DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：DIP-4

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，引脚间距为 2.54mm。选择选项 6 可实现大于 8mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950 (DIN VDE 0805) 标准，适用于 400Vₐₙₛ 或直流的工作电压。

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型号：SFH620A-3X001 编号：C3009245

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为2.54mm，可端部堆叠。选择选项6时，爬电距离和电气间隙距离 > 8mm。此版本符合IEC 60950 (DIN VDE 0805)标准，适用于400Vᵣₘₛ或直流的工作电压。

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型号：SFH617A-4X016 编号：C145216

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

110℃ 额定 SFH617A (DIP) 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个 GaAs 红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

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型号：SFH618A-2 编号：C19181005

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54 mm，可端对端堆叠。选择选项 6 时，爬电距离和电气间隙距离 >8 mm。

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型号：MOC3010M 编号：C124474

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适合用作电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口，可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。

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型号：SFH615A-4 编号：C3000800

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

SFH615A 具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个 GaAs 红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。

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型号：4N27 编号：C7503419

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

4N25系列是行业标准的单通道光电晶体管耦合器。该系列包括4N25、4N26、4N27、4N28。每个光耦合器由砷化镓红外LED和一个硅NPN光电晶体管组成

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型号：TCET1103G 编号：C144879

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

TCET110由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚塑料双列直插式封装。

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型号：FOD852 编号：C900931

封装：DIP-4

品牌：onsemi(安森美)

FOD852 在 4 引脚双列直插封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电达林顿输出（带有集成的基极发射电阻）。

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型号：PS2501-1-L-A 编号：C17304905

封装：DIP-4

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是光耦合隔离器，包含一个砷化镓发光二极管和一个NPN硅光电晶体管。采用塑料双列直插封装（DIP），还有用于表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼型）。

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型号：ST3M-2223 编号：C771773

封装：DIP-7

品牌：STEIPU(斯泰普)

小型对应AC负载的可控硅输出光电耦合器

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型号：MOC3062TVM 编号：C899839

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM和MOC316XM器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

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型号：SFH628A-2 编号：C19114205

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外发光二极管，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为2.54mm，可端部堆叠。选择选项6可实现>8mm的爬电距离和电气间隙。此版本符合IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于400VRMS或直流的工作电压的加强绝缘。

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型号：SFH628A-4 编号：C17355448

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

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型号：TCET1109G 编号：C143036

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

TCET110由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚塑料双列直插式封装。

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型号：4N29M 编号：C898952

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M 和 TIL113M 具有与硅外延平面光电达林顿进行光耦合的砷化镓红外发光二极管。

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型号：6N137-300E 编号：C6795936

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了GaAsP发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器IC的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在Vcm = 1000V时，共模瞬态抗扰度规格高达15,000V/μs。这种独特的设计在实现TTL兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在-40°C至+85°C范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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型号：HCPL-2601-C1H0 编号：C42432649

封装：DIP-8

品牌：KTP(科泰普)

高速光电耦合器，高速：10MBd，高CMR：10kV/µs，低输入电流：7.5mA，工作温度：-40°C to +85°C

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型号：H11L3M 编号：C899482

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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型号：CYAQW212EH 编号：C3018806

封装：DIP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

通用经济型光MOS继电器CYAQW21x，有8引脚封装的双通道单刀单掷（2 Form A）和4引脚封装的单通道单刀单掷（1 Form A）可供选用，增强隔离电压5000V。

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型号：FOD8523SD 编号：C463971

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD852 在 4 引脚双列直插封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电达林顿输出（带有集成的基极发射电阻）。

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型号：ILD615-3 编号：C17243866

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

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型号：MOC3042SM 编号：C606032

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM和MOC304XM器件包含AlGaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

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型号：LDA100 编号：C459813

封装：DIP-6

品牌：Littelfuse/IXYS

LDA100 是一款具有单晶体管输出的双向输入光耦合器。光耦合技术在输入和输出之间提供了 3750Vrms 的隔离屏障。

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型号：PS2502-1-A 编号：C22416454

封装：DIP-4

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是光耦合隔离器，包含一个砷化镓发光二极管和一个 NPN 硅达林顿连接光电晶体管。采用塑料双列直插封装（DIP），另一种为表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼型）。

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型号：CYAQW216EH 编号：C3018810

封装：DIP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

通用经济型光MOS继电器CYAQW21x，有8引脚封装的双通道单刀单掷（2 Form A）和4引脚封装的单通道单刀单掷（1 Form A）可供选用，增强隔离电压5000V。

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型号：6N135-000E 编号：C2925073

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。部分型号适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带宽模拟应用

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