCP81161是一款高性能双MOSFET栅极驱动器，针对同步降压转换器中高端和低端功率MOSFET的栅极驱动进行了优化。它能够驱动高达3 nF的负载，传播延迟为25 ns，转换时间为20 ns。自适应抗交叉导通和节能运行电路可为笔记本电脑和台式机系统提供低开关损耗和高效率的解决方案

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型号：SS6208L 编号：C3345074

封装：DFN-8(3x3)

品牌：LEADPOWER(率能)

最大额定持续电流 4A，峰值 8A。自举式高端驱动器。集成高/低侧 MOSFET。高频操作（最高 1MHz）。PWM 输入兼容 3.3V 和 5V。内部自举二极管。欠电压锁定。热保护关断。自适应防串通保护。

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型号：IR3537MTRPBF 编号：C537661

封装：DFN-10-EP(3x3)

IR3537/CHL8510 是一款高效率栅极驱动器，可以切换同步降压转换器中的高侧和低侧 N 沟道外部 MOSFET。它旨在与国际整流子的数字 PWM 控制器一起使用，为当今先进的计算应用提供完整的电压调节器 (VR) 解决方案。IR3537/CHL8510 低侧驱动器能够快速切换具有低 RDS(on) 和大输入电容的大型 MOSFET，用于高效率设计。IR3537/CHL8510 具有对外部 MOSFET 中高侧和低侧栅极驱动电压从 4.5V 到 13.2V 的独立控制。这使得能够优化外部 MOSFET 中的开关和导通损耗。当与 IR 专有的可变栅极驱动 (VGD) 技术一起使用时，在整个负载范围内可以观察到效率的显著提高。IR3537/CHL8510 可以配置为从独特的 IR 快速主动三电平 (ATL) PWM 信号或通用的三态 PWM 模式驱动高侧和低侧开关。IR ATL 模式允许控制器在不到 30ns 的时间内禁用高侧和低侧 FET，而无需专用禁用引脚。这提高了 VR 瞬态性能，尤其是在负载释放期间。集成的自举二极管减少了外部元件数量。IR3537/CHL8510 还具有自适应非重叠控制，用于防止直通保护。这可以防止高侧和低侧 MOSFET 的交叉传导，并最大程度地减少体二极管导通时间，从而提供一流的效率。

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￥4.2 ￥5
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￥3.626 ￥4.9
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￥3.0848 ￥4.82
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￥3.04 ￥4.75

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型号：DGD2110S16-13 编号：C460698

封装：SOP-16-300mil

品牌：DIODES(美台)

DGD2110 和 DGD2113 是高压/高速 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端输出。高端驱动器具备浮动电源，可在高达 500V/600V 的电压下工作。高端和低端驱动器之间的传播延迟匹配为 10ns（最大值）/20ns（最大值），支持高频操作

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￥4.27
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￥2.24

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型号：COS2110PBF 编号：C7501650

封装：DIP-14

品牌：COSINE(科山芯创)

高低边驱动， 10V-20V 电源电压，600V高压， 2.5峰值拉/灌电流

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型号：NCP81166MNTBG 编号：C116731

封装：DFN-8(2x2)

NCP81166/A栅极驱动器是一款单相MOSFET驱动器，专为在同步降压转换器拓扑中驱动N沟道MOSFET而设计。

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型号：DGD0507AFN-7 编号：C2676972

封装：DFN3030-10-EP

品牌：DIODES(美台)

特性：50V浮动高端驱动器，可在半桥配置中驱动两个N沟道MOSFET。 1.5A源电流/2.0A灌电流输出能力。内置自举二极管。高端和低端驱动器具有欠压锁定功能。典型延迟匹配为5ns。典型传播延迟为20ns。应用：DC-DC转换器。电机控制

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￥5.0912 ￥5.92
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￥4.4004 ￥5.79
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￥3.762 ￥5.7
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￥3.7092 ￥5.62

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型号：IR25606STRPBF 编号：C537639

封装：SOIC-8

IR25606是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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￥7.1064 ￥8.46
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￥6.1198 ￥8.27
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￥5.216 ￥8.15
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￥5.1392 ￥8.03

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型号：IRS2001STRPBF 编号：C495819

封装：SOIC-8

IRS2001是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容，低至3.3V

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型号：2ED2304S06F 编号：C533055

封装：DSO-8

2ED2304S06F 是一款 650 V 半桥栅极驱动器。其英飞凌薄膜 SOI 技术具备出色的耐用性和抗噪能力。施密特触发器逻辑输入与低至 3.3 V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在通过内置互锁逻辑实现最小的驱动器交叉导通，防止直通现象。浮动通道可用于驱动高端配置下的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，最高工作电压可达 650 V。

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￥7.84
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￥6.58
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￥5.89
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型号：UCC27201AQDDARQ1 编号：C2869408

封装：SO-8

具有 8V UVLO 和负电压处理能力的汽车类 3A、120V 半桥栅极驱动器 8-SO PowerPAD -40 to 125

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型号：NCV5183DR2G 编号：C603958

封装：SOIC-8

NCP5183 是一款高电压高电流功率 MOSFET 驱动器，提供两个输出，用于驱动 2 个组织为半桥（或任何其他高压侧 + 低压侧）配置的 N 沟道功率 MOSFET。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的恰当驱动。该驱动器使用 2 个独立输入可适应任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源箝位和全桥）。

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型号：NCV5703CDR2G 编号：C904651

封装：SOIC-8

NCV5703 系列是一套高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，带非反相输入逻辑电平，适用于中等到高功率应用，诸如 PTC加热器、电动汽车充电器和其他汽车电源等。该器件不再使用大量外部组件，提供了一个经济高效的方案。该器件的保护特性包括有源米勒箝位 (NCV5703A)、准确的 UVLO、 DESAT 保护和开漏故障输出。该驱动器还具有准确的 5.0 V 输出（所有版本）和单独的高电平和低电平（VOH 和 VOL）驱动器输出（仅限 NCV5703C），方便系统设计。该驱动器可采用较宽的单极偏置电源（以及 NCV5703B 双极偏置电源）电压范围。所有版本采用 8 引脚 SOIC 封装，经过 AEC-Q100 认证。

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￥10.3776 ￥11.04
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￥9.072 ￥10.8
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￥7.8736 ￥10.64
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￥7.7552 ￥10.48

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型号：FAD6263M1X 编号：C903463

封装：SOIC-16

FAD6263是一款高压半桥栅极驱动IC，可提供2个互补输出，用于以半桥配置驱动功率MOSFET或IGBT。它采用自举技术，以确保正确驱动高端功率开关。该驱动器使用单输入工作

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￥11.34
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￥10.0737 ￥11.07
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型号：UCC27282QDRCRQ1 编号：C3654985

封装：VSON-10(3x3)

UCC27282-Q1 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，UCC27282-Q1 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET 。

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￥12.71
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￥10.66
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型号：HIP2100IBZT 编号：C2653813

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2101是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它与HIP2100相当，额外优势是具备完全兼容TTL/CMOS的逻辑输入引脚。低端和高端栅极驱动器可独立控制，匹配时间为13ns

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型号：6ED2742S01QXTMA1 编号：C6462126

封装：VQFN-32(5x5)