DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54 mm，可端部堆叠。选项 6 的爬电距离和电气间隙 > 8 mm。此版本符合 IEC 60950 (DIN VDE 0805) 标准，适用于高达 400 VRMS 或直流的工作电压。

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4000+
￥1.197
8000+
￥1.176
12000+
￥1.155

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型号：H11AV1M 编号：C184261

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。

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单价：
￥1.36596 / 个

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型号：4N28M 编号：C4067

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管。

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单价：
￥1.254 / 个

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型号：H11AV1AM 编号：C258235

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。

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单价：
￥1.36596 / 个

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型号：4N27M 编号：C136568

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管。

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100+
￥1.2204
500+
￥1.13904
2000+
￥1.1187

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型号：HT-3120 编号：C46634501

封装：DIP-8

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

输入电压类型：DC, 正向压降Max:1.8V,输出类型：IGBT，峰值输出电流：2.5A,供电电压:15-30V,隔离电压：5KV.

1+
￥2.68
10+
￥2.62
45+
￥2.58
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￥2.53

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型号：CNY17F-3X006 编号：C428741

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

是由砷化镓红外发光二极管和硅平面光电晶体管探测器光耦合而成的光耦合器，采用塑料插入式 DIP-6 封装。耦合装置适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。待耦合电路之间的电位差不得超过最大允许参考电压。与其他系列相比，F 型的基极端未连接，从而大大提高了共模干扰抗扰度。

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￥3.87769 / 个

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型号：SFH610A-2 编号：C2984665

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

该产品具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。耦合器具有砷化镓红外二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并集成在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。该耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器可端部堆叠，间距为 2.54mm。选项 6 和选项 8 可实现大于 8.0mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于高达 400VRMS 或直流的工作电压。

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5+
￥2.2126
4000+
￥1.771

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型号：MOC3020M 编号：C433447

封装：DIP-6

品牌：ISOCOM(英国安数光)

是光耦合隔离器，由砷化镓红外发射二极管与光激活硅双向开关耦合组成，执行三端双向可控硅开关元件的功能，安装在标准6引脚双列直插式封装中。

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1+
￥3.33
10+
￥2.64
65+
￥2.12

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型号：H11G1M 编号：C258236

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11G1M 和 H11G2M 是光电达林顿型光耦合器。这些器件具有与硅达灵顿连接光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管，具有集成的基极-发射极电阻，可优化高温特性。

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￥2.05884 / 个

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型号：MOC3061M 编号：C433459

封装：DIP-6

品牌：ISOCOM(英国安数光)

是由砷化镓红外发射二极管与单片硅探测器耦合而成的光耦合隔离器，该探测器具有过零双向可控硅的功能，采用标准6引脚双列直插式封装。

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1+
￥3.66
10+
￥2.93
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￥2.56

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型号：SFH617A-3X016 编号：C5273047

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

110°C 额定 SFH617A (DIP) 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个 GaAs 红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器光学耦合，并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器可端部堆叠，间距为 2.54mm。选择选项 6 可实现 >8.8min 的爬电距离和电气间隙。

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20+
￥16.079822
100+
￥13.87279
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￥12.769272

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型号：MOC3011M 编号：C232860

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适合用作电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口，可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。

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￥1.54464 / 个

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型号：AQH1223 编号：C719695

封装：DIP-8

品牌：PANASONIC(松下)

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1+
￥7.98
10+
￥7
30+
￥6.46
100+
￥5.96
500+
￥5.64
1000+
￥5.49

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型号：PS2503-1-A 编号：C146220

封装：DIP-4

品牌：California Eastern Laboratories

PS2503 - 1和PS2503L - 1是光耦合隔离器，包含一个砷化镓（GaAs）发光二极管和一个NPN型硅光电晶体管。PS2503 - 1采用塑料双列直插式封装（DIP，Dual In - line Package），PS2503L - 1为表面贴装的弯引脚（鸥翼型）封装。

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1+
￥8.15
10+
￥7.97
30+
￥7.85

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型号：AQH3223 编号：C719692

封装：DIP-8

品牌：PANASONIC(松下)

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1+
￥8.64
10+
￥7.49
30+
￥6.85
100+
￥6.27
500+
￥5.89
1000+
￥5.72

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型号：AQH2213 编号：C148298

封装：DIP-8

品牌：PANASONIC(松下)

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1+
￥10.3
10+
￥9.1
50+
￥8.35
100+
￥7.72
500+
￥7.3
1000+
￥7.12

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型号：FOD3180 编号：C899257

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3180 是一款 2 A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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单价：
￥5.03916 / 个

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型号：HCPL-2200-000E 编号：C188737

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

1.6mA低输入电流,4.5V到20V宽Vcc,逻辑门光电耦合器

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￥33.801102 / 个

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型号：G3VM-31DR 编号：C5380567

封装：SMD-4P

品牌：OMRON(欧姆龙)

应用：通信设备。安全设备。电源电路。测试与测量设备。工业设备

1+
￥58.07
10+
￥56.78
30+
￥55.93
100+
￥55.07

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型号：HCNR201 编号：C6267442

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

高线性模拟光耦合器由高性能AlGaAs LED组成，该LED为两个紧密匹配的光电二极管提供照明。输入光电二极管对LED的光输出进行监测，从而使其稳定。因此，实际上可以消除LED的非线性和漂移特性。输出光电二极管产生与LED光输出呈线性关系的光电流。光电二极管的紧密匹配和封装的先进设计确保了光耦合器的高线性和稳定增益特性。高线性模拟光耦合器在各种需要良好稳定性、线性度、带宽和低成本的应用中隔离模拟信号。通过适当设计应用电路，高线性模拟光耦合器能够以多种不同模式工作，包括单极/双极、交流/直流和反相/同相。高线性模拟光耦合器是许多模拟隔离问题的优秀解决方案。

1+
￥85.17
10+
￥82.79

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型号：CYPS2501-1(L) 编号：C3018789

封装：DIP-4

品牌：OCIC(卓睿科)

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￥0.2902
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￥0.2837
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￥0.2658
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