半桥电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

600V，高低侧驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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型号：LM5108DRCT 编号：C2677092

封装：VSON-10-EP(3x3)

LM5108 具有使能和互锁功能的 2.6A、110V 半桥栅极驱动器

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型号：DGD2005S8-13 编号：C460687

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2005是一款中压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。高压处理技术使DGD2005的高端在自举操作中可切换至200V。高端和低端驱动器之间的传播延迟匹配最大为30ns，可实现高频开关

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型号：STDRIVE101TR 编号：C3655697

封装：VFQFPN-24

STDRIVE101是一款低压栅极驱动器，适用于驱动三相无刷电机。它是一款单芯片，带有三个用于N沟道功率MOSFET的半桥栅极驱动器。每个驱动器的电流能力为600 mA（灌电流/拉电流）

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型号：UCC27201AD 编号：C1549352

封装：SOIC-8

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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型号：UCC27211ADRMT 编号：C133078

封装：VSON-8(4x4)

UCC27211A器件驱动器基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器；但该器件相比之下具有显著的性能提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω，因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能够直接处理 -10 VDC，这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。

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型号：IRS2011STRPBF 编号：C83840

封装：SOIC-8

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型号：TPS28225TDRQ1 编号：C2677049

封装：SOIC-8

TPS28225-Q1 具有 4V UVLO、用于同步整流的汽车类 4A、27V 半桥栅极驱动器

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型号：L6392D 编号：C1549314

封装：SO-14

L6392是一款采用BCD “离线” 技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端（浮动）部分设计用于承受高达600 V的电压轨

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型号：UCC27211DPRR 编号：C2677328

封装：WSON-10-EP(4x4)

具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 10-WSON -40 to 140

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型号：LM25101CMAX/NOPB 编号：C2869022

封装：SOIC-8

LM25101 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、2A 或 1A 半桥栅极驱动器

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型号：A6387DTR 编号：C2970984

封装：SO-8

高压高低侧驱动器，用于汽车应用

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型号：DRV8328CRUYR 编号：C5218865

封装：WQFN-28(4x4)

DRV8328 60V 1000/2000mA 三相栅极驱动器

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型号：2EDF7235KXUMA1 编号：C2677067

封装：DSO-16

是快速双路隔离式MOSFET栅极驱动IC系列，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或增强（2EDSx）输入到输出隔离。由于驱动电流大、共模抑制性能出色和信号传播速度快，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计，针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计，提高了功率转换效率。2EDSx、2EDFx双路增强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET，1A/2A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）。1A/2A增强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器（如1EDNx 4A/8A）结合用作PWM数据耦合器，该非隔离升压栅极驱动器需紧邻超结功率开关放置

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型号：NCV7544MWTXG 编号：C895779

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：onsemi(安森美)

NCV7544可编程四通道半桥MOSFET预驱动器是用于驱动逻辑电平NMOS FET的FLEXMOS汽车级产品系列之一。该产品可通过串行SPI和CMOS兼容并行输入的组合进行控制。内部上电复位可实现受控上电

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型号：2ED2182S06FXUMA1 编号：C1850289

封装：DSO-8

2ED2182(4)S06F(J)是一款半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。该器件具有出色的耐用性和抗干扰能力，在VS引脚（VCC = 15 V）承受高达 -11 VDC 的负电压瞬态时，仍能维持逻辑操作。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象

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型号：MP6610GJ-Z 编号：C3655224

封装：TSOT-23-8

MP6610是一款具备电流测量和调节功能的半桥驱动器。在4V至55V的宽输入电压范围内，它能够提供高达3A的输出电流。MP6610旨在驱动有刷直流电机、螺线管及其他负载

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型号：HIP2210FRTZ 编号：C20350729

封装：TDFN-10(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2210和HIP2211是100V、源电流3A、灌电流4A的高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211具有标准的HI/LI输入，且引脚与瑞萨（Renesas）的热门桥接驱动器（如HIP2101和ISL2111）兼容。HIP2210具有带可编程死区时间的三电平PWM输入

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型号：2EDR7259XXUMA1 编号：C17373399

封装：DSO-14

该产品是双路隔离栅极驱动器，用于驱动Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率开关。所有产品均采用DSO封装，输入到输出爬电距离为8mm，通过片上无芯变压器（CT）技术提供增强隔离。14引脚DSO封装的2EDRx259X和2EDRx258X变体提供更大的通道间爬电距离，适用于更高母线电压或更高污染程度的应用，一般可简化PCB布线。所有版本均提供可选的直通保护（STP）和死区时间控制（DTC）功能，可作为双路低端、双路高端或半桥栅极驱动器，死区时间可配置。产品具有出色的共模瞬态抗扰度（CMTI）、低器件间偏差和快速信号传播，非常适合用于快速开关电源转换系统。

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型号：IR2101PBF 编号：C2955

封装：PDIP-8

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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型号：IR2113PBF 编号：C2973

封装：DIP-14

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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型号：Mp6528GR-Z 编号：C1884680

封装：QFN-28-EP(4x4)

MP6528 是一款专为 H 桥驱动应用设计的栅极驱动 IC。它能够驱动由四个 N 沟道功率 MOSFET 组成的两个半桥，耐压高达 60V。MP6528 集成了一个稳压电荷泵，用于产生栅极驱动电源，并使用自举电容为高端 MOSFET 驱动器生成电源电压

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型号：STDRIVEG600TR 编号：C3655710

封装：SO-16

GaN晶体管的高压半桥栅极驱动器

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￥24.03
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型号：STDRIVE601 编号：C2961092

封装：SO-28-300mil

三半桥高压栅极驱动器

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型号：MPQ6527GF-AEC1-Z 编号：C5799798

封装：TSSOP-28-EP

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型号：LTC7060EMSE#TRPBF 编号：C3717110

封装：MSOP-12-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7060 采用半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET

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型号：LM5101AMRX/NOPB 编号：C2677212

封装：SO-8

LM5101A 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：NCD57256DR2G 编号：C17585826

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

高电流双通道隔离式 IGBT/MOSFET 栅极驱动器，从输入到每个输出具有 2.5 或 5 kVrms 的内部电流隔离，两个输出通道之间具有功能隔离。该器件在输入侧接受 3.3 V 至 20 V 的偏置电压和信号电平，在输出侧接受高达 32 V 的偏置电压。该器件接受互补输入，并为禁用和死区时间控制提供单独的引脚，方便系统设计。驱动器有宽体 SOIC-16 和窄体 SOIC-16 封装。

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￥32.07
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型号：LTC7066RMSE#PBF 编号：C20047759

封装：MSOP-12-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7066以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET，其电源电压最高可达140V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容的高压MOSFET

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￥31.872 ￥38.4
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￥31.3989 ￥37.83
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￥30.9175 ￥37.25

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型号：MP86933GQT-Z 编号：C3655164

封装：TQFN-13(3x3)