DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：KL817-B-AW 编号：C49374837

封装：DIP-4

品牌：Kinglight(晶台)

光耦合器由一块砷化镓发射器和一块NPN晶体管组成。它采用4引脚DIP封装，并提供宽引线间距和SMD选项

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￥0.1551
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￥0.1493
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￥0.147

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型号：KL817-C-AW 编号：C49374838

封装：DIP-4

品牌：Kinglight(晶台)

光耦合器由一块砷化镓发射器和一块NPN晶体管组成。它采用4引脚DIP封装，并提供宽引线间距和SMD选项

10+
￥0.1551
100+
￥0.1516
300+
￥0.1493
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￥0.147

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型号：KL817M-C-AW 编号：C49374842

封装：DIP-4-M

品牌：Kinglight(晶台)

光耦合器由一块砷化镓发射器和一块NPN晶体管组成。它采用4引脚DIP封装，并提供宽引线间距和SMD选项

10+
￥0.1615
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￥0.1579
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￥0.1555
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￥0.1531

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型号：KL817-D-F 编号：C19943174

封装：DIP-4

品牌：Kinglight(晶台)

晶体管光耦（DC)，电流传输比300~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铁线

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￥0.1947
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￥0.1281
10000+
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型号：KL817M-A-F 编号：C19943179

封装：DIP-4

品牌：Kinglight(晶台)

晶体管光耦（DC)，电流传输比80~160%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铁线

20+
￥0.205
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￥0.19
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￥0.185
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￥0.18
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￥0.16

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型号：KL817-A-F 编号：C19943171

封装：DIP-4

品牌：Kinglight(晶台)

晶体管光耦（DC)，电流传输比80~160%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铁线

20+
￥0.205
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￥0.17
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￥0.15

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型号：KL817M-D-F 编号：C19943182

封装：DIP-4

品牌：Kinglight(晶台)

晶体管光耦（DC)，电流传输比300~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5*4.59*3.5mm），M脚-铁线

20+
￥0.205
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￥0.19
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￥0.185
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￥0.18
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型号：KL817M-B-F 编号：C19943180

封装：DIP-4

品牌：Kinglight(晶台)

晶体管光耦（DC)，电流传输比130~260%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5*4.59*3.5mm），M脚-铁线

20+
￥0.205
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￥0.15
10000+
￥0.13

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型号：KL817-C-F 编号：C19943173

封装：DIP-4

品牌：Kinglight(晶台)

晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铁线

20+
￥0.21
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￥0.14
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20000+
￥0.12

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型号：KL817-B-F 编号：C19943172

封装：DIP-4

品牌：Kinglight(晶台)

晶体管光耦（DC)，电流传输比130~260%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铁线

10+
￥0.21
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5000+
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￥0.12

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型号：KL817M-C-F 编号：C19943181

封装：DIP-4

品牌：Kinglight(晶台)

晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5*4.59*3.5mm），M脚-铁线

20+
￥0.22
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￥0.13

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型号：KL817-D 编号：C19943254

封装：DIP-4

品牌：Kinglight(晶台)

晶体管光耦（DC)，电流传输比300~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5*4.59*3.5mm），直脚-铜线

10+
￥0.2498
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￥0.1922
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￥0.167
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￥0.1497
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型号：KL817-A 编号：C19943251

封装：DIP-4

品牌：Kinglight(晶台)

晶体管光耦（DC)，电流传输比80~160%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5*4.59*3.5mm），直脚-铜线

10+
￥0.2498
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￥0.1922
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￥0.1886
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￥0.167
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￥0.1497
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￥0.141

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型号：KL816-A 编号：C19943340

封装：DIP-4

品牌：Kinglight(晶台)

晶体管光耦（DC)，电流传输比80~160%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5*4.59*3.5mm），直脚-铜线

10+
￥0.2498
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￥0.1922
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￥0.1886
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￥0.167
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￥0.1497
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型号：KL817-C 编号：C19943253

封装：DIP-4

品牌：Kinglight(晶台)

晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5*4.59*3.5mm），直脚-铜线

10+
￥0.251
100+
￥0.1934
300+
￥0.1886
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型号：KL8171 编号：C19943329

封装：DIP-4

品牌：Kinglight(晶台)

晶体管光耦（DC)，电流传输比100~350%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压70V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率170mW，工作温度-30~+100℃，DIP4（尺寸6.5*4.59*3.5mm），直脚-铜线

10+
￥0.251
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￥0.1934
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￥0.1886
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￥0.167
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￥0.141

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型号：KL817-B 编号：C19943252

封装：DIP-4

品牌：Kinglight(晶台)

晶体管光耦（DC)，电流传输比130~260%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5*4.59*3.5mm），直脚-铜线

10+
￥0.251
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￥0.1934
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￥0.141

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型号：KL816-B 编号：C19943341

封装：DIP-4

品牌：Kinglight(晶台)

晶体管光耦（DC)，电流传输比130~260%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5*4.59*3.5mm），直脚-铜线

10+
￥0.257
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￥0.1994
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￥0.1886
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￥0.167
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￥0.1497
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￥0.141

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型号：KL817M-A 编号：C19943259

封装：DIP-4

品牌：Kinglight(晶台)

晶体管光耦（DC)，电流传输比80~160%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5*4.59*3.5mm），M脚-铜线

10+
￥0.2614
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￥0.1739
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￥0.1469

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型号：KL816M-B 编号：C19943351

封装：DIP-4

品牌：Kinglight(晶台)

晶体管光耦（DC)，电流传输比130~260%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5*4.59*3.5mm），M脚-铜线

10+
￥0.2677
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￥0.1964
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￥0.1739
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￥0.1559
10000+
￥0.1469

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型号：KL816-C 编号：C19943342

封装：DIP-4

品牌：Kinglight(晶台)

晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5*4.59*3.5mm），直脚-铜线

10+
￥0.275
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￥0.21
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￥0.2
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￥0.19
10000+
￥0.17

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型号：KL817M-B 编号：C19943260

封装：DIP-4

品牌：Kinglight(晶台)

晶体管光耦（DC)，电流传输比130~260%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5*4.59*3.5mm），M脚-铜线

10+
￥0.28
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￥0.24
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￥0.21
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￥0.19
5000+
￥0.17

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型号：KL817M-C 编号：C19943261

封装：DIP-4

品牌：Kinglight(晶台)

晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5*4.59*3.5mm），M脚-铜线

10+
￥0.28
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￥0.24
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￥0.21
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￥0.19
5000+
￥0.17

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型号：KL816-D 编号：C19943343

封装：DIP-4

品牌：Kinglight(晶台)

晶体管光耦（DC)，电流传输比300~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5*4.59*3.5mm），直脚-铜线

10+
￥0.28
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￥0.188
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￥0.18

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型号：KL816M-C 编号：C19943352

封装：DIP-4

品牌：Kinglight(晶台)

晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5*4.59*3.5mm），M脚-铜线

10+
￥0.29
100+
￥0.26
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￥0.23
1000+
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￥0.18

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型号：KL816M-A 编号：C19943350

封装：DIP-4

品牌：Kinglight(晶台)

晶体管光耦（DC)，电流传输比80~160%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5*4.59*3.5mm），M脚-铜线

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￥0.29
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￥0.26
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￥0.2
5000+
￥0.19

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型号：KL817M-D 编号：C19943262

封装：DIP-4

品牌：Kinglight(晶台)

晶体管光耦（DC)，电流传输比300~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5*4.59*3.5mm），M脚-铜线

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￥0.29
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￥0.26
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￥0.23
1000+
￥0.2
5000+
￥0.19

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型号：KL816M-D 编号：C19943353

封装：DIP-4

品牌：Kinglight(晶台)

晶体管光耦（DC)，电流传输比300~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5*4.59*3.5mm），M脚-铜线

10+
￥0.29
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￥0.26
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型号：KL8171M 编号：C19943330

封装：DIP-4

品牌：Kinglight(晶台)

晶体管光耦（DC)，电流传输比100~350%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压70V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率170mW，工作温度-30~+100℃，DIP4（尺寸6.5*4.59*3.5mm），M脚-铜线

10+
￥0.31
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5000+
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型号：KL2501-L 编号：C19943442

封装：DIP-4

品牌：Kinglight(晶台)

晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间3us，下降时间5us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5*4.59*3.5mm），直脚-铜线

10+
￥0.34
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