DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP621(Y,F) 编号：C5332001

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

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100+
￥2.4
500+
￥2.24
2000+
￥2.2

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型号：6N137VM 编号：C898993

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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单价：
￥3.09348 / 个

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型号：6N137TVM 编号：C898992

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/?s。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/?s。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/?s。

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单价：
￥3.11952 / 个

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型号：TLP371F 编号：C150119

封装：DIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

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1+
￥4.89
10+
￥4.79
30+
￥4.73
100+
￥4.67

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型号：HCPL2531V 编号：C899506

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥5.02
10+
￥4.06
30+
￥3.58
100+
￥3.1
500+
￥2.81
1000+
￥2.67

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型号：6N139VM 编号：C898999

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分离式达林顿光检测器光耦合的 AlGaAs LED。与传统的达林顿光电耦合器相比，分离式达林顿配置将输入光电二极管和第一阶增益从输出晶体管中分离出来，使得输出饱和电压更低，运行速度更快。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的发射极-基极电阻器在温度范围内具有出色的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适合用作 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 的输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及高扇出 TTL 要求。内部干扰屏蔽具有 10 kV/us 的卓越共模抑制。

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单价：
￥3.45792 / 个

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型号：6N139TVM 编号：C898998

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分离式达林顿光检测器光耦合的 AlGaAs LED。与传统的达林顿光电耦合器相比，分离式达林顿配置将输入光电二极管和第一阶增益从输出晶体管中分离出来，使得输出饱和电压更低，运行速度更快。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的发射极-基极电阻器在温度范围内具有出色的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适合用作 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 的输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及高扇出 TTL 要求。内部干扰屏蔽具有 10 kV/us 的卓越共模抑制。

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单价：
￥3.46536 / 个

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型号：6N136TVM 编号：C898986

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL4502M、HCPL4503M、HCPL2503M、6N135M、6N136M、HCPL2530M和HCPL2531M光电耦合器包含耦合高速光电检测器晶体管的AlGaAs LED。通过降低输入晶体管的基极-集电极电容，单独连接实现光电二极管偏压使速度比传统光电晶体管光电耦合器提高数个级别。 HCPL4503M不会内部连接到光电晶体管基极，有助于改善抗噪能力，内部噪声屏蔽提供一流的共模抑制性能，高达50,000V/us。

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单价：
￥3.49368 / 个

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型号：MOC3083TVM 编号：C899869

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的分离电源三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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单价：
￥2.2428 / 个

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型号：TLP621(GB,F) 编号：C5156037

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

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100+
￥3.39
500+
￥3.164
2000+
￥3.1075

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型号：HCPL2611M 编号：C899514

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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单价：
￥3.10416 / 个

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型号：FOD260L 编号：C464173

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

这些光耦合器由与极高速集成光电检测器逻辑门极光耦合的 AlGaAS LED 组成。这些器件包括一个可调谐输出。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5 mA 的输入信号提供最小 13 mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制，在 1,000V 共模下的典型值为 50 kV/?s。

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单价：
￥4.188 / 个

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型号：TLP721GR 编号：C7087

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

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1+
￥6.37
10+
￥4.92
30+
￥4.32
100+
￥3.73
500+
￥3.38
1000+
￥3.2

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型号：HCPL2601WV 编号：C899512

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥6.72
10+
￥5.43
30+
￥4.79
100+
￥4.15
500+
￥3.77
1000+
￥3.57

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型号：FOD3120V 编号：C899243

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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单价：
￥4.5876 / 个

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型号：FOD3180TV 编号：C899262

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3180 是一款 2 A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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单价：
￥5.13024 / 个

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型号：CNY17-3-000E 编号：C6795854

封装：DIP-6

品牌：Broadcom(博通)

包含一个与光电晶体管光耦合的发光二极管。采用 6 引脚 DIP 封装，有宽引脚间距选项和引脚弯曲 SMD 选项。集电极-发射极电压高于 70V。响应时间 tr 通常为 5μs，在输入电流为 10mA 时，最小电流传输比为 40%。

1+
￥7.48
10+
￥6.27
65+
￥5.6
130+
￥4.85
520+
￥4.52
975+
￥4.36

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型号：MOC3083VM 编号：C899870

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的分离电源三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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单价：
￥2.34648 / 个

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型号：PR39MF22NSZH 编号：C425087

封装：DIP-8

品牌：SHARP(夏普)

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2000+
￥3.834
4000+
￥3.763

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型号：H11N1VM 编号：C899492

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11NX-M 系列具有与 AlGaAs 红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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单价：
￥4.83504 / 个

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型号：H11N1TVM 编号：C899491

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11NX-M 系列具有与 AlGaAs 红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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单价：
￥4.87008 / 个

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型号：HCPL2731M 编号：C899538

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分离式达林顿光检测器光耦合的 AlGaAs LED。与传统的达林顿光电耦合器相比，分离式达林顿配置将输入光电二极管和第一阶增益从输出晶体管中分离出来，使得输出饱和电压更低，运行速度更快。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的发射极-基极电阻器在温度范围内具有出色的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适合用作 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 的输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及高扇出 TTL 要求。内部干扰屏蔽具有 10 kV/us 的卓越共模抑制。

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单价：
￥5.811 / 个

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型号：TLP621-2(GB,F) 编号：C5156042

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

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100+
￥5.4
500+
￥5.04
2000+
￥4.95

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型号：FOD4116 编号：C899290

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

FOD410、FOD4108、FOD4116 和 FOD4118 器件由与混合三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成，该开关使用两个逆向并联 SCR 形成，构成了能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4116 和 FOD4118 使用高能效红外发光二极管提供更高的触发器灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插 (DIP) 封装。

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单价：
￥7.76832 / 个

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型号：FOD4216 编号：C463735

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

FOD420、FOD4208、FOD4216 和 FOD4218 器件由与混合随机相位三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成，该开关由两个逆向并联 SCR 构成，具有能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4216 和 FOD4218 使用高能效红外发光二极管，具有更高的触发器灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。

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单价：
￥11.92212 / 个

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型号：VO2631 编号：C6746590

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

6N137、VO2601和VO2611是单通道10 MBd光耦合器，采用高效输入LED与集成光电二极管IC检测器耦合。该检测器具有漏极开路NMOS晶体管输出，与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比，泄漏电流更小。VO2630、VO2631和VO4661是双通道10 MBd光耦合器

1+
￥13.46
10+
￥13.12
50+
￥12.89
100+
￥12.66

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型号：TLP557(F) 编号：C146368

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

数据手册

1+
￥13.76
10+
￥13.44
50+
￥13.23
100+
￥13.01

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型号：FOD4218 编号：C899321

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

FOD420、FOD4208、FOD4216 和 FOD4218 器件由与混合随机相位三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成，该开关由两个逆向并联 SCR 构成，具有能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4216 和 FOD4218 使用高能效红外发光二极管，具有更高的触发灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。

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单价：
￥7.75596 / 个

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型号：TLP626(BV,F) 编号：C141575

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

数据手册

1+
￥14.68
10+
￥14.4
30+
￥14.21
100+
￥14.02

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型号：PR3BMF51NSLH 编号：C528522

封装：DIP-7

品牌：SHARP(夏普)

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2000+
￥2.268
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