半桥电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：UCC27200DR 编号：C181973

封装：SOIC-8

UCC2720x系列高频N沟道MOSFET驱动器内置一个120V自举二极管，以及具有独立输入的高端和低端驱动器，可实现最大的控制灵活性。这使得它能够在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中对N沟道MOSFET进行控制。低端和高端栅极驱动器可独立控制，且导通和关断时间匹配精度达1ns

数据手册

1+
￥10.11
10+
￥8.33
30+
￥7.35

有货

立即购买

型号：MP1924HS-LF-Z 编号：C6595398

封装：SOIC-8

品牌：MPS(芯源)

1+
￥13.7634
50+
￥12.2888
100+
￥11.5514

有货

立即购买

型号：CSD88599Q5DCT 编号：C701755

封装：SON-22(5x6)

品牌：TI(德州仪器)

CSD88599Q5DC 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块

数据手册

1+
￥14.91
10+
￥14.56
30+
￥14.33

有货

立即购买

型号：DRV8706SQRHBRQ1 编号：C5218851

封装：VQFN-32(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8706-Q1 具有离线诊断功能和直列式电流检测放大器的汽车级 40V 半桥智能栅极驱动器

数据手册

1+
￥16.56
10+
￥14.05
30+
￥12.49
100+
￥10.88

有货

立即购买

型号：MP8040DN-LF-Z 编号：C3654840

封装：SOIC-8-EP

品牌：MPS(芯源)

是一款通用高频半桥功率驱动器，能够驱动9A负载。该设备集成了顶部和底部N沟道MOSFET功率开关，并通过预设的逐周期电流限制，对源电流和灌电流进行全面保护。具有7.5V至25V的宽输入电压范围。具有低电流关断模式、输入欠压保护、热关断和故障标志信号输出功能。可与标准逻辑信号接口，采用带外露焊盘的小型8引脚SOIC封装。

1+
￥16.9585
50+
￥14.9677
100+
￥13.5996

有货

立即购买

型号：1ED3121MU12H 编号：C530922

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

1+
￥17.07
10+
￥14.36
30+
￥12.66
100+
￥10.93

有货

立即购买

型号：MP1924AHS-LF-Z 编号：C5675613

封装：SOIC-8

品牌：MPS(芯源)

MP1924A是一款高频半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道独立控制，且延时匹配小于5ns。高端和低端电源均具备欠压锁定（UVLO）功能，在电源不足时会强制输出为低电平

1+
￥18.0235
50+
￥16.2212
100+
￥14.5007

有货

立即购买

型号：MP86920GLV-Z 编号：C6675180

封装：LGA-27(4x5)

品牌：MPS(芯源)

MP86920 是一款单片半桥驱动器，内置功率 MOSFET 和栅极驱动器。在较宽的输入电源范围内，它可实现 20A 的连续输出电流。由于优化的死区时间和降低的寄生电感，集成的驱动器和 MOSFET 实现了高效率。该器件可与三态输出控制器配合使用，工作频率范围为 100kHz 至 2MHz。它还具备通用电流检测和温度检测功能。MP86920 非常适合对效率和尺寸要求较高的服务器和电信应用。它采用 LGA - 27（4mmx5mm）封装。

1+
￥20.8909
50+
￥19.4162
100+
￥15.4838

有货

立即购买

型号：MPQ6626GF-AEC1-Z 编号：C5776047

封装：TSSOP-28-EP

品牌：MPS(芯源)

MPQ6626 是一款 6 通道半桥 DMOS 输出驱动器，集成了功率 MOSFET。输入电压范围为 5.5V 至 40V，输出电流能力高达 0.8A。MPQ6626 的六个半桥可通过标准串行数据接口单独控制，并具备多种诊断功能。该器件在待机模式下的静态电流极低。全面保护功能包括短路保护（SCP）、欠压保护（UVP）和热关断。MPQ6626 仅需少量易于获取的标准外部元件。它采用 TSSOP - 28 EP 封装。

1+
￥21.0547
50+
￥18.9247
100+
￥17.2862

有货

立即购买

型号：NCP51810AMNTWG 编号：C2902266

封装：QFN-15(4.4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP51810 高速门极驱动器用于满足离线、半工电源拓扑结构中驱动增强模式 (e?mode) 和门极抑制晶体管 (GIT) GaN HEMT 电源开关的严格要求。NCP51810 为高压侧驱动提供短路和匹配传播延迟，以及 ?3.5 V 至 +200 V（典型值）共模电压范围。为了完全保护 GaN 功率晶体管的门极不会受到过大电压压力，两个驱动级均蚕蛹专门的电压稳压器来准确保持门极源驱动信号幅度。NCP51810 提供独立欠压锁定 (UVLO) 和集成电路高温关断等重要保护功能。

数据手册

1+
￥21.99
10+
￥18.65
30+
￥16.66
100+
￥14.66

有货

立即购买

型号：IR2130STRPBF 编号：C16675

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，三相桥驱动IC

数据手册

1+
￥27.84
10+
￥23.67
30+
￥21.19

有货

立即购买

型号：DRV8301DCA 编号：C92113

封装：HTSSOP-56-EP-6mm

品牌：TI(德州仪器)

DRV8301 具有降压稳压器、电流分流放大器和 SPI 的最大 65V 三相栅极驱动器

数据手册

1+
￥29.4
10+
￥25.16
30+
￥22.64

有货

立即购买

型号：MAX5064BATC+T 编号：C2677260

封装：TQFN-12-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

特性：高达125V输入操作。 8V至12.6V VDD输入电压范围。 2A峰值源电流和灌电流驱动能力。应用：电信半桥电源

数据手册

1+
￥34.73
10+
￥33.91
30+
￥33.37
100+
￥31.1885 ￥32.83

有货

立即购买

型号：LT1158ISW#TRPBF 编号：C662899

封装：SO-16-300mil

品牌：ADI(亚德诺)

一个输入引脚同步控制图腾柱配置中的两个N沟道功率MOSFET。独特的自适应保护功能可防止直通电流，消除了两个MOSFET的匹配要求，大大简化了高效电机控制和开关调节器系统的设计。连续电流限制环路可调节顶部功率MOSFET中的短路电流，只要MOSFET的VDS不超过1.2V，就允许更高的启动电流。通过将故障输出返回到使能输入，在发生故障时将自动关闭，并在内部上拉电流对使能电容重新充电时重试。片上电荷泵在需要时开启，以连续导通顶部N沟道MOSFET。特殊电路确保在PWM和直流操作之间的转换过程中，顶部栅极驱动能安全维持。在较高电源电压下工作时，栅源电压内部限制为14.5V。

数据手册

1+
￥54.35
10+
￥51.74
30+
￥50.15

有货

立即购买

型号：LKS513 编号：C2798402

封装：ESOP-16

品牌：LINKOSEMI(凌鸥创芯)

LKS513是一款用于功率P沟道/N沟道MOSFET的三相40V高速半桥预驱动器。它有两个用于高端和低端的输入，且每个通道有两个输出，内部设有死区时间以避免交叉导通。输入逻辑电平与3.3V/5V/15V信号兼容

单价：
￥0.6617 / 个

有货

立即购买

型号：IR2103STRPBF-HX 编号：C51934036

封装：SOIC-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

IR2103STRPBF-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器，具备高低端输出、抗锁存CMOS技术、3.3V逻辑兼容，内置强驱动缓冲，支持高边N沟道器件驱动，电压可达600V

5+
￥0.71019 ￥0.7891
50+
￥0.69201 ￥0.7689
150+
￥0.67995 ￥0.7555
500+
￥0.6678 ￥0.742

有货

立即购买

型号：SLM2014CA-DG 编号：C5127147

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

160V半桥，Vo：10-20V，IN正SD负逻辑,DT:110ns,高边9V，低边5V欠压保护

数据手册

5+
￥0.7645
50+
￥0.7473
150+
￥0.7359
500+
￥0.7244

有货

立即购买

型号：LN8322SR-G 编号：C3008046

封装：SOP-8

品牌：natlinear(南麟)

LN8322是一款可驱动高端和低端N沟道MOSFET栅极驱动芯片，可用于同步降压、升降压和半桥拓扑中。内部集成欠压锁死电路可以确保MOSFET在较低的电源电压下处于关断状态，用以提高转换效率。集成使能关断功能，可以同时关断DRVH、DRVL的输出。

数据手册

5+
￥0.8269
50+
￥0.6445
150+
￥0.5533
500+
￥0.4849
2500+
￥0.4302

有货

立即购买

型号：XJNG0461 编号：C48542890

封装：SOP-16

品牌：WXNSIC(国硅集成)

XJNG0461是一款三相高速功率MOSFET驱动器，具有6个通道，最高工作电压可达40V。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，每一相都具有高、低侧两个输入以及两个输出信号。逻辑兼容标准CMOS或LSTTL输出，逻辑输入电平低至3.3V。XJNG0461为PMOS和NMOS输出10V的栅-源电压，内置死区功能来避免同一相的高、低压侧PMOS和NMOS直通。

5+
￥0.979545 ￥1.0311
50+
￥0.759335 ￥0.7993
150+
￥0.664905 ￥0.6999
500+
￥0.5472 ￥0.576
2500+
￥0.49476 ￥0.5208
4000+
￥0.46322 ￥0.4876

有货

立即购买

型号：OB2101HCPA 编号：C22379554

封装：SOP-8

品牌：OB(昂宝)

OB2101H是一款单片式单相半桥栅极驱动IC，专为高压、高速驱动功率MOSFET和IGBT而设计，可在高达650V的电压下工作。OB2101H采用高压工艺和共模噪声消除技术，可确保高端驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定运行，并且两个输出通道具备内部死区时间，可避免交叉导通。

5+
￥1.396
50+
￥1.2175
150+
￥1.141
500+
￥1.0455
2500+
￥1.003
4000+
￥0.9775

有货

立即购买

型号：SLM2106SCA-13GTR 编号：C461471

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:220/200ns，DT:NA, MT:30ns

数据手册

1+
￥2.6
10+
￥2.07
30+
￥1.84
100+
￥1.56

有货

立即购买

型号：NSG2153DP 编号：C46473162

封装：DIP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG2153(1)DP 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器，能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)DP 的 CT 端在低电压（1/6thVCC）时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时，NSG2153(1)DP 会将 CT 端电压拉低，同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)DP 具有很强的输出驱动能力，输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)DP 内置死区逻辑，防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外，NSG2153(1)DP 集成有自举二极管，用于对高侧进行自举充电。

1+
￥3.344 ￥3.52
10+
￥2.679 ￥2.82
50+
￥2.3465 ￥2.47
100+
￥2.0235 ￥2.13
500+
￥1.824 ￥1.92
1000+
￥1.729 ￥1.82

有货

立即购买

型号：COS21844S 编号：C42377825

封装：SOP-14

品牌：COSINE(科山芯创)

高低边半桥驱动，10V-20V 电源电压，600V高压，2.5A峰值拉/灌电流

1+
￥4.01
10+
￥3.56
30+
￥3.33
100+
￥3.11
500+
￥2.97
1000+
￥2.9

有货

立即购买

型号：IR2113STRPBF 编号：C5261050

封装：SOW-16

品牌：Tokmas(托克马斯)

高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

1+
￥4.1952 ￥4.56
10+
￥3.3948 ￥3.69
30+
￥2.9992 ￥3.26
100+
￥2.6036 ￥2.83
500+
￥2.2632 ￥2.46
1000+
￥2.1344 ￥2.32

有货

立即购买

型号：COS2183S 编号：C42411192

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

高低边半桥驱动， 10V-20V电源电压，600V高压，2.5A峰值拉/灌电流

1+
￥4.52
10+
￥3.65
30+
￥3.22
100+
￥2.79
500+
￥2.54
1000+
￥2.4

有货

立即购买

型号：IRS2301STRPBF 编号：C520632

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2301S是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

数据手册

1+
￥4.58
10+
￥3.71
30+
￥3.28

有货

立即购买

型号：2EDL05N06PF 编号：C2676912

封装：SOP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是 600-V 半桥栅极驱动器系列。其薄膜-SOI 技术提供出色的耐用性和抗噪性。施密特触发器逻辑输入与低至 3.3 V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达 600 V 的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT。此外，离线钳位功能在 IC 未供电时，通过浮动栅极条件为寄生导通提供固有保护。

数据手册

1+
￥4.84
10+
￥4.72
30+
￥4.64
100+
￥4.56

有货

立即购买

型号：EG2136 编号：C480663

封装：SOP-28-300mil

品牌：EG(屹晶微)

用作N型功率MOSFET和IGBT等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独立的半桥驱动电路。内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波，防止噪声干扰。

数据手册

1+
￥5.92
10+
￥4.75
26+
￥4.21

有货

立即购买

型号：NCP5104DR2G 编号：C153763

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5104是一款高压功率栅极驱动器，提供两个输出，可直接驱动以半桥配置排列的2个N沟道功率MOSFET或IGBT。它采用自举技术，以确保对高端功率开关进行适当驱动。

数据手册

1+
￥7.36
10+
￥6.1
30+
￥5.42
100+
￥4.21
500+
￥3.87
1000+
￥3.71

有货

立即购买

型号：IRS21531DSTRPBF 编号：C538293

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

基于流行的IR2153自振荡半桥栅极驱动器IC，采用更先进的硅平台，集成了高压半桥栅极驱动器和类似于行业标准CMOS 555定时器的前端振荡器。HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。通过栅极驱动器的低di/dt峰值实现抗噪性。

数据手册

1+
￥7.55
10+
￥6.27
30+
￥5.57
100+
￥4.78

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示