6N136光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：DIP-8

6N135、6N136、ICPL4502和ICPL4503器件均由一个红外发光二极管和一个高速光电探测器晶体管光耦合组成。光电二极管偏置和输出晶体管集电极采用独立连接，通过减小输入晶体管的基极 - 集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了几个数量级。

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型号：6N136 编号：C500386

封装：DIP-8

品牌：EVERLIGHT(亿光)

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型号：6N136 编号：C5241880

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

是一种光耦合器，具有 GaAlAs 红外发射二极管，与集成光电探测器光耦合，该探测器由光电二极管和高速晶体管组成，采用 DIP-8 塑料封装。信号可以在两个电气隔离的电路之间传输，最高频率可达 2 MHz。要耦合的电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。

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型号：6N136 编号：C2904407

封装：DIP-8

品牌：Slkor(萨科微)

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型号：6N136M 编号：C2995535

封装：DIP-8

品牌：UMW(友台半导体)

UMW6N135/6N136光耦合器由一个850nm的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）和一个高速光电探测器晶体管光耦合而成。通过降低输入晶体管的基极 - 集电极电容，为光电二极管偏置设置的独立连接使该器件的速度比传统光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。这些器件采用8引脚双列直插式封装（DIP），有宽引脚间距（M型）和贴片式（SMD）可选

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型号：6N136M 编号：C9067

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL4502M、HCPL4503M、HCPL2503M、6N135M、6N136M、HCPL2530M和HCPL2531M光电耦合器包含耦合高速光电检测器晶体管的AlGaAs LED。通过降低输入晶体管的基极-集电极电容，单独连接实现光电二极管偏压使速度比传统光电晶体管光电耦合器提高数个级别。 HCPL4503M不会内部连接到光电晶体管基极，有助于改善抗噪能力，内部噪声屏蔽提供一流的共模抑制性能，高达50,000V/us。

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型号：6N136S 编号：C20612603

封装：SMD-8P

品牌：AOTE(奥特)

6N136S是一种用于单通道的高速光耦合器，由一个850nm的AlGaAs LED光学耦合到一个高速光电检测器组成。光电二极管偏极和输出晶体管集电极的单独连接，可以通过降低基极集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高 100 倍。广泛应用于：CMOS-LSTTL-TTL 的输出接口、通信设备、电机驱动器等。

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￥1.71817 ￥1.8086
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型号：6N136S 编号：C2918950

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Slkor(萨科微)

由一个高效 AlGaAs 发光二极管和一个高速光探测器组成。这种设计可在光耦合器的输入侧和输出侧之间提供出色的交流和直流隔离。光电二极管的偏置连接通过降低基极-集电极电容来提高传统光电晶体管耦合器的速度。

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￥3.18
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￥2.51
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型号：6N136M 编号：C20612602

封装：DIP-8

品牌：AOTE(奥特)

6N136M 是一种用于单通道的高速光耦合器，由一个 850nm 的 AlGaAs LED 光学耦合到一个高速光电检测器组成。光电二极管偏极和输出晶体管集电极的单独连接，可以通过降低基极集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高 100 倍。广泛应用于：CMOS-LSTTL-TTL 的输出接口、通信设备、电机驱动器等。

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￥1.942465 ￥2.0447
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￥1.535485 ￥1.6163
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￥1.361065 ￥1.4327
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￥1.143515 ￥1.2037
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￥1.046615 ￥1.1017
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型号：6N136-L 编号：C194516

封装：DIP-8

品牌：LITEON(光宝)

6N135/6 由一个高效的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和一个高速光检测器组成。这种设计为光耦合器的输入侧和输出侧提供了出色的交流和直流隔离。通过连接偏置光电二极管，减少了基极 - 集电极电容，从而提高了与传统光电晶体管耦合器相比的速度

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型号：6N136S(UMW) 编号：C7436894

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

UMW6N135/6N136光耦合器由一个850nm的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）和一个高速光电探测器晶体管光耦合而成。通过降低输入晶体管的基极 - 集电极电容，为光电二极管偏置设置的独立连接使该器件的速度比传统光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。这些器件采用8引脚双列直插式封装（DIP），有宽引脚间距（M型）和贴片式（SMD）可选

5+
￥1.7081
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￥1.3376
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型号：6N136(S)(T1) 编号：C191865

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：CT MICRO

6N135、6N136、CT4502和CT4503器件均由一个红外发光二极管和一个与之光耦合的高速光电探测器晶体管组成。光电二极管偏置和输出晶体管集电极采用独立连接，通过减小输入晶体管的基极 - 集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了几个数量级。这些器件采用8引脚双列直插式封装（DIP），也提供鸥翼式（400mil）和表面贴装引脚成型封装形式

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￥2.13
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￥2.09
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￥2.05

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型号：6N136SM 编号：C255742

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：ISOCOM(英国安数光)

6N135、6N136、ICPL4502和ICPL4503器件均由一个红外发光二极管和一个高速光电探测器晶体管光耦合组成。光电二极管偏置和输出晶体管集电极采用独立连接，通过减小输入晶体管的基极 - 集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了几个数量级。

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型号：6N136-X009 编号：C2971983

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

6N135 和 6N136 是采用 GaAIAs 红外发光二极管的光耦合器，与由光电二极管和高速晶体管组成的集成光电探测器进行光耦合，采用 DIP - 8 塑料封装。信号可在两个电气隔离的电路之间传输，最高频率可达 2 MHz。待耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压

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￥14.557435
200+
￥12.215306
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￥10.144914
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￥8.540362

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型号：6N136SDM 编号：C24402

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

HCPL4502M、HCPL4503M、HCPL2503M、6N135M、6N136M、HCPL2530M和HCPL2531M光电耦合器包含耦合高速光电检测器晶体管的AlGaAs LED。通过降低输入晶体管的基极-集电极电容，单独连接实现光电二极管偏压使速度比传统光电晶体管光电耦合器提高数个级别。 HCPL4503M不会内部连接到光电晶体管基极，有助于改善抗噪能力，内部噪声屏蔽提供一流的共模抑制性能，高达50,000V/us。

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1+
￥7.05
10+
￥5.84
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￥5.23
100+
￥4.63
500+
￥3.28
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￥3.09

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型号：6N136-560E 编号：C691905

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

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1+
￥6.62
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￥5.36
30+
￥4.72
100+
￥4.09
500+
￥3.71
1000+
￥3.52

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型号：6N136S-TA1-L 编号：C336082

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：LITEON(光宝)

6N135/6N136-L 由高效铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和高速光检测器组成。这种设计为光耦合器的输入和输出端提供了出色的交流和直流隔离。光电二极管偏置连接通过减小基极 - 集电极电容，提高了与传统光电晶体管耦合器相比的速度

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1+
￥2.77
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型号：6N136-500E 编号：C691904

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带宽模拟应用，在IF = 16mA时，电流传输比（CTR）最低为7%。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在IF = 16mA时，这些器件的CTR最低为19%。

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￥5.38
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￥4.38
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￥3.3124 ￥3.38
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￥2.6068 ￥2.66
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￥2.4598 ￥2.51

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型号：6N136S1(TA) 编号：C3015393

封装：SMD-8P

品牌：EVERLIGHT(亿光)

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￥2.9
10+
￥2.28
30+
￥2.01
100+
￥1.68
500+
￥1.53
1000+
￥1.44

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型号：6N136-X007T 编号：C241873

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

光耦合器带有 GaAlAs 红外发射二极管，与集成光电探测器光耦合，该探测器由光电二极管和高速晶体管组成，采用 DIP-8 塑料封装。信号可以在两个电气隔离的电路之间传输，最高频率可达 2 MHz。要耦合的电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。

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