6N138光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：6N138 编号：C5274131

封装：DIP-8

品牌：EVERLIGHT(亿光)

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1+
￥3.57
10+
￥2.84
45+
￥2.45

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型号：6N138M 编号：C3001991

封装：DIP-8

品牌：UMW(友台半导体)

结合了铝镓砷红外发射二极管作为发射极，该发射极通过光学方式耦合到塑料双列直插8引脚封装中的硅高速光电达林顿晶体管，具有不同的引脚成型选项。光电二极管和达林顿晶体管之间的独立设计降低了输入晶体管的基极-集电极电容，与传统光电晶体管光耦合器相比，速度提高了几个数量级。

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5+
￥1.6598
50+
￥1.3013
160+
￥1.1477
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型号：6N138M 编号：C20612604

封装：DIP-8

品牌：AOTE(奥特)

6N138M 是一种用于单通道的高速光耦合器，由一个 850nm 的 AlGaAs LED 光学耦合到一个高速光电检测器组成。广泛应用于：CMOS-LSTTL-TTL 的输出接口、通信设备、电机驱动器中的功率晶体管隔离、替换低速光晶体管光耦合器。

5+
￥1.84023 ￥2.0447
50+
￥1.45467 ￥1.6163
135+
￥1.28943 ￥1.4327
495+
￥1.08333 ￥1.2037
2520+
￥0.99153 ￥1.1017
4995+
￥0.93636 ￥1.0404

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型号：6N138-L 编号：C571211

封装：DIP-8

品牌：LITEON(光宝)

这些高增益系列耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器，在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与 TTL 兼容的饱和电压和高速操作。如有需要，可将 Vcc 和 Vo 端子连接在一起，以实现传统的光电达林顿操作。基极接入端子可进行增益带宽调整。

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1+
￥3.07
10+
￥2.43
50+
￥2.15
100+
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型号：6N138M 编号：C898994

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分割达林顿光检测器进行光耦合的 AlGaAs LED。该分割达林顿配置将输入光电二极管和第一级增益与输出晶体管进行分离，与传统达林顿光电晶体管光耦合器相比，可实现更低的输出饱和电压和更高的运行速度。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的发射极-基极电阻器在温度范围内提供了卓越的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适用于 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及较高的扇出 TTL 要求。内部噪声屏蔽提供卓越的 10 kV/us 共模抑制。

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1+
￥13.39
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￥11.45
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型号：6N138S 编号：C17586977

封装：SMD-8P

品牌：LITEON(光宝)

1+
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￥0.3804
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型号：6N138S-TA1-L 编号：C22451885

封装：SMD-8P

品牌：LITEON(光宝)

这些高增益系列耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器，在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与 TTL 兼容的饱和电压和高速运行。如有需要，Vcc 和 Vo 端子可以连接在一起，以实现传统的光电达林顿运行。基极接入端子允许进行增益带宽调整。

1+
￥3.38
10+
￥2.68
30+
￥2.38
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￥2

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型号：6N138SDM 编号：C188666

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分割达林顿光检测器进行光耦合的 AlGaAs LED。该分割达林顿配置将输入光电二极管和第一级增益与输出晶体管进行分离，与传统达林顿光电晶体管光耦合器相比，可实现更低的输出饱和电压和更高的运行速度。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的发射极-基极电阻器在温度范围内提供了卓越的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适用于 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及较高的扇出 TTL 要求。内部噪声屏蔽提供卓越的 10 kV/us 共模抑制。

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1+
￥14.74
10+
￥12.51
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型号：6N138SM 编号：C188667

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分割达林顿光检测器进行光耦合的 AlGaAs LED。该分割达林顿配置将输入光电二极管和第一级增益与输出晶体管进行分离，与传统达林顿光电晶体管光耦合器相比，可实现更低的输出饱和电压和更高的运行速度。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的发射极-基极电阻器在温度范围内提供了卓越的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适用于 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及较高的扇出 TTL 要求。内部噪声屏蔽提供卓越的 10 kV/us 共模抑制。

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