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首页 > 热门关键词 > DIP光耦
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二极管导通电流:5mA 漏电流:1uA;主要应用:通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等
  • 1+

    ¥6.32
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    ¥5.24
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    ¥3.98
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      ¥3.8
    • 1000+

      ¥3.61
  • 订货
  • H11FXM系列包含一个砷铝化镓IRED发光二极管,该二极管光学耦合至对称双向硅光电探测器。 探测器与输入端绝缘,功能类似于理想的隔离式FET,设计用于低电平AC和DC模拟信号的无失真控制。 H11FXM系列器件采用双列直插封装。
    数据手册
    • 单价:

      ¥3.6306 / 个
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      ¥6.9
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      ¥5.7
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      ¥4.84
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      ¥4.09
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      ¥3.76
    • 1000+

      ¥3.61
  • 订货
  • FOD2741光隔离放大器包括流行的KA431精密可编程分流电压基准和光耦合器。 该光耦合器是一种以光学方式耦合到硅光电晶体管的砷化镓(GaAs)发光二极管。 它具有3级参考电压,容差 = 2%,1%和0.5%。电流传输比(CTR)的范围为100%-200%。 它还具有50 ppm/°C的杰出温度系数。 它主要用作隔离交流到直流电源和直流/直流转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器。使用FOD2741时,电源设计者可减少紧密封装设计中的组件数量并节省空间。 严格的容差参考使得在许多应用中都无需进行调整。 该器件采用8引脚DIP白色封装。
    数据手册
    • 单价:

      ¥4.24368 / 个
    是一款光耦合器,采用 GaAlAs 红外发射二极管,通过光学方式与集成光电探测器耦合,该探测器由光电二极管和高速晶体管组成,采用 DIP-8 塑料封装。该器件与 6N135 类似,但在探测器上增加了一个法拉第屏蔽层,增强了输入-输出 dV/dt 抗扰度。信号可以在两个电气隔离的电路之间传输,最高频率可达 2 MHz。这是工业通信总线隔离以及 IPM(智能功率模块)驱动器等隔离驱动电路应用的理想解决方案。
    • 1+

      ¥7.62
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      ¥7.34
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      ¥7.15
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      ¥6.96
  • 订货
  • 二极管导通电流:5mA 漏电流:1uA;主要应用:通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等
    • 1+

      ¥7.69
    • 10+

      ¥6.38
    • 30+

      ¥5.65
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      ¥4.84
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      ¥4.48
    • 1000+

      ¥4.31
  • 订货
  • FOD2743 光隔离放大器由受欢迎的 KA431 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。它具有 3 个参考电压容限等级:2%,1% 和 0.5%。电流传输比 (CTR) 范围为 50% 至 100%。它还具有出色的 50 ppm/°C 温度系数。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2743 时,电源设计者可以减少组件数量,节省紧凑封装设计中的空间。小允差消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚 DIP 白色封装。
    数据手册
    • 单价:

      ¥5.55036 / 个
    MOC8021M 和 MOC8050M 为光电达林顿型光耦合器,无基极联接。此类器件具有与硅达林顿光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管。
    数据手册
    • 单价:

      ¥1.60092 / 个
    • 1+

      ¥12.18
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      ¥11.9
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      ¥11.71
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      ¥11.53
  • 订货
  • KAQW216系列包含两个常开开关,可作为两个独立的单刀单掷(SPST)继电器使用,也可作为一个双刀单掷(DPST)继电器使用。该继电器采用镓铝砷(GaAlAs)发光二极管进行驱动控制,并使用集成单片芯片作为开关输出。该芯片采用高压介质隔离技术制造,由光电二极管阵列、开关控制电路和MOSFET开关组成
    数据手册
    • 1+

      ¥14.31
    • 10+

      ¥12.2
    • 48+

      ¥10.88
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      ¥9.53
    • 480+

      ¥8.92
    • 1008+

      ¥8.65
  • 订货
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      ¥7.6388
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      ¥7.0512
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      ¥6.7574
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      ¥6.58112
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      ¥6.4636
    MCT52XXM 系列在六引脚双列直插封装内包括一个与 NPN 光电晶体管耦合的高能效 AlGaAs 红外发光二极管。MCT52XXM 适用于 CMOS 与 LSTT/TTL 的接口,提供 250% CTR CE(SAT),LED 输入电流为 1mA。提供 1.6mA 的 LED 输入电流时,数据速率可达 20K bits/s。MCT52XXM 可将 LSTTL 轻松接口 LSTTL/ TTL,使用外部基极-射极电阻时,数据速率可达 100K bits/s。
    数据手册
    • 单价:

      ¥2.81796 / 个
    包含GaAsP LED,或包含AlGaAs LED。LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压
    • 单价:

      ¥33.8747 / 个
    • 1+

      ¥19.7
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      ¥19.25
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      ¥18.96
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      ¥18.66
  • 订货
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      ¥20.6
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      ¥20.14
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      ¥16.65
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      ¥16.35
  • 订货
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      ¥23.725
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      ¥22.776
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      ¥21.827
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      ¥21.2576
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      ¥18.07
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      ¥17.54
  • 订货
  • 1.6mA低输入电流,4.5V到20V宽Vcc,逻辑门光电耦合器
    数据手册
    • 50+

      ¥14.56
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      ¥76.04
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      ¥65.86
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      ¥55.55
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      ¥50.35
  • 订货
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      ¥1159.01
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      ¥448.52
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      ¥432.76
    • 1000+

      ¥424.97
  • 订货
  • 光耦合器由一块砷化镓发射器和一块NPN晶体管组成。它采用4引脚DIP封装,并提供宽引线间距和SMD选项
    • 20+

      ¥0.1228
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      ¥0.12
    • 600+

      ¥0.1182
    • 2000+

      ¥0.1164
  • 订货
  • 光耦合器由一块砷化镓发射器和一块NPN晶体管组成。它采用4引脚DIP封装,并提供宽引线间距和SMD选项
    • 20+

      ¥0.1228
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      ¥0.1182
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  • 订货
  • 光耦合器由一块砷化镓发射器和一块NPN晶体管组成。它采用4引脚DIP封装,并提供宽引线间距和SMD选项
    • 20+

      ¥0.1292
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      ¥0.1264
    • 600+

      ¥0.1244
    • 2000+

      ¥0.1225
  • 订货
  • 光耦合器由一块砷化镓发射器和一块NPN晶体管组成。它采用4引脚DIP封装,并提供宽引线间距和SMD选项
    • 20+

      ¥0.1292
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  • 订货
  • 光耦合器由一块砷化镓发射器和一块NPN晶体管组成。它采用4引脚DIP封装,并提供宽引线间距和SMD选项
    • 10+

      ¥0.1357
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      ¥0.1327
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      ¥0.1307
    • 1000+

      ¥0.1286
  • 订货
  • 光耦合器由一块砷化镓发射器和一块NPN晶体管组成。它采用4引脚DIP封装,并提供宽引线间距和SMD选项
    • 10+

      ¥0.1357
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