DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

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型号：AQY212EH 编号：C2894775

封装：DIP-4

品牌：PANASONIC(松下)

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型号：LDA100 编号：C459813

封装：DIP-6

LDA100 是一款具有单晶体管输出的双向输入光耦合器。光耦合技术在输入和输出之间提供了 3750Vrms 的隔离屏障。

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型号：6N135-000E 编号：C2925073

封装：DIP-8

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。部分型号适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带宽模拟应用

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型号：LTV-844 编号：C10789

封装：DIP-16

品牌：LITEON(光宝)

特性：AC输入响应。高输入输出隔离电压 (Viso = 5,000Vrms)。低集电极暗电流 (ICEO: MAX. 10⁻⁷A at VCE = 20V)。电流传输比 (CTR: MIN. 20% at IF = ±1mA, VCE = 5V)

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型号：MOC3053M 编号：C603333

封装：DIP-6

MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

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型号：4N32VM 编号：C898960

封装：DIP-6

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器，光耦合至一个硅平面达林顿放大器。

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型号：CNY65A 编号：C3008878

封装：DIP-4

由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚塑料封装。单个组件彼此相对安装，输入和输出之间的距离>3mm，可满足最高安全要求。

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型号：SFH617A-3X006 编号：C511007

封装：DIP-4

额定温度为110°C的SFH617A（DIP）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用GaAs红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP - 4封装中。该耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

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型号：MOC3163SM 编号：C464221

封装：DIP-6

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：ILQ615-3 编号：C17351875

封装：DIP-16

ILD615、ILQ615 是多通道光电晶体管光耦合器，采用砷化镓红外发光二极管（IRED）发射器和高增益 NPN 光电晶体管。这些器件采用上下引线框架光耦合和双塑封绝缘技术制造，耐受测试电压达 7500 V 交流峰值，工作电压为 1700 Vrms。经过分档的最小/最大和线性电流传输比（CTR）特性使这些器件非常适合用于直流或交流电压检测

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型号：LH1540AT 编号：C1525252

封装：DIP-6

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型号：VOR1142A6 编号：C1558819

封装：DIP-6

SPST常开开关（1 form A）可在许多应用中替代机电继电器。它采用GaAlAs IRED驱动控制和MOSFET作为开关输出。

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型号：LCA110 编号：C150427

封装：DIP-6

是常开（1-Form-A）固态继电器，采用光耦合MOSFET技术，提供3750Vrms的输入到输出隔离。其光耦合输出采用专利的OptoMOS架构，由高效的GaAlAs红外LED控制。可用于替代机械继电器，并具有与半导体器件相关的卓越可靠性。

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型号：IL4208 编号：C7469107

封装：DIP-6

IL420 和 IL4208 由一个光学耦合的 GaAs 红外发光二极管和一个带有集成噪声抑制和非零交叉功能的光敏晶闸管系统组成。该晶闸管系统能够实现低至 1 mA 的触发电流，并具有大于 10 kV/μs 的 dV/dt 比率以及高达 800 V 的负载电压。IL420 和 IL4208 是一种完美的微控制器友好型解决方案，用于将低压逻辑与 120 VAC、240 VAC 和 380 VAC 高压线路隔离，并控制电阻性、电感性或电容性交流负载，如电机、电磁阀、高功率晶闸管、TRIAC 或固态继电器。

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型号：ILD615-2 编号：C5334377

封装：DIP-8

使用GaAs IRED发射器和高增益NPN光电晶体管的多通道光电晶体管光耦合器。这些器件采用上下引线框架光耦合和双模绝缘技术，可承受7500 VACₚₑₐₖ的测试电压和1700 VRMS的工作电压。分档的最小/最大和线性CTR特性使这些器件非常适合直流或交流电压检测。消除光电晶体管基极连接可增强在许多工业控制环境中对瞬态电噪声的抗干扰能力。由于保证了最大非饱和和饱和开关特性，可用于中速数据I/O和控制系统。分档的最小/最大CTR规格便于进行电平检测和开关应用的最坏情况接口计算。在IF = 1 mA时保证的CTR增强了与CMOS逻辑的接口能力。

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型号：HCPL-2200-500E 编号：C6955731

封装：DIP-8

是光耦合逻辑门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。探测器具有三态输出级，且探测器阈值具有滞后特性。三态输出无需上拉电阻，可直接驱动数据总线。滞后特性提供差模抗噪能力，消除输出信号抖动的可能性

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型号：HCPL-7721-000E 编号：C2925075

封装：DIP-8

采用8引脚DIP或SO-8封装形式，利用最新的CMOS IC技术，实现了低功耗的出色性能。仅需两个旁路电容即可实现完全的CMOS兼容性。基本组成部分包括CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。CMOS逻辑输入信号控制LED驱动IC，为LED供电。探测器IC集成了光电二极管、高速跨阻放大器和带输出驱动器的电压比较器。

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型号：HCNW3120-000E 编号：C692002

封装：DIP-8

HCPL - 3120 包含一个 GaAsP 发光二极管，而 HCPL - J312 和 HCNW3120 包含一个 AlGaAs 发光二极管。该发光二极管通过光耦合到一个带有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET

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型号：H11N1M 编号：C463996

封装：PDIP-6

H11NX-M 系列具有与 AlGaAs 红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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型号：HCPL-3700-500E 编号：C2927820

封装：DIP-8

是电压/电流阈值检测光耦合器，低电流版本使用高效AlGaAs LED，可在低驱动电流下提供更高的光输出。该器件采用阈值感应输入缓冲IC，允许通过单个外部电阻在很宽的输入电压范围内控制阈值水平。输入缓冲器具有多种功能：用于额外抗噪和抗开关干扰的迟滞功能、便于与交流输入信号配合使用的二极管电桥，以及用于保护缓冲器和LED免受各种过压和过流瞬变影响的内部钳位二极管。由于在驱动LED之前进行阈值感应，因此从LED到探测器的光耦合变化不会影响阈值水平。

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型号：PLA110L 编号：C6952196

封装：DIP-6

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型号：ASSR-4120-502E 编号：C6800675

封装：DIP-8-300mil

博通ASSR - 41xx系列由一个与高压输出检测电路光耦合的砷化铝镓红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路构成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流达到3 mA时，继电器导通（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器断开（触点打开）。单通道配置的ASSR - 4110和ASSR - 4111相当于1个A型机电继电器（EMR），双通道配置的ASSR - 4120相当于2个A型EMR。它们有4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP和鸥翼表面贴装DIP封装可供选择。其电气和开关特性在-40℃至+85℃的温度范围内有明确规定。它们用于信号和低功率交流/直流负载的通用开关。ASSR - 4111支持交流/直流和仅直流输出连接。对于仅直流连接，输出电流Io增加到0.24A，导通电阻R(ON)降至8.5Ω。

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型号：LCC120 编号：C1558767

封装：DIP-8

适用于注重峰值负载电流处理能力的应用。适用于需要在两条不同线路之间切换信号的应用。小型 8 引脚封装，是 1-Form-C 机电继电器 (EMR) 的理想节省空间的替代品。

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型号：PVT412APBF 编号：C538628

封装：DIP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

是单极、常开固态继电器，可在许多应用中替代机电继电器。它采用专有 HEXFET 功率 MOSFET 作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的 GaAlAs 发光二极管 (LED) 的辐射控制。适用于工业控制和电信外围设备应用。采用 6 引脚模制 DIP 封装，有通孔或表面贴装（鸥翼式）引脚可选，可采用标准塑料运输管或卷带包装。

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型号：PAA193 编号：C1559289

封装：DIP-8

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型号：HCPL-7710-000E 编号：C2927819

封装：DIP-8

采用8引脚DIP或SO-8封装形式，利用最新的CMOS IC技术，实现了低功耗下的出色性能。只需两个旁路电容即可实现完全的CMOS兼容性。基本组成部分包括CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。CMOS逻辑输入信号控制LED驱动IC，为LED提供电流。探测器IC集成了光电二极管、高速跨阻放大器和带输出驱动器的电压比较器。

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型号：PD2601 编号：C1559153

封装：DIP-16