DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：AQW614EH 编号：C719730

封装：DIP-8

品牌：PANASONIC(松下)

安装类型:通孔,电路:SPST-NO+SPST-NC（1FormA和B）,电压-输入:1.14VDC,端接样式:PC引脚,封装/外壳:8-DIP（0.300\\"，7.62mm）,供应商器件封装:8-DIP

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1+
￥32.41
10+
￥29.22
50+
￥25.27
100+
￥23.7
500+
￥22.64
1000+
￥22.16

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型号：CT785GR 编号：C191925

封装：DIP-4

品牌：CT MICRO

CT785系列由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，采用双列直插式封装（DIP）。

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5+
￥0.6243
50+
￥0.4981
200+
￥0.4349

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型号：CYTLP627 编号：C47115519

封装：DIP-4

品牌：OCIC(卓睿科)

CYTLP627由砷化镓红外发光二极管与带积分基极-发射极电阻的达林顿光电晶体管组成的高压光电耦合器，VCEO达到300V以上。

5+
￥0.7493
50+
￥0.7326
200+
￥0.7215

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型号：CT3041 编号：C127194

封装：DIP-6

品牌：CT MICRO

由零交叉光控三端双向可控硅和砷化镓红外发射二极管光耦合而成，采用6引脚DIP封装，有不同引脚成型选项。

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1+
￥1.2336
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￥0.9564
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￥0.8376

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型号：MP3120-G(B) 编号：C47361126

封装：DIP-8

品牌：MP(美禄科技)

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：20kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：500ns；500ns 电源电压：15V~30V 高抗扰度，2.5A 输出电流，门极驱动器光耦合器 MP3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/100A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动

5+
￥1.262
50+
￥1.2342
135+
￥1.2157
495+
￥1.1973

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型号：4N25 编号：C191858

封装：DIP-6

品牌：CT MICRO

4N25、4N26、4N27、4N28、4N35、4N36、4N37、4N38、H11A1、H11A2、H11A3、H11A4、H11A5系列产品由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用6引脚DIP封装，有不同的引脚成型选项。

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100+
￥0.65
500+
￥0.6
3000+
￥0.56
10000+
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型号：MOC3042D 编号：C7472401

封装：DIP

品牌：国芯佳品

静态dv/dt：2000V/us 400V过零触发三端双向可控硅开关驱动器输出光电耦合器 MOC303XM和MOC304XM器件包含AlGaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零

5+
￥1.4197
50+
￥1.1148
130+
￥0.9841
520+
￥0.821
2470+
￥0.7484
6500+
￥0.7049

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型号：MOC3062D 编号：C7472406

封装：DIP

品牌：国芯佳品

静态dv/dt：1500V/us 600V过零三端双向可控硅开关驱动器输出光电耦合器 MOC306XM和MOC316XM器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双

5+
￥1.4713
50+
￥1.1553
130+
￥1.0199
520+
￥0.8509
2470+
￥0.7757
6500+
￥0.7305

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型号：MPC3120-GV 编号：C52200865

封装：DIP-8

品牌：MP(美禄科技)

输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：20kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：500ns；500ns 电源电压：15V~30V 高抗扰度，2.5A 输出电流，门极驱动器光耦合器 MP3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/100A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动

5+
￥2.3275
50+
￥1.8437
135+
￥1.6363
495+
￥1.3776
2880+
￥1.2624
4320+
￥1.1933

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型号：MP3150-G(B) 编号：C47361125

封装：DIP-8

品牌：MP(美禄科技)

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：20kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：250ns；250ns 电源电压：15V~30V 高抗噪能力、1.0A输出电流、栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分800V/20A IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT或MOSFET

1+
￥2.86
10+
￥2.26
45+
￥2.01
90+
￥1.69
495+
￥1.55
990+
￥1.47

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型号：MP350A-G(B) 编号：C47361127

封装：DIP-8

品牌：MP(美禄科技)

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：15kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：400ns；400ns 电源电压：15V~30V 高抗扰度，2.5A 输出电流，门极驱动器光耦合器 MP350A 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/100A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动

1+
￥3.13
10+
￥2.48
45+
￥2.2
90+
￥1.85
495+
￥1.7
990+
￥1.61

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型号：MP350A(SL)(T1)-G(B) 编号：C47361230

封装：SMD-8P

品牌：MP(美禄科技)

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：15kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：400ns；400ns 电源电压：15V~30V 高抗扰度，2.5A 输出电流，门极驱动器光耦合器 MP350A 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/100A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动

1+
￥3.13
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￥2.48
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￥2.2
100+
￥1.85
500+
￥1.7
1000+
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型号：MPC3150L(SL)(T1)-GV 编号：C17701961

封装：SOP-8

品牌：MP(美禄科技)

输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：20kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：500ns；500ns 电源电压：15V~30V 高抗噪能力、1.0A输出电流、栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分800V/20A IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT或MOSFET。

1+
￥3.81
10+
￥3.09
30+
￥2.73
100+
￥2.37
500+
￥2.16
1000+
￥2.05

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型号：CYHCPL2630 编号：C3018812

封装：DIP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

CYHCPL2630 和CYHCPL2631 由一个红外发光二极管和一个具有选通输出的高速集成光电检测器逻辑门IC组成的光耦。它有DIP-8，DIP8-M和SMD8三种封装形式。

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1+
￥6.02
10+
￥4.94
50+
￥4.25
100+
￥3.71
500+
￥3.39
1000+
￥3.22

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型号：CNY64B 编号：C141580

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

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1+
￥17.14
10+
￥14.67
30+
￥13.13
100+
￥11.55
500+
￥10.83
1000+
￥10.52

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型号：IL300 编号：C222532

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

由一个AlGaAs红外发光二极管（IRLED）照射一个隔离的反馈和一个输出PIN光电二极管组成，采用分叉式排列。反馈光电二极管捕获LED光通量的一部分并产生一个控制信号，可用于控制LED驱动电流。这种技术补偿了LED的非线性、时间和温度特性。输出PIN光电二极管产生一个与LED产生的伺服光通量线性相关的输出信号。输入-输出耦合器增益（K3）的时间和温度稳定性通过使用匹配的PIN光电二极管来确保，这些二极管能精确跟踪LED的输出光通量。

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1+
￥18.65
10+
￥15.71
40+
￥13.87
80+
￥11.98
480+
￥11.13
1000+
￥10.76

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型号：G3VM-21ER 编号：C6258783

封装：SMD-6P

品牌：OMRON(欧姆龙)

DIP 6脚封装的MOS FET继电器，实现了低导通电阻和高切换容量。负载电压选项包括20V、30V、40V、60V或100V。连续负载电流随电压不同而变化：20V继电器支持最大4A（8A），30V继电器支持最大5A（10A），40V继电器支持最大3.5A（7A），60V继电器支持最大4A（8A），100V继电器支持最大3.5A（7A）。括号中的值适用于连接C。这些继电器符合RoHS标准，适用于各种应用，包括通信设备、安防设备、测试测量设备和工业设备。