6N139光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：6N139 编号：C5224104

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

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型号：6N139 编号：C2904409

封装：DIP-8

品牌：Slkor(萨科微)

6N138/6N139由一个高效的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和一个高速光检测器组成。这种设计为光耦合器的输入和输出端提供了出色的交流和直流隔离。通过连接偏置光电二极管，减少了基极 - 集电极电容，从而提高了传统光电晶体管耦合器的速度

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型号：6N139 编号：C191869

封装：DIP-8

品牌：CT MICRO

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型号：6N139M 编号：C4071

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分离式达林顿光检测器光耦合的 AlGaAs LED。与传统的达林顿光电耦合器相比，分离式达林顿配置将输入光电二极管和第一阶增益从输出晶体管中分离出来，使得输出饱和电压更低，运行速度更快。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的发射极-基极电阻器在温度范围内具有出色的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适合用作 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 的输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及高扇出 TTL 要求。内部干扰屏蔽具有 10 kV/us 的卓越共模抑制。

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型号：6N139-L 编号：C571212

封装：DIP-8

品牌：LITEON(光宝)

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型号：6N139V 编号：C17394441

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

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型号：6N139S 编号：C17542776

封装：SMD-8P

品牌：LITEON(光宝)

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型号：6N139-V 编号：C17307022

封装：DIP-8

品牌：EVERLIGHT(亿光)

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型号：6N139-SMD8 编号：C47361087

封装：SMD-8P

品牌：拓朴微

6N139 是一种用于单通道的高速光耦合器，由一个 850nm 的 AlGaAs LED 光学耦合到一个高速光电检测器组成。光电二极管偏极和输出晶体管集电极的单独连接，可以通过降低基极集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高 100 倍。采用 8 引脚封装。

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型号：6N139(SL)(T1) 编号：C453475

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：CT MICRO

6N138和6N139光耦合器由一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）与一个高增益分立式达林顿光电探测器光耦合而成。极低的0.5mA输入电流与高达2000%的高电流传输比相结合，使得该系列产品特别适用于MOS、CMOS、低功耗肖特基TTL（LSTTL）和EIA RS232C的输入接口，同时也能确保输出与CMOS以及高扇出TTL要求兼容。

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型号：6N139SM 编号：C898996

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分离式达林顿光检测器光耦合的 AlGaAs LED。与传统的达林顿光电耦合器相比，分离式达林顿配置将输入光电二极管和第一阶增益从输出晶体管中分离出来，使得输出饱和电压更低，运行速度更快。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的发射极-基极电阻器在温度范围内具有出色的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适合用作 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 的输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及高扇出 TTL 要求。内部干扰屏蔽具有 10 kV/us 的卓越共模抑制。

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型号：6N139S-TA1-L 编号：C571213

封装：SOP-8

品牌：LITEON(光宝)

这些高增益系列耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器，以在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与 TTL 兼容的饱和电压和高速运行。如有需要，Vcc 和 Vo 端子可连接在一起，以实现传统的光电达林顿运行。基极接入端子允许进行增益带宽调整。

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型号：6N139-X009T 编号：C3001650

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

高共模瞬态抗扰度和非常高的电流比，以及5300 VRMS绝缘，通过将LED与集成高增益光电探测器耦合在一个八引脚双列直插式封装中实现。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与TTL兼容的饱和电压和高速运行。访问基极端子可以调整增益带宽。适用于涉及CMOS和低功耗TTL应用的低功耗逻辑应用。保证仅需0.5 mA的LED电流即可实现400%的电流传输比。

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型号：CY6N139 编号：C3018822

封装：DIP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

CY6N138、CY6N139光耦合器由一个AlGaAs LED和一个高增益分离达林顿光电探测器组成。通过减少输入晶体管的基极-集电极电容，用于光电二极管偏置的单独连接将速度比传统的光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。这些器件采用8引脚DIP/SMD封装，具有不同的引线形成选项。

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￥1.27
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型号：6N139SDM 编号：C42186

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分离式达林顿光检测器光耦合的 AlGaAs LED。与传统的达林顿光电耦合器相比，分离式达林顿配置将输入光电二极管和第一阶增益从输出晶体管中分离出来，使得输出饱和电压更低，运行速度更快。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的发射极-基极电阻器在温度范围内具有出色的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适合用作 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 的输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及高扇出 TTL 要求。内部干扰屏蔽具有 10 kV/us 的卓越共模抑制。

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