半桥电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

LM5107 具有 8V UVLO 的 1.4A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：FAN7191MX-F085 编号：C604977

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN7191_F085 是一款单片高压和低压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得此器件适用于控制直喷驱动器，以及很多汽车 DC-DC 转换器和电机控制应用。

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型号：LM27222MX/NOPB 编号：C2653801

封装：SOIC-8

LM27222 用于同步/异步驱动的 4.5A、30V 半桥栅极驱动器

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型号：IR2111SPBF 编号：C2970

封装：SOIC-8

IR2111(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动芯片，具有独立的高端和低端参考输出通道，专为半桥应用而设计。其采用专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术，实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容

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￥12.9948 ￥19.11
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型号：UCC27201ADRCT 编号：C2876550

封装：VSON-9-EP(3x3)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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型号：MP1907AGQ-Z 编号：C6096968

封装：QFN-10(3x3)

MP1907A是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道独立控制，延时匹配在5ns以内。高端和低端电源均具备欠压锁定功能，在电源不足时会强制输出低电平

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型号：UCC27282QDRCTQ1 编号：C1518702

封装：VSON-10-EP(3x3)

具有 5V UVLO、互锁功能和使能功能的汽车类 3A、120V 半桥驱动器 10-VSON -40 to 125

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型号：MP1924AHR-LF-Z 编号：C3654838

封装：QFN-10(4x4)

MP1924A是一款高频半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道独立控制，且延时匹配小于5ns。高端和低端电源均具备欠压锁定（UVLO）功能，在电源不足时会强制输出为低电平

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型号：DRV8329AREER 编号：C7501205

封装：WQFN-36-EP(4x5)

65V三相半桥栅极驱动器驱动3个高端和3个低端N沟道MOSFET（NMOS）4.5至60V工作电压范围支持带涓流充电泵的100%PWM占空比基于自举的栅极驱动器架构 – 最大峰值源电流1000mA，最大峰值灌电流2000mA集成低输入失调电流检测放大器（针对1个分流电阻优化） – 增益可调（5、10、20、40V/V）硬件接口提供简单配置超低功耗睡眠模式，25℃时电流<1μA各相之间传播延迟匹配为4ns（典型值）独立驱动器关断路径（DRVOFF）65V耐压唤醒引脚（nSLEEP）支持SHx上高达 -10V的负瞬变6倍和3倍PWM模式支持3.3V和5V逻辑输入精确LDO（AVDD），3.3V ±3%，80mA紧凑的QFN封装和引脚布局可通过VDSLVL引脚调节VDS过流阈值可通过DT引脚调节死区时间采用功率模块的高效系统设计集成保护功能 – PVDD欠压锁定（PVDDUV）、GVDD欠压（GVDDUV） – 自举欠压（BST_UV） – 过流保护（VDS_OCP、SEN_OCP） – 热关断（OTSD）故障状态指示器（nFAULT）

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型号：SIC789CD-T1-GE3 编号：C467919

封装：MLP66-40

品牌：VISHAY(威世)

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型号：MP18024HN-LF-Z 编号：C6992699

封装：SOICE-8

MP18024是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道独立控制，延时匹配小于5ns。高端和低端电源均具备欠压锁定功能，在电源不足时强制输出为低电平。集成的自举二极管可减少外部元件数量。

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￥21.7101
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型号：NCP51561DADWR2G 编号：C5206740

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

NCP51561是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为4.5 A和9 A。它们专为快速开关而设计，用于驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关。NCP51561具有较短且匹配的传播延迟

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￥23.3
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型号：ADP3650JCPZ-RL 编号：C659215

封装：LFCSP-8(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

ADP3650 是一款双路高压 MOSFET 驱动器，专为驱动非隔离同步降压电源转换器中的两个 N 沟道 MOSFET（即两个开关）而优化。每个驱动器能够驱动 3000 pF 的负载，传播延迟为 45 ns，转换时间为 25 ns。其中一个驱动器可采用自举方式，并设计用于处理与浮动高端栅极驱动器相关的高电压转换速率

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￥25.21
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型号：BTN9960LVAUMA1 编号：C22401721

封装：HSOF-7

BTN9960LV是一款用于电机驱动应用的集成式大电流半桥器件。它是MOTIX单半桥产品家族的一员，该产品家族将一个p沟道高端MOSFET和一个n沟道低端MOSFET与一个集成驱动IC封装在一起。由于采用了p沟道高端开关，无需使用电荷泵，从而将电磁干扰（EME）降至最低

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型号：DRV8706HQRHBRQ1 编号：C3681320

封装：VQFN-32(5x5)

DRV8706-Q1 具有离线诊断功能和直列式电流检测放大器的汽车级 40V 半桥智能栅极驱动器

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型号：IR2213STRPBF 编号：C495817

封装：SOIC-16

IR2213(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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型号：LTC7060IMSE#PBF 编号：C690114

封装：MSOP-12-EP-0.65mm

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7060 以半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET

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￥34.22
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型号：NCP51560ABDWR2G 编号：C5206714

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

是隔离双通道栅极驱动器，源极和漏极峰值电流分别为4.5 A和9 A。专为快速开关以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关而设计，具有短且匹配的传播延迟。输入到每个输出之间有两个独立的5 kVrms内部电流隔离，两个输出驱动器之间有内部功能隔离，允许最高1500 VDC的工作电压。该驱动器可用于两个低端、两个高端开关或具有可编程死区时间的半桥驱动器的任何可能配置。ENA/DIS引脚在设置为低电平或高电平时分别用于启用或禁用模式，同时关闭两个输出。还提供其他重要保护功能，如两个栅极驱动器的独立欠压锁定和死区时间调整功能。

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型号：MP86956GMJ-Z 编号：C6595839

封装：LGA-41(5x6)

MP86956是一款单片半桥，内置功率MOSFET和栅极驱动器。在较宽的输入电源范围内，MP86956可实现70A的连续输出电流。MP86956采用单片IC方案，每相可驱动高达70A的电流。驱动器和MOSFET的集成通过优化死区时间和降低寄生电感，实现了高效率。MP86956的工作频率范围为100kHz至3MHz。MP86956具备多种特性，可简化系统设计。它可与具有三态PWM信号的控制器配合使用，并配备精确的电流检测功能以监测电感电流，以及温度检测功能以报告结温。MP86956非常适合对效率和尺寸要求较高的服务器应用。该器件提供LGA和TLGA（5mmx6mm）封装。

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￥38.5867
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￥33.4254
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￥28.428
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型号：MP86956GMJT-Z 编号：C5800439

封装：TLGA-41(5x6)

MP86956是一款单片半桥，内置功率MOSFET和栅极驱动器。在较宽的输入电源范围内，MP86956可实现70A的连续输出电流。MP86956采用单片IC方案，每相可驱动高达70A的电流。驱动器和MOSFET的集成通过优化死区时间和降低寄生电感，实现了高效率。MP86956的工作频率范围为100kHz至3MHz。MP86956具备多种特性，可简化系统设计。它可与具有三态PWM信号的控制器配合使用，并配备精确的电流检测功能以监测电感电流，以及温度检测功能以报告结温。MP86956非常适合对效率和尺寸要求较高的服务器应用。该器件提供LGA和TLGA（5mmx6mm）封装。

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￥38.1648
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￥33.4254
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￥28.428
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￥21.7921

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型号：HIP2101IBZ 编号：C1549446

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2101是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它与HIP2100相当，额外优势是具备完全兼容TTL/CMOS的逻辑输入引脚。低端和高端栅极驱动器可独立控制，匹配时间为13ns

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￥39.78
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￥34.43
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￥31.17

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型号：L9908TR 编号：C5269538

封装：TQFP-48-EP(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

汽车级3相电机栅极驱动装置

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￥55.52
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￥47.4
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￥42.45

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型号：LTC4444HMS8E-5#TRPBF 编号：C688581

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一个高频高压栅极驱动器，可在同步 DC/DC 转换器中驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压高达 100V。这个强大的驱动器可降低高栅极电容 MOSFET 的开关损耗。配置为两个独立电源输入。高端输入逻辑信号在内部电平转换为自举电源，该电源可在高于地 114V 的电压下工作。包含欠压锁定电路，激活时可禁用外部 MOSFET。自适应直通保护可防止两个 MOSFET 同时导通。

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￥58.24
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￥50.16
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￥45.24

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型号：SLM2003ECA-DG 编号：C2943125

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

200V半桥，互锁，Vo：10-20V，HI正LI负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:680/150ns，DT:520ns,MT:60ns

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￥0.584
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￥0.4564
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￥0.3925
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￥0.3446

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型号：DOS2101 编号：C52140042

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET，最高可承受700V电压。

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￥0.9302
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￥0.9094
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￥0.8956
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￥0.8818

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型号：DGD05463M10-13 编号：C6021630

封装：MSOP-10

品牌：DIODES(美台)

DGD05463是一款高频半桥栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压最高可达50V。DGD05463逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器接口

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￥2.0498 ￥5.54
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￥2.0054 ￥5.42
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￥1.9758 ￥5.34
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￥1.9462 ￥5.26

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型号：COS2181STRPBF 编号：C7501651

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

高低边半桥驱动， 10V-20V 电源电压，600V高压， 2.5A峰值拉/灌电流

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￥3.4
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￥2.75
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￥2.42
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￥2.1
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￥1.9
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￥1.8

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型号：IR2304STRPBF 编号：C78065

封装：SOIC-8