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首页 > 热门关键词 > 6N135光耦
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  • 6N135/6N136 - L由一个高效的铝镓砷(AlGaAs)发光二极管和一个高速光检测器组成。这种设计为光耦合器的输入侧和输出侧提供了出色的交流和直流隔离。光电耦合器偏置连接通过减小基极 - 集电极电容,提高了传统光电晶体管耦合器的速度
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  • 6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容,与传统光电晶体管相比,速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接,改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/?s 的卓越共模抑制。
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  • 有货
  • 由一个高效 AlGaAs 发光二极管和一个高速光探测器组成。这种设计可在光耦合器的输入侧和输出侧之间提供出色的交流和直流隔离。光电二极管的偏置连接通过降低基极-集电极电容来提高传统光电晶体管耦合器的速度。
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  • 有货
  • 6N135,6N136 是一种用于单通道的高速光耦合器,由一个 850nm 的 AlGaAs LED 光学耦合到一个高速光电检测器组成。光电二极管偏极和输出晶体管集电极的单独连接,可以通过降低基极集电极电容,使速度比传统光电晶体管耦合器提高 100 倍。
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      ¥3.744 ¥4.16
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  • 有货
  • 6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容,与传统光电晶体管相比,速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接,改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。
    数据手册
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      ¥9.06
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    • 50+

      ¥6.68
  • 有货
  • 这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层,以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容,光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。部分型号适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带宽模拟应用
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    • 1+

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  • 有货
  • 高速光耦,可满足各式各样的工业控制板需求,包括高速逻辑接地隔离、电源相关、电表、通讯设备、 UPS、太阳能等应用。输入电压类型:DC, 正向压降Max:1.5V;DTR:1Mbps,CMRS1000V/us,隔离电压:5KV.
    • 5+

      ¥2.1354
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      ¥1.6767
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      ¥1.2349
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      ¥1.0602
  • 订货
  • 6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容,与传统光电晶体管相比,速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接,改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。
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      ¥3.3054 / 个
    6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容,与传统光电晶体管相比,速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接,改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。
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      ¥3.4962 / 个
    6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容,与传统光电晶体管相比,速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接,改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。
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      ¥3.67128 / 个
    6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容,与传统光电晶体管相比,速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接,改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。
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