半桥电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOP-8

是 600-V 半桥栅极驱动器系列。其薄膜-SOI 技术提供出色的耐用性和抗噪性。施密特触发器逻辑输入与低至 3.3 V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达 600 V 的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT。此外，离线钳位功能在 IC 未供电时，通过浮动栅极条件为寄生导通提供固有保护。

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型号：NSG2113 编号：C7421057

封装：SOIC-16-300mil

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、集成SD功能、拉/灌电流：4/4A、VSS/COM地隔离

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型号：EG2136 编号：C480663

封装：SOP-28-300mil

品牌：EG(屹晶微)

用作N型功率MOSFET和IGBT等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独立的半桥驱动电路。内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波，防止噪声干扰。

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型号：IRS2153DSTRPBF 编号：C2987

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，自激振荡的半桥式驱动IC

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型号：NCP5104DR2G 编号：C153763

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5104是一款高压功率栅极驱动器，提供两个输出，可直接驱动以半桥配置排列的2个N沟道功率MOSFET或IGBT。它采用自举技术，以确保对高端功率开关进行适当驱动。

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型号：L6494LD 编号：C2965455

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

高压高侧和低侧2 A栅极驱动器

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型号：UCC27201DRMR 编号：C2677220

封装：VSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、120V 半桥栅极驱动器 8-VSON -40 to 140

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型号：DGD2181S8-13 编号：C460704

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2181是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2181的高端在自举操作中可切换至600V。DGD2181的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

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型号：FAN3278TMX 编号：C903510

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3278是一款双通道1.5A栅极驱动器，针对在电压轨道最高值为27V的电机控制应用中驱动一个高端P沟道MOSFET和一个低端N沟道MOSFET进行了优化。内部电路将加在外部MOSFET栅极上的电压限制在最大值13V。驱动器具有TTL输入限制，提供逻辑输入的缓冲和电平转换。内部电路防止输出开关器件在V

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型号：MIC4605-1YM-TR 编号：C628051

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4605是一款85V半桥MOSFET驱动器，具备自适应死区时间和直通保护功能。自适应死区时间电路会主动监测半桥输出，以尽量缩短高端和低端MOSFET转换之间的时间，从而最大限度提高功率效率。直通保护电路可防止错误输入和噪声导致两个MOSFET同时导通

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型号：L6395D 编号：C1549486

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

L6395是一款采用BCD“离线”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片高低侧栅极驱动器。高侧（浮动）部分设计为可承受高达600 V的电压轨

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￥9.0552 ￥16.17
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型号：UCC27211ADRMT 编号：C133078

封装：VSON-8(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27211A器件驱动器基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器；但该器件相比之下具有显著的性能提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω，因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能够直接处理 -10 VDC，这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。

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型号：SIC639CD-T1-GE3 编号：C2653466

封装：MLP55-31L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC639 是为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供大电流、高效率和高功率密度性能。SiC639 采用威世（Vishay）专有的 5 mm×5 mm MLP 封装，使电压调节器设计能够每相提供高达 50 A 的连续电流。内部功率 MOSFET 采用了最先进的第四代 TrenchFET 技术，该技术达到了行业标杆性能，可显著降低开关损耗和传导损耗

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型号：IR21834STRPBF 编号：C537607

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2183(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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型号：L6392D 编号：C1549314

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

L6392是一款采用BCD “离线” 技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端（浮动）部分设计用于承受高达600 V的电压轨

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￥12.2616 ￥17.03
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型号：UCC27282DRCT 编号：C2676968

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。

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型号：UCC27201ADRCT 编号：C2876550

封装：VSON-9-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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￥13.1105 ￥20.17
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型号：MP1907AGQ-Z 编号：C6096968

封装：QFN-10(3x3)

品牌：MPS(芯源)

MP1907A是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道独立控制，延时匹配在5ns以内。高端和低端电源均具备欠压锁定功能，在电源不足时会强制输出低电平

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￥13.9273
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型号：A6387DTR 编号：C2970984

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

高压高低侧驱动器，用于汽车应用

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型号：NCV7544MWTXG 编号：C895779

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：onsemi(安森美)

NCV7544可编程四通道半桥MOSFET预驱动器是用于驱动逻辑电平NMOS FET的FLEXMOS汽车级产品系列之一。该产品可通过串行SPI和CMOS兼容并行输入的组合进行控制。内部上电复位可实现受控上电

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￥16.606 ￥18.05
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￥14.473 ￥17.65
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￥12.5136 ￥17.38
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￥12.3264 ￥17.12

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型号：MP8040DN-LF-Z 编号：C3654840

封装：SOIC-8-EP

品牌：MPS(芯源)

是一款通用高频半桥功率驱动器，能够驱动9A负载。该设备集成了顶部和底部N沟道MOSFET功率开关，并通过预设的逐周期电流限制，对源电流和灌电流进行全面保护。具有7.5V至25V的宽输入电压范围。具有低电流关断模式、输入欠压保护、热关断和故障标志信号输出功能。可与标准逻辑信号接口，采用带外露焊盘的小型8引脚SOIC封装。

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￥16.9585
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￥14.9677
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型号：DRV8329AREER 编号：C7501205

封装：WQFN-36-EP(4x5)

品牌：TI(德州仪器)

65V三相半桥栅极驱动器驱动3个高端和3个低端N沟道MOSFET（NMOS）4.5至60V工作电压范围支持带涓流充电泵的100%PWM占空比基于自举的栅极驱动器架构 – 最大峰值源电流1000mA，最大峰值灌电流2000mA集成低输入失调电流检测放大器（针对1个分流电阻优化） – 增益可调（5、10、20、40V/V）硬件接口提供简单配置超低功耗睡眠模式，25℃时电流<1μA各相之间传播延迟匹配为4ns（典型值）独立驱动器关断路径（DRVOFF）65V耐压唤醒引脚（nSLEEP）支持SHx上高达 -10V的负瞬变6倍和3倍PWM模式支持3.3V和5V逻辑输入精确LDO（AVDD），3.3V ±3%，80mA紧凑的QFN封装和引脚布局可通过VDSLVL引脚调节VDS过流阈值可通过DT引脚调节死区时间采用功率模块的高效系统设计集成保护功能 – PVDD欠压锁定（PVDDUV）、GVDD欠压（GVDDUV） – 自举欠压（BST_UV） – 过流保护（VDS_OCP、SEN_OCP） – 热关断（OTSD）故障状态指示器（nFAULT）

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￥17.03
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型号：SIC632ACD-T1-GE3 编号：C2653473

封装：MLP55-31L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC632和SiC632A是专为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供大电流、高效率和高功率密度性能。SiC632和SiC632A采用威世（Vishay）专有的5 mm × 5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达50 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了最先进的第四代TrenchFET技术，该技术达到了行业标杆性能，可显著降低开关损耗和传导损耗

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型号：2EDR8259HXUMA1 编号：C17531538

封装：SOIC-16

品牌：Infineon(英飞凌)

该产品是双路隔离栅极驱动器，用于驱动Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率开关。所有产品均采用DSO封装，输入到输出爬电距离为8mm，通过片上无芯变压器（CT）技术提供增强隔离。14引脚DSO封装的2EDRx259X和2EDRx258X变体提供更大的通道间爬电距离，适用于更高母线电压或更高污染程度的应用，一般可简化PCB布线。所有版本均提供可选的直通保护（STP）和死区时间控制（DTC）功能，可作为双路低端、双路高端或半桥栅极驱动器，死区时间可配置。产品具有出色的共模瞬态抗扰度（CMTI）、低器件间偏差和快速信号传播，非常适合用于快速开关电源转换系统。