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首页 > 热门关键词 > DIP光耦
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由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管在一个4引脚塑料封装中光耦合而成。 单个组件彼此相对安装,输入和输出之间的距离大于3mm,以满足最高安全要求。
  • 1+

    ¥12.54
  • 10+

    ¥12.25
  • 30+

    ¥12.05
  • 100+

    ¥11.86
  • 订货
  • 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用4引脚塑料封装。单个组件彼此相对安装,输入和输出之间的距离大于3mm,以满足最高安全要求。
    数据手册
    • 1+

      ¥17.06
    • 10+

      ¥16.71
    • 40+

      ¥14.53
  • 有货
  • FOD3182 是一款 3A 输出电流,高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED),该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中,可兼容 260°C 回流工艺,用于实现无引线焊接机合规性。
    数据手册
    • 单价:

      ¥5.31276 / 个
    • 1+

      ¥19.7
    • 20+

      ¥18.912
    • 100+

      ¥18.124
    • 200+

      ¥17.6512
    • 500+

      ¥17.336
    • 1+

      ¥34.11
    • 10+

      ¥29.38
    • 30+

      ¥26.5
    • 100+

      ¥24.08
  • 订货
    • 1+

      ¥52.6
    • 10+

      ¥45.56
    • 50+

      ¥41.27
    • 100+

      ¥37.67
  • 订货
  • 应用:通信设备。测试与测量设备。安全设备。工业设备。电源电路
    数据手册
    • 1+

      ¥66.48
    • 10+

      ¥64.16
  • 订货
    • 5+

      ¥0.2902
    • 50+

      ¥0.2837
    • 150+

      ¥0.2658
    • 500+

      ¥0.2615
  • 订货
    • 10+

      ¥0.2979
    • 100+

      ¥0.2355
    • 300+

      ¥0.2043
    • 1000+

      ¥0.1809
    • 5000+

      ¥0.1622
    • 10000+

      ¥0.1528
  • 订货
    • 10+

      ¥0.3069
    • 100+

      ¥0.242
    • 300+

      ¥0.2096
    • 1000+

      ¥0.1853
    • 5000+

      ¥0.1658
    • 10000+

      ¥0.1561
  • 订货
  • 结合了AlGaAs红外发射二极管作为发射器,该发射器与塑料DIP4封装中的硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,具有不同的引脚成型选项。采用坚固的共面双模具结构,提供最稳定的隔离特性。
    • 10+

      ¥0.3183
    • 100+

      ¥0.2534
    • 300+

      ¥0.2209
    • 1500+

      ¥0.1965
    • 4500+

      ¥0.1771
    • 10500+

      ¥0.1673
  • 订货
  • 消费级
    数据手册
    • 6+

      ¥0.5422
    • 60+

      ¥0.5295
    • 198+

      ¥0.5211
    • 594+

      ¥0.5126
  • 订货
    • 6+

      ¥0.5473
    • 60+

      ¥0.5345
    • 198+

      ¥0.5259
    • 594+

      ¥0.5174
  • 订货
  • 消费级
    数据手册
    • 6+

      ¥0.5762
    • 60+

      ¥0.5627
    • 198+

      ¥0.5537
    • 594+

      ¥0.5447
  • 订货
    • 5+

      ¥1.0359
    • 50+

      ¥0.8031
    • 130+

      ¥0.7033
    • 520+

      ¥0.567224 ¥0.5788
    • 3250+

      ¥0.512834 ¥0.5233
    • 4875+

      ¥0.4802 ¥0.49
  • 有货
  • 消费级
    数据手册
    • 1+

      ¥1.0468
    • 10+

      ¥0.8243
    • 45+

      ¥0.7336
    • 90+

      ¥0.6146
    • 495+

      ¥0.5616
    • 990+

      ¥0.5298
  • 订货
  • 消费级
    数据手册
    • 1+

      ¥1.083
    • 10+

      ¥0.8557
    • 30+

      ¥0.7583
    • 100+

      ¥0.6097
    • 500+

      ¥0.5556
    • 1000+

      ¥0.5231
  • 订货
  • 4N2X、4N3X 系列器件均由一个红外发光二极管与一个光电晶体管光耦合组成。它们采用 6 引脚 DIP 封装,有宽引脚间距可选,也提供 SMD 封装形式。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.2381
    • 10+

      ¥0.9761
    • 30+

      ¥0.8637
    • 132+

      ¥0.7031
    • 528+

      ¥0.6407
    • 990+

      ¥0.6032
  • 订货
  • CYMOC304X, CYMOC306X, CYMOC308X 系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管一个硅感光双向可控硅组成的光电耦合器件。元件设计为电子及功率双向可控硅控制单元,可应用于交流240V以下的电阻及电感负载等电路之间的信号传输,使输入端与负载完全隔离,目的在于增加安全性,减小电路干扰,减化电路设计。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2684
    • 50+

      ¥0.961
    • 150+

      ¥0.8433
    • 500+

      ¥0.6964
    • 2500+

      ¥0.631
    • 5000+

      ¥0.5918
  • 订货
  • 消费级
    数据手册
    • 6+

      ¥1.5069
    • 60+

      ¥1.1811
    • 198+

      ¥1.0415
    • 594+

      ¥0.8674
    • 2970+

      ¥0.7898
    • 6006+

      ¥0.7433
  • 订货
    • 1+

      ¥1.56
    • 10+

      ¥1.52
    • 30+

      ¥1.49
    • 100+

      ¥1.46
  • 订货
  • 消费级
    数据手册
    • 5+

      ¥2.46
    • 50+

      ¥1.9
    • 135+

      ¥1.68
    • 495+

      ¥1.4
    • 2520+

      ¥1.28
    • 4995+

      ¥1.21
  • 订货
  • 消费级
    数据手册
    • 1+

      ¥2.91
    • 10+

      ¥2.3
    • 45+

      ¥1.97
    • 90+

      ¥1.64
    • 495+

      ¥1.49
    • 990+

      ¥1.41
  • 订货
    • 5957+

      ¥0.384
    • 11914+

      ¥0.3776
    • 23828+

      ¥0.368
    • 47656+

      ¥0.352
    光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET,以及电源系统中的逆变器。它包含一个 AlGAs 发光二极管,通过光耦合到一个带有功率输出级的集成电路。1.0A 峰值输出电流能够直接驱动大多数额定值高达 1200V/50A 的 IGBT。对于额定值更高的 IGBT,该系列可用于驱动一个分立功率级,该功率级驱动 IGBT 栅极。光耦合器的工作参数在 -40℃ 至 +105℃ 的温度范围内得到保证。
    数据手册
    • 10+

      ¥2.754
    • 100+

      ¥2.652
    • 200+

      ¥2.448
    • 1000+

      ¥2.346
    • 2000+

      ¥2.244
    HCPL - 817包含一个发光二极管和一个光电晶体管,二者通过光耦合。它采用4引脚双列直插式封装(DIP),有宽引脚间距选项和弯引脚贴片(SMD)选项。输入 - 输出隔离电压为5000 Vrms
    • 单价:

      ¥3.077174 / 个
    • 1+

      ¥4.53
    • 10+

      ¥3.65
    • 45+

      ¥3.21
    • 90+

      ¥2.77
    • 495+

      ¥2.51
    • 990+

      ¥2.37
  • 订货
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