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首页 > 热门关键词 > 东芝光耦
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与TLP185(GB-TPR,SE(T包装方式不一样,其他性能一致
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  • 5+

    ¥0.7017
  • 50+

    ¥0.5568
  • 150+

    ¥0.4823
  • 500+

    ¥0.4209
  • 3000+

    ¥0.4024
  • 6000+

    ¥0.3879
  • 有货
  • 由光电晶体管组成,与砷化镓红外发射二极管光耦合。采用SO4封装,是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围(Ta = -55至110℃)和高隔离电压(3750Vrms),适用于高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7265
    • 50+

      ¥0.5753
    • 150+

      ¥0.4976
    • 500+

      ¥0.4335
    • 2500+

      ¥0.4112
    • 5000+

      ¥0.3961
  • 有货
  • TLP2362由一个高输出GaAlAs发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成。TLP2362可保证在高达125°C的温度下工作,且工作电源电压范围为2.7 V至5 V。
    数据手册
    • 1+

      ¥3
    • 10+

      ¥2.32
    • 30+

      ¥1.99
    • 100+

      ¥1.69
    • 500+

      ¥1.61
    • 1000+

      ¥1.56
  • 有货
  • TLP187是一款光耦合器,由一个与达林顿晶体管进行光耦合的铟镓砷(InGaAs)红外发光二极管组成。它采用SO6封装,具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间具有高击穿电压,TLP187适用于可编程控制器的100 VDC输出模块等应用场景
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6728
    • 50+

      ¥1.2941
    • 150+

      ¥1.1093
    • 500+

      ¥0.9425
    • 3000+

      ¥0.8972
    • 6000+

      ¥0.87
  • 有货
  • 是一款适合表面贴装的小外形耦合器,由高输出功率红外发射二极管与高速光电二极管-晶体管芯片光耦合而成。采用SO6封装,保证爬电距离≥5.0mm、电气间隙≥5.0mm和绝缘厚度≥0.4mm,符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.95
    • 10+

      ¥2.26
    • 30+

      ¥1.93
    • 100+

      ¥1.63
    • 500+

      ¥1.55
    • 1000+

      ¥1.5
  • 有货
  • 高速光电探测器,贴片5个脚
    数据手册
    • 1+

      ¥3.09
    • 10+

      ¥2.39
    • 30+

      ¥2.05
    • 100+

      ¥1.74
    • 500+

      ¥1.63
    • 1000+

      ¥1.58
  • 有货
  • TLP172GM由一个铝镓砷红外发光二极管和一个光MOSFET光耦合而成,采用4引脚SO6封装,适用于表面贴装组装。TLP172GM适用于需要节省空间的电池管理系统。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.68
    • 10+

      ¥3.08
    • 30+

      ¥2.65
    • 100+

      ¥2.3
    • 500+

      ¥2.14
    • 1000+

      ¥2.07
  • 有货
  • 东芝 TLP291-4 由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP291-4 光电耦合器采用非常小巧轻薄的 SO16 封装。由于 TLP291-4 可在较宽的工作温度范围(Ta = -55 至 110°C)内正常工作,因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
    数据手册
    • 1+

      ¥4.55
    • 10+

      ¥3.93
    • 30+

      ¥3.5
    • 100+

      ¥3.14
    • 500+

      ¥2.19
    • 1000+

      ¥2.12
  • 有货
  • 高速光电探测器
    数据手册
    • 1+

      ¥3.28
    • 10+

      ¥2.59
    • 30+

      ¥2.25
    • 100+

      ¥1.95
    • 500+

      ¥1.68
    • 1000+

      ¥1.63
  • 有货
  • TLP240A和TLP240AF光电继电器由与红外发光二极管光耦合的光电MOSFET组成。它们采用4引脚DIP封装。其隔离电压为5000 Vrms,适用于需要加强绝缘的应用
    数据手册
    • 1+

      ¥4.88
    • 10+

      ¥4.05
    • 30+

      ¥3.46
    • 100+

      ¥2.98
    • 500+

      ¥2.9
    • 1500+

      ¥2.81
  • 有货
  • 东芝小型扁平耦合器TLP127是一款小外形耦合器,适用于表面贴装组装。TLP127由一个砷化镓红外发光二极管和一个带集成基极 - 发射极电阻的达林顿光电晶体管光耦合而成,其VCEO为300V。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.45
    • 10+

      ¥3.72
    • 30+

      ¥3.2
    • 100+

      ¥2.77
    • 500+

      ¥2.64
    • 1000+

      ¥2.56
  • 有货
  • 是一款采用DIP8封装的光电耦合器,由砷化镓红外发光二极管 (LED) 与集成高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽,能保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出,可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.17
    • 10+

      ¥4.3
    • 30+

      ¥3.69
    • 100+

      ¥3.18
    • 500+

      ¥3.02
    • 1500+

      ¥2.93
  • 有货
  • 由与砷化镓 (GaAs) 红外发射二极管光耦合的硅光电晶体管组成,采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装,具有高隔离电压 (交流:5kVRMS (最小值))。TLP785F 是 TLP785 的长爬电表面贴装引脚成型类型。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6456
    • 50+

      ¥0.5113
    • 150+

      ¥0.4422
    • 500+

      ¥0.3853
    • 2000+

      ¥0.3654
    • 4000+

      ¥0.352
  • 有货
  • 由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合组成,采用SO6封装。可在4.5V至30V的电源电压下工作,最高工作温度为110°C。具有低电源电流和低阈值输入电流,有助于设备节能,可由微计算机直接驱动。探测器具有图腾柱输出级,具有电流源和灌电流能力。内部有法拉第屏蔽,保证了±30kV/μs的共模瞬态抗扰度,有缓冲输出,也有反相器输出版本。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.81
    • 10+

      ¥4.14
    • 30+

      ¥3.67
    • 100+

      ¥3.29
    • 500+

      ¥2.41
    • 1000+

      ¥2.33
  • 有货
  • TLP175A光电继电器由一个与红外发光二极管光耦合的光电MOSFET组成。它采用4引脚SO6封装。这款光电继电器需要1mA的LED电流才能导通
    数据手册
    • 1+

      ¥6.35
    • 10+

      ¥5.27
    • 30+

      ¥4.73
    • 100+

      ¥4.19
    • 500+

      ¥3.06
    • 1000+

      ¥2.9
  • 有货
  • TLP290(SE) 由光电晶体管组成,该光电晶体管与两个反向并联的砷化镓红外发光二极管进行光耦合,并且可以通过交流输入电流直接工作。TLP290(SE) 采用非常小巧纤薄的 SO4 封装。由于 TLP290(SE) 保证了较宽的工作温度范围(Ta = -55 至 110°C)和较高的隔离电压(3750 Vrms),因此适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器和混合集成电路
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1226
    • 50+

      ¥0.862
    • 150+

      ¥0.7348
    • 500+

      ¥0.6214
    • 2500+

      ¥0.5902
    • 5000+

      ¥0.5715
  • 有货
  • 由GaAtAs红外发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成,采用SO6封装。光电探测器具有内部法拉第屏蔽,可保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度,适用于IGBT或功率MOSFET的直接栅极驱动电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.25
    • 10+

      ¥2.54
    • 30+

      ¥2.23
    • 100+

      ¥1.85
    • 500+

      ¥1.68
    • 1000+

      ¥1.57
  • 有货
  • 由GaAtAs红外发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成。采用SO6封装,输出级为集电极开路类型。光电探测器具有内部法拉第屏蔽,保证了±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.01
    • 10+

      ¥3.28
    • 30+

      ¥2.91
    • 100+

      ¥2.55
    • 500+

      ¥1.99
    • 1000+

      ¥1.87
  • 有货
  • 由高输出GaAs发光二极管与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用SO8封装,具有图腾柱输出,可吸收和提供电流。有两个LED-感光器对,有助于节省电路板空间。内部噪声屏蔽可保证20kV/μs的共模瞬态抗扰度。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.64
    • 10+

      ¥6.34
    • 30+

      ¥5.63
    • 100+

      ¥4.83
    • 500+

      ¥4.11
    • 1000+

      ¥3.95
  • 有货
  • TLP290由光电晶体管组成,该光电晶体管与两个反向并联的砷化镓红外发光二极管光耦合,可通过交流输入电流直接工作。由于TLP290保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至110°C以及较高的隔离电压(3750Vrms),因此适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器和混合集成电路。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2684
    • 50+

      ¥0.9927
    • 150+

      ¥0.8745
    • 500+

      ¥0.7271
    • 2500+

      ¥0.6412
    • 5000+

      ¥0.6018
  • 有货
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