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首页 > 热门关键词 > DIP光耦
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专为高电流应用而设计,常见于工业设备中。该继电器是单极、常开、1 Form A机电继电器的固态替代品。由一个AlGaAs红外发光二极管(LED)输入级组成,该输入级通过光耦合到一个高压输出检测电路。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路组成,用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为5 mA时,继电器开启(触点闭合)。当输入电压为0.8V或更低时,继电器关闭(触点断开)。电气和开关特性在-40℃至+85℃的温度范围内有规定。连接A允许继电器切换交流或直流负载。连接B具有降低导通电阻和更高输出电流的优点,仅允许继电器切换直流负载。
  • 1+

    ¥70.53
  • 10+

    ¥61.22
  • 50+

    ¥55.55
  • 100+

    ¥50.79
  • 订货
    • 1+

      ¥76.04
    • 10+

      ¥65.86
    • 50+

      ¥55.55
    • 100+

      ¥50.35
  • 订货
    • 1+

      ¥1159.01
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      ¥448.52
    • 500+

      ¥432.76
    • 1000+

      ¥424.97
  • 订货
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      ¥0.3217
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      ¥0.2569
    • 300+

      ¥0.2164
    • 1000+

      ¥0.1921
    • 5000+

      ¥0.1726
    • 10000+

      ¥0.1629
  • 订货
  • 由一个砷化镓红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的可控硅光电耦合器。它被设计用于电子控制和电源试验之间的接口,以控制115到240V AC操作的电阻和感应负载
    • 5+

      ¥0.5039
    • 50+

      ¥0.4926
    • 130+

      ¥0.4851
    • 520+

      ¥0.4777
  • 订货
  • 由一个砷化镓红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的可控硅光电耦合器。它被设计用于电子控制和电源试验之间的接口,以控制115到240V AC操作的电阻和感应负载
    • 5+

      ¥0.5039
    • 50+

      ¥0.4926
    • 130+

      ¥0.4851
    • 520+

      ¥0.4777
  • 订货
    • 10+

      ¥1.1733
    • 100+

      ¥0.9432
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      ¥0.8445
    • 1000+

      ¥0.7215
    • 5000+

      ¥0.6667
    • 10000+

      ¥0.6338
  • 订货
  • 特性:输入与输出之间的隔离电压 Viso:5000Vrms。 5 引脚 DIP 光耦合器,三端双向可控硅驱动器输出。 高重复峰值关态电压 VDRM:最小值 600V。应用:白炽灯调光器
    数据手册
    • 50+

      ¥0.6885
    • 500+

      ¥0.6375
    • 1000+

      ¥0.612
    • 5000+

      ¥0.5865
    • 10000+

      ¥0.5712
    MOC301XM 和 MOC302XM 系列为光绝缘三端双向可控硅元件驱动器器件。此类器件包含 GaAs 红外发光二极管和光激活硅双向开关,其功能与三端双向可控硅元件类似。适用于电子控件与电源三端双向可控硅开关元件之间的接口,以在 115 VAC 条件下控制电阻负载和电感负载。
    数据手册
    • 单价:

      ¥1.63152 / 个
    MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光学隔离三端双向可控硅驱动器。这些器件包含GaAs红外线发光二极管和光敏可控硅双向开关,功能与三端双向可控硅类似。它们设计用于电子控件和功率三端双向可控硅之间的接口,以控制 115 V
    数据手册
    • 单价:

      ¥1.70244 / 个
    MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关,其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适合用作电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口,可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。
    数据手册
    • 单价:

      ¥1.63152 / 个
    • 1+

      ¥3.05
    • 10+

      ¥2.98
    • 30+

      ¥2.94
    • 76+

      ¥2.9
  • 订货
  • MOC3071M、MOC3072M 和 MOC3073M 由与非零交叉硅双向交流开关(三路器件)进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 240 VAC 线路进行隔离,可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能,可确保电感负载的稳定开关性能。
    数据手册
    • 单价:

      ¥1.96428 / 个
    MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成,执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件,如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。
    数据手册
    • 单价:

      ¥2.24196 / 个
    H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器,针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化,利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。
    数据手册
    • 单价:

      ¥2.14428 / 个
    光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET,以及电源系统中的逆变器。它包含一个 AlGAs 发光二极管,通过光耦合到一个带有功率输出级的集成电路。1.0A 峰值输出电流能够直接驱动大多数额定值高达 1200V/50A 的 IGBT。对于额定值更高的 IGBT,该系列可用于驱动一个分立功率级,该功率级驱动 IGBT 栅极。光耦合器的工作参数在 -40℃ 至 +105℃ 的温度范围内得到保证。
    数据手册
    • 10+

      ¥2.74725
    • 100+

      ¥2.6455
    • 200+

      ¥2.442
    • 1000+

      ¥2.34025
    • 2000+

      ¥2.2792
    MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成,执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件,如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。
    数据手册
    • 单价:

      ¥2.20224 / 个
    MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成,执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件,如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。
    数据手册
    • 单价:

      ¥2.24196 / 个
    • 1+

      ¥3.57
    • 10+

      ¥2.84
    • 45+

      ¥2.45
    • 90+

      ¥2.06
    • 495+

      ¥1.89
    • 990+

      ¥1.78
  • 订货
  • 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 都是耦合至光隔离器的光电晶体管类型。 一个砷化镓红外发光二极管与一个高压NPN硅光电二极管耦合。 该器件提供标准塑封6引脚双列直插封装。
    数据手册
    • 单价:

      ¥2.2374 / 个
    MOC303XM和MOC304XM器件包含AlGaAs红外线发光二极管,该二极管光学耦合至单片硅检测器,可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。
    数据手册
    • 单价:

      ¥2.24196 / 个
    MOC306XM和MOC316XM器件包含GaAs红外线发光二极管,该二极管光学耦合至单片硅检测器,可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。
    数据手册
    • 单价:

      ¥2.24196 / 个
    MOC3071M、MOC3072M 和 MOC3073M 由与非零交叉硅双向交流开关(三路器件)进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 240 VAC 线路进行绝缘,可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能,可确保电感负载的稳定开关性能。
    数据手册
    • 单价:

      ¥1.98168 / 个
    MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成,执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件,如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。
    数据手册
    • 单价:

      ¥2.24196 / 个
    HCPL - 817包含一个发光二极管和一个光电晶体管,二者通过光耦合。它采用4引脚双列直插式封装(DIP),有宽引脚间距选项和弯引脚贴片(SMD)选项。输入 - 输出隔离电压为5000 Vrms
    • 单价:

      ¥3.045531 / 个
    • 1+

      ¥4.51
    • 10+

      ¥3.65
    • 30+

      ¥3.22
    • 100+

      ¥2.79
    • 500+

      ¥2.53
    • 1000+

      ¥2.4
  • 订货
  • 6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED,与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极,允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流(扇出 8)。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制,通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。
    数据手册
    • 单价:

      ¥3.09348 / 个
    6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED,与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极,允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流(扇出 8)。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制,通常为 10kV/?s。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/?s。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/?s。
    数据手册
    • 单价:

      ¥3.11952 / 个
    • 1+

      ¥4.89
    • 10+

      ¥4.79
    • 30+

      ¥4.73
    • 100+

      ¥4.67
  • 订货
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