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6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED,与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极,允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流(扇出 8)。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制,通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。
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  • MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成,执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件,如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。
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  • MOC301XM 和 MOC302XM 系列为光隔离三端双向可控硅元件驱动器器件。此类器件包含 GaAs 红外发光二极管和光激活硅双向开关,其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适用于电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口,可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。
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  • FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器,能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度,具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED),该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。
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  • MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成,执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件,如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。
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  • MOC301XM 和 MOC302XM 系列为光隔离三端双向可控硅元件驱动器器件。此类器件包含 GaAs 红外发光二极管和光激活硅双向开关,其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适用于电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口,可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。
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  • MOC3081M、MOC3082M和MOC3083M器件包含GaAs红外线发光二极管,该二极管光学耦合至单片硅检测器,可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。
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  • MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光学隔离三端双向可控硅驱动器。这些器件包含GaAs红外线发光二极管和光敏可控硅双向开关,功能与三端双向可控硅类似。它们设计用于电子控件和功率三端双向可控硅之间的接口,以控制 115 V
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  • MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成,执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的分离电源三端双向可控硅开关元件,如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。
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  • MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关,其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适合用作电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口,可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。
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  • MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成,执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的分离电源三端双向可控硅开关元件,如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。
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  • HCPL06XX光电耦合器包含AlGaAS LED,该LED光学耦合至具有可选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门(单通道器件)。 这些器件采用紧凑型小尺寸封装。 该输出具有开路集电极,从而允许有线OR输出。 HCPL0600、HCPL0601和HCPL0611输出包含基于双极性工艺的双极性晶体管,而HCPL0637、HCPL0638和HCPL0639输出包含基于CMOS工艺的双极性晶体管,以降低功耗。 在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。 内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制。
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  • MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光学隔离三端双向可控硅驱动器。这些器件包含GaAs红外线发光二极管和光敏可控硅双向开关,功能与三端双向可控硅类似。它们设计用于电子控件和功率三端双向可控硅之间的接口,以控制 115 V
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  • MOC3081M、MOC3082M和MOC3083M器件包含GaAs红外线发光二极管,该二极管光学耦合至单片硅检测器,可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。
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  • FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管,反相并联,驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管,驱动硅光电晶体管。
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  • MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成,执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件,如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。
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  • MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成,执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件,如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。
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  • MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关(三路器件)进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离,可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能,可确保电感负载的稳定开关性能。
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  • MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关,其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适合用作电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口,可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。
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