半桥电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：LM5113SDX/NOPB 编号：C3655383

封装：WSON-10(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5113 适用于 GaN FET 的 1.2A/5A、90V 半桥栅极驱动器

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1+
￥36.35
10+
￥31.14
30+
￥27.96

有货

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型号：SiLM2004ECA-DG 编号：C48391672

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

5+
￥1.2805
50+
￥1.0033
150+
￥0.8845
500+
￥0.7363
2500+
￥0.6703

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型号：SDH2105U 编号：C17701711

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 SDH2105是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。SDH2105采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥1.665 ￥1.85
10+
￥1.629 ￥1.81
30+
￥1.602 ￥1.78
100+
￥1.575 ￥1.75

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型号：EG2106D 编号：C2904138

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2106D是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。EG2106D高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO(+/-) 0.3/0.6A，采用SOP8封装。

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5+
￥2.0203
50+
￥1.5667
150+
￥1.3723

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型号：EG2107 编号：C2929088

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

带过流保护功能半桥驱动芯片

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5+
￥2.1502
50+
￥1.6948
150+
￥1.4997
500+
￥1.1583

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型号：NCP81062MNTWG 编号：C154581

封装：DFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81062 是一款高性能 MOSFET 门极驱动器，采取小巧的 3 mm x 3 mm 封装，经过优化，可驱动同步降压转换器中的高压侧和低压侧功率 MOSFET。零电流检测特性即使在轻型负载条件下可能实现一个高能效方案。预 OVP 特性有助于在高压侧 FET 发生短路时保护负载。电源电压较低时，VCC UVLO 可确保 MOSFET 关闭。检测到预 OVP 或 UVLO 故障时，双向启用引脚会向控制器提供故障信号。

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1+
￥2.3
10+
￥2.02
30+
￥1.9
100+
￥1.76
500+
￥1.69
1000+
￥1.65

有货

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型号：LF2103NTR-JSM 编号：C17701707

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 LF2103N是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥2.538 ￥2.82
10+
￥1.998 ￥2.22
30+
￥1.764 ￥1.96
100+
￥1.467 ￥1.63
500+
￥1.341 ￥1.49
1000+
￥1.26 ￥1.4

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型号：DGD2103MS8-13 编号：C460691

封装：SOIC-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2103M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2103M的高端在自举操作中能够切换至600V。DGD2103M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

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1+
￥2.82
10+
￥2.31
30+
￥1.8473 ￥2.03
100+
￥1.5561 ￥1.71
500+
￥1.4287 ￥1.57
1000+
￥1.365 ￥1.5

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型号：ISL95808HRZ-T 编号：C964602

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高频双MOSFET驱动器，具有低关断电流，经过优化可在同步整流降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET。特别适用于需要高效率和出色热性能的移动计算应用。该驱动器与多相降压PWM控制器结合，可为高级移动微处理器形成完整的单级核心电压调节器解决方案。低侧栅极驱动器典型灌电流为4A，此电流能够在相节点上升沿期间保持低侧MOSFET栅极关断，防止因相电压高dv/dt引起的直通功率损耗。工作电压与移动计算机电源中常用MOSFET的30V击穿电压相匹配。还具有三态PWM输入，与多相PWM控制器配合使用可防止CPU关机期间出现负电压输出，此功能可省去微处理器电源系统中常见的保护肖特基二极管

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5+
￥2.8372
50+
￥2.3461
150+
￥2.1356
500+
￥1.873

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型号：DGD2103MS8-13-JSM 编号：C17701706

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 DGD2103是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥3.006 ￥3.34
10+
￥2.421 ￥2.69
30+
￥2.133 ￥2.37
100+
￥1.836 ￥2.04
500+
￥1.665 ￥1.85
1000+
￥1.575 ￥1.75

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型号：IR25602STRPBF 编号：C537635

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR25602是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容，低至3.3V

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1+
￥3.28
10+
￥2.57
30+
￥2.26
100+
￥1.87
500+
￥1.7
1000+
￥1.6

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型号：LM2101DR 编号：C34080678

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM2101 是一款紧凑型高压栅极驱动器，专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。

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1+
￥3.28
10+
￥3.19
30+
￥3.14
100+
￥3.08

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型号：ZH639D0JT 编号：C41371521

封装：TSSOP-20

品牌：Semiment(赛卓)

1+
￥3.29
10+
￥2.58
30+
￥2.28
100+
￥1.9
500+
￥1.74
1000+
￥1.64

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型号：IRS2004STRPBF 编号：C78066

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2004是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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1+
￥3.56
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￥2.91
30+
￥2.59
100+
￥2.27

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型号：SL27501SE 编号：C22446793

封装：SOIC-8-EP

品牌：Slkor(萨科微)

SL27501是一款4A单通道高速智能驱动器，能够高效，安全地驱动SiC MOSFET和IGBT。带有负压的驱动可以在高dv / dt下，提高抗米勒效应的噪声抑制能力。退饱和检测可提供有效的短路保护，并降低电源设备和系统元件损坏的风险。

1+
￥3.576 ￥4.47
10+
￥3.488 ￥4.36
30+
￥3.432 ￥4.29
100+
￥3.376 ￥4.22

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型号：SLM2184SCA-13GTR 编号：C883213

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，IN正,SD负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:680/270ns, DT:400ns, MT60nS

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1+
￥3.75
10+
￥3.02
30+
￥2.66
100+
￥2.29

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型号：IR2136STRPBF-HX 编号：C51934037

封装：SOIC-28

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

IR2103STRPBF-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器，具备高低端输出、抗锁存CMOS技术、3.3V逻辑兼容，内置强驱动缓冲，支持高边N沟道器件驱动，电压可达600V

1+
￥3.816 ￥4.24
10+
￥3.033 ￥3.37
30+
￥2.646 ￥2.94
100+
￥2.259 ￥2.51
500+
￥2.034 ￥2.26
1000+
￥1.908 ￥2.12

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型号：NSG21364 编号：C41414506

封装：SOP-28

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.21/0.35A

1+
￥5.9755 ￥6.29
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￥4.94 ￥5.2
30+
￥4.37 ￥4.6
100+
￥3.7335 ￥3.93
500+
￥3.4485 ￥3.63
1000+
￥3.3155 ￥3.49

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型号：LF21814NTR-JSM 编号：C7498988

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥6.001 ￥7.06
10+
￥4.93 ￥5.8
30+
￥4.3435 ￥5.11
100+
￥3.672 ￥4.32
500+
￥3.383 ￥3.98
1000+
￥3.247 ￥3.82

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型号：TF21064-3BS 编号：C6387917

封装：PDIP-14

品牌：TFSS(德律风根)

驱动配置：高低边，高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥6.04 ￥7.55
10+
￥5.032 ￥6.29
25+
￥4.48 ￥5.6
100+
￥3.856 ￥4.82
500+
￥3.576 ￥4.47
1000+
￥3.448 ￥4.31

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型号：LM5109BSDX/NOPB 编号：C910385

封装：WSON-8(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5109B 具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器

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1+
￥6.3
10+
￥5.03
30+
￥4.39

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型号：TF21064M-TUH 编号：C3034732

封装：SOIC-14

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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1+
￥6.32
10+
￥5.11
30+
￥4.51

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型号：NCV57200DR2G 编号：C904655

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV57200是一款高压栅极驱动器，具备一个非隔离式低端栅极驱动器和一个电流隔离式高端或低端栅极驱动器。它能够以半桥配置直接驱动两个IGBT。隔离式高端驱动器可采用隔离电源供电，也可通过自举技术由低端电源供电

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1+
￥6.66
10+
￥5.97
30+
￥5.59
100+
￥5.16
500+
￥4.97
1000+
￥4.89

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型号：L6498DTR 编号：C500658

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

高压高侧和低侧2 A栅极驱动器

数据手册

1+
￥7.47
10+
￥6.32
30+
￥5.75

有货

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型号：FAN7380MX 编号：C890848

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN7380是单片半桥栅极驱动IC，可以驱动工作电压最高达+600V的MOSFET和IGBT。高压工艺和共模噪声消除技术可使高端驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路，能使高端栅极驱动器的工作电压在VBS=15V时高达Vs=-9.8V(典型值)。

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1+
￥7.77
10+
￥6.36
30+
￥5.59
100+
￥4.71

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型号：L6494LD 编号：C2965455

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

高压高侧和低侧2 A栅极驱动器

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1+
￥8.3108 ￥10.52
10+
￥7.0932 ￥10.28
50+
￥5.9767 ￥10.13
100+
￥5.8882 ￥9.98

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型号：DGD2003S8-13 编号：C460686

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2003是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。高压处理技术使DGD2003的高端在自举操作中可切换至200V。DGD2003的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口

数据手册

1+
￥8.6497 ￥12.91
10+
￥6.2814 ￥11.02
30+
￥4.6201 ￥9.83
100+
￥4.0514 ￥8.62
500+
￥3.7929 ￥8.07
1000+
￥3.6848 ￥7.84

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型号：UCC27201ADDAR 编号：C2653809

封装：SO-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

数据手册

1+
￥9.17
10+
￥7.57
30+
￥6.68

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型号：TF23892M-TLH 编号：C2958769

封装：SOIC-28

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 三相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥9.19
10+
￥7.75
30+
￥6.96

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型号：UCC27311ADRCR 编号：C42349194

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27311A 是一款强大的栅极驱动器，专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个 N 沟道 MOSFET 而设计，绝对最大自举电压为 120V。凭借 3.7A 的峰值拉电流和 4.5A 的峰值灌电流能力，UCC27311A 可在驱动大功率 MOSFET 的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS 引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。

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1+
￥9.79
10+
￥9.56
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￥9.41

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