DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：4N38M 编号：C898977

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 为光电晶体管型光耦合光绝缘体。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管进行耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。

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单价：
￥1.21848 / 个

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型号：MOC3031M 编号：C463091

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM和MOC304XM器件包含AlGaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

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单价：
￥2.23824 / 个

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型号：CNY172VM 编号：C899077

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。

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单价：
￥1.34124 / 个

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型号：CNY171VM 编号：C899071

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。

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单价：
￥1.299 / 个

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型号：MOC3033M 编号：C463092

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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单价：
￥2.20224 / 个

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型号：SFH610A-4 编号：C17410010

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥2.34
10+
￥2.28
30+
￥2.24
100+
￥2.2

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型号：CNY173VM 编号：C258248

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件包含砷化镓红外发光二极管，与双列直插封装中的 NPN 光电晶体管耦合。

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单价：
￥1.34124 / 个

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型号：H11AV1AVM 编号：C899440

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。

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单价：
￥1.41372 / 个

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型号：4N33TVM 编号：C898963

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M 和 TIL113M 具有与硅外延平面光电达林顿进行光耦合的砷化镓红外发光二极管。

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单价：
￥1.64832 / 个

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型号：4N32TVM 编号：C898959

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器，光耦合至一个硅平面达林顿放大器。

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单价：
￥1.64832 / 个

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型号：MOC8050TVM 编号：C899882

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC8021M 和 MOC8050M 为光电达林顿型光耦合器,无基极联接。此类器件具有与硅达林顿光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管。

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单价：
￥1.42092 / 个

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型号：FOD817A300 编号：C258250

封装：DIP-4

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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单价：
￥0.63636 / 个

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型号：VO617A-3 编号：C512405

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

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5+
￥2.96
50+
￥2.35
150+
￥2.09
500+
￥1.77
2500+
￥1.62
5000+
￥1.54

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型号：CNY17F2TVM 编号：C899097

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。

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单价：
￥1.22496 / 个

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型号：H11AA1TVM 编号：C899429

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11AAXM 系列由两个反相并联连接的砷化镓红外发光二极管组成，以驱动单个硅光电晶体管输出。

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单价：
￥1.87884 / 个

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型号：CNY17-1 编号：C5241878

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

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1+
￥3.25
10+
￥2.6
50+
￥2.25
100+
￥1.9
500+
￥1.75
1000+
￥1.66

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型号：FOD817DS 编号：C243072

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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单价：
￥0.6264 / 个

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型号：FOD852300 编号：C900932

封装：DIP-4

品牌：onsemi(安森美)

FOD852 在 4 引脚双列直插封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电达林顿输出（带有集成的基极发射电阻）。

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单价：
￥2.03736 / 个

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型号：H11D3M 编号：C899453

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 为光电晶体管型光耦合光绝缘体。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管进行耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。

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单价：
￥2.16924 / 个

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型号：H11G1TVM 编号：C899468

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11G1M 和 H11G2M 是光电达林顿型光耦合器。这些器件具有与硅达灵顿连接光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管，具有集成的基极-发射极电阻，可优化高温特性。

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单价：
￥2.049 / 个

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型号：H11B1M 编号：C899445

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器，光耦合至一个硅平面达林顿放大器。

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单价：
￥1.4958 / 个

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型号：MPC3150L(SL)(T1)-GV 编号：C17701961

封装：SOP-8

品牌：MP(美禄科技)

输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：20kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：500ns；500ns 电源电压：15V~30V 高抗噪能力、1.0A输出电流、栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分800V/20A IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT或MOSFET。

1+
￥3.81
10+
￥3.09
30+
￥2.73
100+
￥2.37
500+
￥2.16
1000+
￥2.05

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型号：H11D1SR2M 编号：C463502

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 都是耦合至光隔离器的光电晶体管类型。一个砷化镓红外发光二极管与一个高压NPN硅光电二极管耦合。该器件提供标准塑封6引脚双列直插封装。

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单价：
￥2.46096 / 个

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型号：MCT5211M 编号：C899740

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MCT52XXM 系列在六引脚双列直插封装内包括一个与 NPN 光电晶体管耦合的高能效 AlGaAs 红外发光二极管。MCT52XXM 适用于 CMOS 与 LSTT/TTL 的接口，提供 250% CTR CE(SAT)，LED 输入电流为 1mA。提供 1.6mA 的 LED 输入电流时，数据速率可达 20K bits/s。MCT52XXM 可将 LSTTL 轻松接口 LSTTL/ TTL，使用外部基极-射极电阻时，数据速率可达 100K bits/s。

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