DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

H11G1M 和 H11G2M 是光电达林顿型光耦合器。这些器件具有与硅达灵顿连接光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管，具有集成的基极-发射极电阻，可优化高温特性。

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￥1.95816 / 个

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型号：BCY214 编号：C22370884

封装：DIP-4

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：3mA 漏电流：1uA；主要应用：通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等

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￥5.6
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型号：TLP3023SF 编号：C141590

封装：DIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：BCY212G1 编号：C22370881

封装：DIP-4

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：5mA 漏电流：1uA；主要应用：通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等

1+
￥6.32
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￥5.24
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型号：ELR3223(CLW)-V 编号：C414646

封装：DIP-7

品牌：EVERLIGHT(亿光)

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型号：CNY17F-4 编号：C3151704

封装：DIP-6

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型号：H11F3M 编号：C899460

封装：DIP-6

H11FXM系列包含一个砷铝化镓IRED发光二极管，该二极管光学耦合至对称双向硅光电探测器。探测器与输入端绝缘，功能类似于理想的隔离式FET，设计用于低电平AC和DC模拟信号的无失真控制。 H11FXM系列器件采用双列直插封装。

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￥3.6306 / 个

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型号：6N139 编号：C5224104

封装：DIP-8

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型号：MCT62 编号：C899746

封装：DIP-8

MCT6X 光耦合器具有两个用于密度应用的沟道。对于四沟道应用，采用两个封装来容纳标准的 16 引脚 DIP 插槽。每个沟道都是一个与砷化镓发光二极管进行光耦合的 NPN 硅外延平面光电晶体管。

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￥1.81752 / 个

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型号：FOD2741BTV 编号：C899232

封装：DIP-8

FOD2741光隔离放大器包括流行的KA431精密可编程分流电压基准和光耦合器。该光耦合器是一种以光学方式耦合到硅光电晶体管的砷化镓(GaAs)发光二极管。它具有3级参考电压，容差 = 2%，1%和0.5%。电流传输比(CTR)的范围为100%-200%。它还具有50 ppm/°C的杰出温度系数。它主要用作隔离交流到直流电源和直流/直流转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器。使用FOD2741时，电源设计者可减少紧密封装设计中的组件数量并节省空间。严格的容差参考使得在许多应用中都无需进行调整。该器件采用8引脚DIP白色封装。

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￥4.24368 / 个

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型号：SFH6345-X016 编号：C3009211

封装：DIP-8

是一款光耦合器，采用 GaAlAs 红外发射二极管，通过光学方式与集成光电探测器耦合，该探测器由光电二极管和高速晶体管组成，采用 DIP-8 塑料封装。该器件与 6N135 类似，但在探测器上增加了一个法拉第屏蔽层，增强了输入-输出 dV/dt 抗扰度。信号可以在两个电气隔离的电路之间传输，最高频率可达 2 MHz。这是工业通信总线隔离以及 IPM（智能功率模块）驱动器等隔离驱动电路应用的理想解决方案。

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￥7.62
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￥7.34
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￥6.96

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型号：BCY252G 编号：C22370883

封装：DIP-4

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：5mA 漏电流：1uA；主要应用：通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等

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￥7.69
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型号：4N35VM 编号：C898968

封装：DIP-6

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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￥1.30896 / 个

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型号：FOD2743BTV 编号：C899238

封装：DIP-8

FOD2743 光隔离放大器由受欢迎的 KA431 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。它具有 3 个参考电压容限等级：2%，1% 和 0.5%。电流传输比 (CTR) 范围为 50% 至 100%。它还具有出色的 50 ppm/°C 温度系数。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2743 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚 DIP 白色封装。

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￥5.55036 / 个

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型号：MOC8021M 编号：C899878

封装：DIP-6

MOC8021M 和 MOC8050M 为光电达林顿型光耦合器,无基极联接。此类器件具有与硅达林顿光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管。

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￥1.60092 / 个

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型号：ILQ615-4 编号：C5361068

封装：DIP-16

单价：
￥15.656602 / 个

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型号：HCPL2730 编号：C899535

封装：DIP-8

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1+
￥12.18
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￥11.9
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￥11.71
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￥11.53

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型号：CNY64 编号：C17519097

封装：DIP-4

由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管在一个4引脚塑料封装中光耦合而成。单个组件彼此相对安装，输入和输出之间的距离大于3mm，以满足最高安全要求。

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￥12.25
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型号：HCPL-2530-000E 编号：C692023

封装：DIP-8

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1+
￥7.6388
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￥7.0512
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￥6.69864
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￥6.58112

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型号：MCT5210M 编号：C899738

封装：DIP-6

MCT52XXM 系列在六引脚双列直插封装内包括一个与 NPN 光电晶体管耦合的高能效 AlGaAs 红外发光二极管。MCT52XXM 适用于 CMOS 与 LSTT/TTL 的接口，提供 250% CTR CE(SAT)，LED 输入电流为 1mA。提供 1.6mA 的 LED 输入电流时，数据速率可达 20K bits/s。MCT52XXM 可将 LSTTL 轻松接口 LSTTL/ TTL，使用外部基极-射极电阻时，数据速率可达 100K bits/s。

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￥2.81796 / 个

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型号：LTV-8441 编号：C10799

封装：DIP-16

品牌：LITEON(光宝)

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1+
￥19.7
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￥19.25
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￥18.96
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￥18.66

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型号：HCNW4503-000E 编号：C188690

封装：DIP-8

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1+
￥20.6
10+
￥20.14
42+
￥16.65
84+
￥16.35

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型号：IL300-DEFG-X016 编号：C6968643

封装：DIP-8

1+
￥24.51
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￥21.11
50+
￥19.09
100+
￥17.04
500+
￥16.1
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￥15.67

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型号：HCNW2211-000E 编号：C692000

封装：DIP-8

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750+
￥13.614905
1500+
￥13.268763

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型号：PD2601 编号：C1559153

封装：DIP-16

品牌：Littelfuse/IXYS

是一款使用光耦合和双功率SCR输出的交流固态开关，可替代光耦合器和Tias电路。该开关能够提供高达600Vₚ的阻断电压和20A的最大浪涌电流额定值。此外，严格控制的过零电路可确保在不产生瞬变的情况下切换交流负载。输入和输出电路通过光耦合，可在控制电路和负载电路之间提供3750Vrms的隔离和抗噪能力。因此，适用于电磁干扰会影响机电继电器运行的工业环境。

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￥27.85
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￥23.83
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￥21.44
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￥19.02
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￥17.9
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￥17.4

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型号：HCNW4504-000E 编号：C692003

封装：DIP-8

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￥28.54
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￥24.3
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型号：HCPL-7723-000E 编号：C692057

封装：DIP-8

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单价：
￥68.425785 / 个

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型号：FOD4118 编号：C899297

封装：DIP-6