DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP550(F 编号：C99499

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

数据手册

1+
￥7.32
10+
￥6.94
30+
￥6.69
100+
￥6.45

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型号：OR-MOC3061 编号：C2692119

封装：DIP-6

品牌：Orient(奥伦德)

消费级

数据手册

1+
￥7.78
10+
￥6.48
30+
￥5.76
132+
￥4.73
528+
￥4.37
990+
￥4.21

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型号：HCNR200-000E 编号：C49269041

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥10.02
10+
￥8.36
30+
￥7.45
100+
￥6.42
500+
￥5.97
1000+
￥5.76

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型号：ACPL-847-00GE 编号：C3018549

封装：DIP-16

品牌：Broadcom(博通)

数据手册

1+
￥7.345
50+
￥6.78
100+
￥6.4975
500+
￥6.328
1000+
￥6.215

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型号：FOD3182 编号：C899263

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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单价：
￥5.25972 / 个

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型号：HCPL-4562-000E 编号：C191320

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥16.13
10+
￥13.68
50+
￥12.15
100+
￥10.58
500+
￥9.87
1000+
￥9.56

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型号：HCPL2531 编号：C124473

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥17.89
10+
￥15.3
50+
￥12.49
100+
￥10.83
500+
￥10.08
1000+
￥9.76

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型号：PLA191 编号：C1559184

封装：DIP-6

品牌：Littelfuse/IXYS

数据手册

1+
￥37.694088
20+
￥36.161808
100+
￥35.24244
200+
￥33.71016
500+
￥33.097248

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型号：G3VM-353A 编号：C306891

封装：DIP-4

品牌：OMRON(欧姆龙)

数据手册

1+
￥70.28
10+
￥60.88
30+
￥55.15
100+
￥50.34

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型号：KL817-C-F-AW 编号：C49374850

封装：DIP-4

品牌：Kinglight(晶台)

光耦合器由一块砷化镓发射器和一块NPN晶体管组成。它采用4引脚DIP封装，并提供宽引线间距和SMD选项

20+
￥0.1137
200+
￥0.1112
600+
￥0.1095
2000+
￥0.1078

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型号：KL817-B-F-AW 编号：C49374849

封装：DIP-4

品牌：Kinglight(晶台)

光耦合器由一块砷化镓发射器和一块NPN晶体管组成。它采用4引脚DIP封装，并提供宽引线间距和SMD选项

20+
￥0.1137
200+
￥0.1112
600+
￥0.1095
2000+
￥0.1078

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型号：KL817M-C-F-AW 编号：C49374854

封装：DIP-4-M

品牌：Kinglight(晶台)

光耦合器由一块砷化镓发射器和一块NPN晶体管组成。它采用4引脚DIP封装，并提供宽引线间距和SMD选项

20+
￥0.1228
200+
￥0.12
600+
￥0.1182
2000+
￥0.1164

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型号：KL3023-AW 编号：C49374919

封装：DIP-6

品牌：Kinglight(晶台)

由一个砷化镓红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的可控硅光电耦合器。它被设计用于电子控制和电源试验之间的接口，以控制115到240V AC操作的电阻和感应负载

5+
￥0.5039
50+
￥0.4926
130+
￥0.4851
520+
￥0.4777

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型号：CNY17F-1 编号：C10810

封装：DIP-6

品牌：LITEON(光宝)

数据手册

1+
￥0.5652
10+
￥0.4502
30+
￥0.3927
100+
￥0.3496
500+
￥0.3151
1000+
￥0.2979

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型号：EL8171-G 编号：C7212173

封装：DIP-4

品牌：EVERLIGHT(亿光)

电流传输比(CTR)：100~350%@IF=0.5mA,VCE=5V

5+
￥0.7346
50+
￥0.6401
200+
￥0.5996
500+
￥0.52155 ￥0.549
2500+
￥0.500175 ￥0.5265
5000+
￥0.48735 ￥0.513

有货

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型号：VO617A-4X016 编号：C141623

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

数据手册

4000+
￥1.150848
8000+
￥1.14048
12000+
￥1.119744

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型号：4N25VM 编号：C898943

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在标准的塑料六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

数据手册

1000+
￥0.588
2000+
￥0.5782
4000+
￥0.5635
8000+
￥0.539

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型号：4N27 编号：C5274132

封装：DIP-8

品牌：EVERLIGHT(亿光)

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5+
￥1.2678
50+
￥0.9902
130+
￥0.8382
520+
￥0.676004 ￥0.6898
2470+
￥0.611226 ￥0.6237
5005+
￥0.57232 ￥0.584

有货

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型号：6N137(SL)(T1)-GV 编号：C17701958

封装：SOP-8

品牌：MP(美禄科技)

高速 10MB/s 逻辑门极光耦合器。

5+
￥1.2706
50+
￥1.2423
150+
￥1.2234
500+
￥1.2045

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型号：CYMOC3062 编号：C7589062

封装：DIP-6

品牌：OCIC(卓睿科)

CYMOC304X, CYMOC306X, CYMOC308X 系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管一个硅感光双向可控硅组成的光电耦合器件。元件设计为电子及功率双向可控硅控制单元，可应用于交流240V以下的电阻及电感负载等电路之间的信号传输，使输入端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。

5+
￥1.5957
50+
￥1.253
150+
￥1.1061
500+
￥0.9228
2000+
￥0.8412
4000+
￥0.7922

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型号：KP40101C 编号：C920668

封装：DIP-4

品牌：Cosmo(冠西)

KP4010系列由一个光电达林顿管与一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚DIP封装，有宽引脚间距和SMD可选封装。集电极 - 发射极电压为300V。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点

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5+
￥1.6839
50+
￥1.3311
200+
￥1.1799
500+
￥0.9913
2500+
￥0.9073
6000+
￥0.8568

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型号：PS2561-1-A 编号：C17597435

封装：DIP-4

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

单价：
￥1.4916 / 个

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型号：FOD814A 编号：C327482

封装：PDIP-4

品牌：onsemi(安森美)

FOD814包含两个反向并联的砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动4引脚双列直插封装中的硅光电晶体管输出。 FOD817 系列包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动 4 引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。

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单价：
￥0.90096 / 个

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型号：LTV-851-CU 编号：C2686311

封装：DIP-4

品牌：LITEON(光宝)

数据手册

50+
￥0.9045
500+
￥0.8375
1000+
￥0.804
5000+
￥0.7705
10000+
￥0.737

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型号：LTV-851 编号：C10795

封装：DIP-4

品牌：LITEON(光宝)

数据手册

1+
￥1.9589
10+
￥1.5517
30+
￥1.3772
100+
￥1.121
500+
￥1.0241
1000+
￥0.9659

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型号：MOC3032M 编号：C463338

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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