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首页 > 热门关键词 > DIP光耦
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晶体管光耦(DC),电流传输比200~400%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200mW,上升时间3us,下降时间5us,工作温度-55~+110℃,DIP4(尺寸6.5*4.59*3.5mm),M脚-铜线
  • 10+

    ¥0.35
  • 100+

    ¥0.32
  • 300+

    ¥0.3
  • 1000+

    ¥0.27
  • 5000+

    ¥0.24
  • 订货
    • 10+

      ¥0.35
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      ¥0.32
    • 300+

      ¥0.3
    • 1000+

      ¥0.27
    • 5000+

      ¥0.24
  • 订货
  • 晶体管光耦(DC),电流传输比300~600%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200mW,上升时间3us,下降时间5us,工作温度-55~+110℃,DIP4(尺寸6.5*4.59*3.5mm),M脚-铜线
    • 10+

      ¥0.35
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      ¥0.25
  • 订货
  • 晶体管光耦(DC),电流传输比300~600%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200mW,上升时间3us,下降时间5us,工作温度-55~+110℃,DIP4(尺寸6.5*4.59*3.5mm),直脚-铜线
    • 10+

      ¥0.35
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    • 5000+

      ¥0.24
  • 订货
    • 10+

      ¥0.3916
    • 100+

      ¥0.3172
    • 300+

      ¥0.311
    • 1000+

      ¥0.2831
    • 5000+

      ¥0.2608
    • 10000+

      ¥0.2496
  • 订货
    • 5+

      ¥0.4909
    • 50+

      ¥0.48
    • 130+

      ¥0.4727
    • 520+

      ¥0.4654
  • 订货
  • 由一个砷化镓红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的可控硅光电耦合器。它被设计用于电子控制和电源试验之间的接口,以控制115到240V AC操作的电阻和感应负载
    • 5+

      ¥0.5039
    • 50+

      ¥0.4926
    • 130+

      ¥0.4851
    • 520+

      ¥0.4777
  • 订货
  • 可控硅光耦,触发电流5MA,正向电压1.5V,反向电流10uA,Min断态输出端电压:600V,Max断态峰值电流500nA,抑制电压20V,隔离电压5000V,总消耗功率300mW,工作温度-55~+100℃,DIP6(尺寸7.1x6.48x3.5mm),直脚-铜线
    • 5+

      ¥0.5669
    • 50+

      ¥0.5536
    • 130+

      ¥0.5448
    • 520+

      ¥0.5359
  • 订货
  • 可控硅光耦,触发电流15MA,正向电压1.5V,反向电流10uA,Min断态输出端电压:800V,Max断态峰值电流500nA,抑制电压20V,隔离电压5000V,总消耗功率300mW,工作温度-55~+100℃,DIP6(尺寸7.1x6.48x3.5mm),直脚-铜线
    • 5+

      ¥0.8587
    • 50+

      ¥0.6571
    • 130+

      ¥0.6507
    • 520+

      ¥0.5429
    • 2470+

      ¥0.4949
    • 5005+

      ¥0.466
  • 订货
  • 施密特触发器光耦,电源电流3-16V,上升时间0.1us,下降时间0.1us,阀值开启电流1.6mA,隔离电压5000V,总消耗功率250mW,工作温度-55~+100℃,DIP6(尺寸7.12x6.5x3.5),直脚-铜线
    • 5+

      ¥0.9858
    • 50+

      ¥0.9628
    • 130+

      ¥0.9474
    • 520+

      ¥0.932
  • 订货
  • 高速光耦:输入类型:DC 共模瞬变抗扰度CMTI:20kV/us 数据速率:10Mbit/s 传播延迟tpLH/tpHL:75ns;75ns 电源电压:4.5V~5.5V;2.7~3.6V 高速 10MB/s 逻辑门极光耦合器。
    • 5+

      ¥1.0712
    • 50+

      ¥1.0477
    • 135+

      ¥1.032
    • 495+

      ¥1.0163
  • 订货
  • 晶体管光耦(DC),电流传输比50~600%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压350V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200mW,上升时间4us,下降时间5us,工作温度-55~+110℃,DIP4(尺寸6.5x4.59x3.5mm),直脚-铜线
    • 5+

      ¥1.2
    • 50+

      ¥1
    • 200+

      ¥0.9
    • 500+

      ¥0.87
    • 2500+

      ¥0.83
    • 5000+

      ¥0.8
  • 订货
  • 晶体管光耦(DC),电流传输比50~600%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压350V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200mW,上升时间4us,下降时间5us,工作温度-55~+110℃,DIP4(尺寸6.5x4.59x3.5mm),M脚-铜线
    • 5+

      ¥1.3141
    • 50+

      ¥1.0319
    • 200+

      ¥0.9109
    • 500+

      ¥0.76
    • 2500+

      ¥0.6928
    • 5000+

      ¥0.6524
  • 订货
  • 特性:输入与输出之间的隔离电压 Viso:5000Vrms。 5 引脚 DIP 光耦合器,三端双向可控硅驱动器输出。 高重复峰值关态电压 VDRM:最小值 600V。应用:白炽灯调光器
    数据手册
    • 50+

      ¥0.6885
    • 500+

      ¥0.6375
    • 1000+

      ¥0.612
    • 5000+

      ¥0.5865
    • 10000+

      ¥0.561
    • 5+

      ¥1.493
    • 50+

      ¥1.188
    • 130+

      ¥1.0211
    • 520+

      ¥0.7722 ¥0.858
    • 3250+

      ¥0.70686 ¥0.7854
    • 4875+

      ¥0.66762 ¥0.7418
  • 有货
  • MOC301XM 和 MOC302XM 系列为光绝缘三端双向可控硅元件驱动器器件。此类器件包含 GaAs 红外发光二极管和光激活硅双向开关,其功能与三端双向可控硅元件类似。适用于电子控件与电源三端双向可控硅开关元件之间的接口,以在 115 VAC 条件下控制电阻负载和电感负载。
    数据手册
    • 单价:

      ¥1.63152 / 个
    MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光学隔离三端双向可控硅驱动器。这些器件包含GaAs红外线发光二极管和光敏可控硅双向开关,功能与三端双向可控硅类似。它们设计用于电子控件和功率三端双向可控硅之间的接口,以控制 115 V
    数据手册
    • 单价:

      ¥1.70244 / 个
    MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关,其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适合用作电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口,可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。
    数据手册
    • 单价:

      ¥1.63152 / 个
    • 1+

      ¥3.05
    • 10+

      ¥2.98
    • 30+

      ¥2.94
    • 76+

      ¥2.9
  • 订货
  • MOC3071M、MOC3072M 和 MOC3073M 由与非零交叉硅双向交流开关(三路器件)进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 240 VAC 线路进行隔离,可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能,可确保电感负载的稳定开关性能。
    数据手册
    • 单价:

      ¥1.96428 / 个
    MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成,执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件,如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。
    数据手册
    • 单价:

      ¥2.24196 / 个
    H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器,针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化,利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。
    数据手册
    • 单价:

      ¥2.14428 / 个
    MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成,执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件,如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。
    数据手册
    • 单价:

      ¥2.20224 / 个
    MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成,执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件,如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。
    数据手册
    • 单价:

      ¥2.24196 / 个
    MOC303XM和MOC304XM器件包含AlGaAs红外线发光二极管,该二极管光学耦合至单片硅检测器,可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。
    数据手册
    • 单价:

      ¥2.24196 / 个
    4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 都是耦合至光隔离器的光电晶体管类型。 一个砷化镓红外发光二极管与一个高压NPN硅光电二极管耦合。 该器件提供标准塑封6引脚双列直插封装。
    数据手册
    • 单价:

      ¥2.2374 / 个
    MOC306XM和MOC316XM器件包含GaAs红外线发光二极管,该二极管光学耦合至单片硅检测器,可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。
    数据手册
    • 单价:

      ¥2.24196 / 个
    MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成,执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件,如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。
    数据手册
    • 单价:

      ¥2.24196 / 个
    MOC3071M、MOC3072M 和 MOC3073M 由与非零交叉硅双向交流开关(三路器件)进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 240 VAC 线路进行绝缘,可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能,可确保电感负载的稳定开关性能。
    数据手册
    • 单价:

      ¥1.98168 / 个
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