半桥电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：VSON-10-EP(3x3)

UCC27311A 是一款强大的栅极驱动器，专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个 N 沟道 MOSFET 而设计，绝对最大自举电压为 120V。凭借 3.7A 的峰值拉电流和 4.5A 的峰值灌电流能力，UCC27311A 可在驱动大功率 MOSFET 的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS 引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。

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型号：IR2183STRPBF 编号：C2653806

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2183(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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型号：TF21814-3BS 编号：C6387919

封装：PDIP-14

品牌：TFSS(德律风根)

驱动配置：高低边高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：UCC27289DRCR 编号：C6581860

封装：VSON-10(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

是一款坚固的N沟道MOSFET驱动器，最大开关节点（HS）额定电压为100V。它允许在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个N沟道MOSFET。其3A的峰值源电流和灌电流以及低上拉和下拉电阻，使该驱动器能够在MOSFET米勒平台过渡期间以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET。由于输入与电源电压无关，可与模拟和数字控制器配合使用

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型号：IR21094STRPBF 编号：C19559

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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型号：2ED21084S06JXUMA1 编号：C3655642

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED2108 (4) S06F (J) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。它具备出色的耐用性和抗噪能力，在 VS 引脚（VCC = 15 V）承受高达 -11 V 的负瞬态电压时，仍能维持工作逻辑。该器件不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象

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型号：DRV8705SQRHBRQ1 编号：C3681095

封装：VQFN-32(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8705-Q1 具有离线诊断功能的汽车级、40V、H 桥智能栅极驱动器

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型号：UCC27301ADR 编号：C41558418

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个N沟道MOSFET而设计，绝对最大自举电压为120V。凭借3.7A的峰值拉电流和4.5A的峰值灌电流能力，可在驱动大功率MOSFET的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。输入与电源电压无关，并且能够承受 -10V和 +20V的绝对最大额定值

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型号：UCC27284DRCT 编号：C5218838

封装：VSON-10(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

一款功能强大的N沟道MOSFET驱动器，最大开关节点(HS)额定电压为100V。可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个N沟道MOSFET。具有3A的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在MOSFET米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率MOSFET。输入与电源电压无关，与模拟控制器和数字控制器均可结合使用

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型号：TC1412NEOA 编号：C636855

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC1412/TC1412N 是 2A 的 CMOS 缓冲器/驱动器。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会发生闭锁现象。当接地引脚出现高达 5V 的任一种极性的噪声尖峰时，它们不会受到损坏

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型号：STDRIVE101 编号：C2969847

封装：VFQFPN-24(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

STDRIVE101是一款低压栅极驱动器，适用于驱动三相无刷电机。它是一款单芯片，带有三个用于N沟道功率MOSFET的半桥栅极驱动器。每个驱动器的电流能力为600 mA（灌电流/拉电流）

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型号：DGD2190MS8-13 编号：C460708

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2190M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2190M的高端在高dV/dt条件下的自举操作中可切换至600V。DGD2190M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

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型号：2EDR7259XXUMA1 编号：C17373399

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

该产品是双路隔离栅极驱动器，用于驱动Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率开关。所有产品均采用DSO封装，输入到输出爬电距离为8mm，通过片上无芯变压器（CT）技术提供增强隔离。14引脚DSO封装的2EDRx259X和2EDRx258X变体提供更大的通道间爬电距离，适用于更高母线电压或更高污染程度的应用，一般可简化PCB布线。所有版本均提供可选的直通保护（STP）和死区时间控制（DTC）功能，可作为双路低端、双路高端或半桥栅极驱动器，死区时间可配置。产品具有出色的共模瞬态抗扰度（CMTI）、低器件间偏差和快速信号传播，非常适合用于快速开关电源转换系统。

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型号：MP1923GS-Z 编号：C6306878

封装：SOIC-8

品牌：MPS(芯源)

MP1923是一款高频N沟道MOSFET半桥栅极驱动器。该器件的低端MOSFET（LS - FET）和高端MOSFET（HS - FET）驱动通道可独立控制，且延时匹配在5ns以内。在供电不足的情况下，器件的高端MOSFET和低端MOSFET欠压锁定（UVLO）保护会强制输出为低电平

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型号：DRV8705HQRHBRQ1 编号：C2871884

封装：VQFN-32(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8705-Q1 具有离线诊断功能的汽车级、40V、H 桥智能栅极驱动器

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型号：UCC27212AQDDARQ1 编号：C2867746

封装：SO-8

品牌：TI(德州仪器)

具有 5V UVLO 的汽车类 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-SO PowerPAD -40 to 140

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型号：DRV8343HPHPRQ1 编号：C2150745

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8343-Q1 具有电流分流放大器的汽车类 12V 至 24V 电池三相智能栅极驱动器

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型号：LTC7060EMSE#TRPBF 编号：C3717110

封装：MSOP-12-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7060 采用半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET

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型号：1ED020I12B2XUMA1 编号：C7431136

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IR2213STRPBF 编号：C495817

封装：SOIC-16

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2213(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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￥37.42
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型号：MP86956GMJ-Z 编号：C6595839

封装：LGA-41(5x6)

品牌：MPS(芯源)

MP86956是一款单片半桥，内置功率MOSFET和栅极驱动器。在较宽的输入电源范围内，MP86956可实现70A的连续输出电流。MP86956采用单片IC方案，每相可驱动高达70A的电流。驱动器和MOSFET的集成通过优化死区时间和降低寄生电感，实现了高效率。MP86956的工作频率范围为100kHz至3MHz。MP86956具备多种特性，可简化系统设计。它可与具有三态PWM信号的控制器配合使用，并配备精确的电流检测功能以监测电感电流，以及温度检测功能以报告结温。MP86956非常适合对效率和尺寸要求较高的服务器应用。该器件提供LGA和TLGA（5mmx6mm）封装。

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￥38.5867
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￥33.4254
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￥28.428
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型号：NSG0462UQ 编号：C41414784

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：WXNSIC(国硅集成)

是一款三相高速功率MOSFET驱动器，具有6个通道，最高工作电压可达40V。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。逻辑兼容CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑输入。此外，采用内置死区功能来避免高压侧交叉导通。为PMOS和NMOS输出10V门电源电压，为了简化PCB设计，集成了一个5V/40mA的LDO，用于为MCU或其他芯片供电。此外出于安全考虑，还集成了热关闭保护。

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￥0.9257
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￥0.8052
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型号：SiLM2004ECA-DG 编号：C48391672

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

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￥1.2805
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型号：DOS2101 编号：C52140042

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET，最高可承受700V电压。

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￥1.7325
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￥1.3696
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￥1.02

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型号：FAN7842MX-HX 编号：C53055897

封装：SOIC-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

FAN7842MX-HX 是高低侧栅极驱动IC，支持+200V，具抗共模噪声与负压VS能力，驱动电流达350/650mA，TTL兼容、延时<50ns，具UVLO，适用于电机、电动工具与通信DC-DC应用

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￥2.385 ￥2.65
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￥1.89 ￥2.1
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￥1.674 ￥1.86
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￥1.287 ￥1.43
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￥1.215 ￥1.35

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型号：IRS2304STRPBF 编号：C82060

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2304是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术使其具备坚固的单芯片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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￥2.92
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￥2.37
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￥2.14
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￥1.85

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型号：LM2101DR 编号：C34080678

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM2101 是一款紧凑型高压栅极驱动器，专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。

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￥3.39
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￥3.31
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￥3.25
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￥3.2

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型号：IR2113STRPBF 编号：C5261050

封装：SOW-16

品牌：Tokmas(托克马斯)

高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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￥4.0204 ￥4.37
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￥3.22 ￥3.5
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￥2.8244 ￥3.07
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￥2.4288 ￥2.64
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￥2.0884 ￥2.27
1000+
￥1.9688 ￥2.14

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型号：1EDN7550B 编号：C533029

封装：SOT-23-6

品牌：Infineon(英飞凌)

EiceDRIVER™ 1EDNx550 是单通道非隔离式栅极驱动集成电路的全新产品系列。由于采用了具有出色共模抑制能力的独特全差分输入电路，逻辑驱动器状态仅由两个输入之间的电压差控制，完全独立于驱动器的参考（接地）电位。这消除了误触发的风险，因此在所有驱动器和控制器接地之间存在电压差的应用中具有显著优势，这是采用 4 引脚封装（开尔文源极连接）、高寄生 PCB 电感（长距离、单层 PCB）、双极栅极驱动的系统常见的问题

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￥4.28
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￥3.44
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￥3.03
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￥2.61

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型号：XJNG21531D 编号：C53190624

封装：SOP8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

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￥4.7
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￥3.81
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