DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

晶体管光耦：输入电压类型：DC 输出通道数：1 正向电压：1.2V 反向电压：6V 输出电流：50mA 接收端电压：35V 集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF)：100mV@1mA,20mA 隔离电压(rms)：5kV CTR范围:130%~260%。

10+
￥0.2907
100+
￥0.2315
300+
￥0.202

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型号：K10101C 编号：C22379855

封装：DIP-4

品牌：Cosmo(冠西)

由红外发光二极管组成，光耦合到光电晶体管探测器。采用4引脚DIP封装，有宽引脚间距和SMD选项。

10+
￥0.3011
100+
￥0.2387
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￥0.2075
1000+
￥0.1841
6000+
￥0.1654
9000+
￥0.156

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型号：BL817C 编号：C41416203

封装：DIP-4L

品牌：GME(银河微电)

10+
￥0.3313
100+
￥0.2593
300+
￥0.2233
1000+
￥0.1963

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型号：LTV-817-BN 编号：C691223

封装：DIP-4

特性：电流传输比（CTR）：最小值为50%，在IF = 5mA、VCE = 5V条件下。高输入输出隔离电压：Viso = 5000Vrms。响应时间（tr）：典型值为4μs，在VCE = 2V、IC = 2mA、RL = 100Ω条件下。应用：要求高密度安装的混合基板

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5+
￥0.3433
50+
￥0.3358
150+
￥0.3307
500+
￥0.3257

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型号：LTV-816-D-CU 编号：C5124515

封装：DIP-4

特性：电流传输比CTR: MIN 50%，在IF = 5mA，VCE = 5V时。高输入-输出隔离电压 (Viso = 5,000Vrms)。响应时间tr:TP 4μs，在VCE = 2V，Ic = 2mA，RL = 100Ω时。双列直插式封装

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10+
￥0.4098
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￥0.3234
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￥0.2714

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型号：LTV-816X-D 编号：C123320

封装：DIP-4

特性：电流传输比（CTR）：在 IE = 5mA、VCE = 5V 时，最小为 50%。高输入输出隔离电压：Viso = 5000Vrms。响应时间：在 VCE = 2V、IC = 2mA、RL = 100Ω 时，典型值为 4μs。双列直插式封装

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10+
￥0.458
100+
￥0.3645
300+
￥0.3178

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型号：PC817X3YSZW 编号：C2833075

封装：DIP-4

品牌：SHARP(夏普)

应用：计算机。办公自动化设备。电信设备（终端）。测量设备。加工机械。视听设备。家用电器

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10+
￥0.561
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￥0.4686
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￥0.4225

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型号：MPC3063-GV 编号：C47361116

封装：DIP-6

可控硅光耦：控制可控硅触发，低触发电流：≤5mA，正向电压：1.2V，正向电流：60mA，断态峰值电压(Vdrm)：600V，静态dv/dt：1000V/us，可直接替代：3061(触发电流≤15mA)，3062(触发电流≤10mA)，其它规格详见规格书MPC30XX(ZC)。该器件由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管与过零控制电路组成，采用6 引脚封装，引线间距2.54mm。可有效的隔离强电与弱电，通过其它功率元器件可控制AC120V、240V运行的阻性和感性负载，如固态继电器，电机，电磁阀等。

5+
￥0.6604
50+
￥0.6458
130+
￥0.6362

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型号：PC817X2CSZ9F 编号：C691381

封装：DIP-4

品牌：SHARP(夏普)

应用：OA设备。视听设备。家用电器。电信设备（终端）。测量设备。加工机械。计算机

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￥0.6772
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￥0.5445
200+
￥0.4386

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型号：MPC3083-GV 编号：C47361117

封装：DIP-6

可控硅光耦：控制可控硅触发，低触发电流：≤5mA，正向电压：1.2V，正向电流：60mA，断态峰值电压(Vdrm)：800V，静态dv/dt：1000V/us，可直接替代：3081(触发电流≤15mA)，3082(触发电流≤10mA)，其它规格详见规格书MPC30XX(ZC)。该器件由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管与过零控制电路组成，采用6 引脚封装，引线间距2.54mm。可有效的隔离强电与弱电，通过其它功率元器件可控制AC120V、240V运行的阻性和感性负载，如固态继电器，电机，电磁阀等。

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￥0.7044
50+
￥0.6889
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￥0.6786

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型号：MOC3022VPE-AXW 编号：C46597939

封装：DIP-6

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

可控硅输出光耦，非过零，负载电压400V, IFT最大值10mA，DIP6

5+
￥0.81
50+
￥0.792
130+
￥0.7799

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型号：MOC3052VPE-AXW 编号：C46597942

封装：DIP-6

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

可控硅输出光耦，非过零，负载电压600V, IFT最大值10mA，DIP6

5+
￥0.81
50+
￥0.792
130+
￥0.7799

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型号：LTV-814-A 编号：C115454

封装：DIP-4

特性：电流传输比（CTR：Mh：20%，IF = 1mA，VCE = 5V）。高输入-输出隔离电压（Viso = 5000V rms）。响应时间（tr：典型值4μs，VCE = 2V，IC = 2mA，RL = 100Ω）。应用：要求高密度安装的混合基板

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100+
￥0.405
1000+
￥0.39
3000+
￥0.375
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￥0.345
10000+
￥0.336

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型号：VO617A-9 编号：C17665436

封装：DIP-4

额定温度为110°C的VO617A具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用了砷化镓（GaAs）红外发光二极管，该二极管与硅平面光电晶体管检测器进行光耦合，并封装在塑料DIP - 4封装中。这些耦合器件用于在两个电气隔离的电路之间进行信号传输

5+
￥0.9452
50+
￥0.9262
200+
￥0.9135

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型号：MPC3023-GV 编号：C34373706

封装：DIP-6

光耦：控制可控硅触发，低触发电流：≤5mA，正向电压：1.2V，正向电流：60mA，断态峰值电压(Vdrm)：600V，静态dv/dt：1000V/us，可直接替代：M3062(触发电流≤10mA)，其它规格详见规格书MPCM303X,MPCM303X等,。该器件由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管与过零控制电路组成，采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装，引线间距2.54mm。可有效的隔离强电与弱电，通过其它功率元器件可控制AC120V、240V运行的阻性和感性负载，如固态继电器，电机，电磁阀等。

5+
￥1.0919
50+
￥0.831
150+
￥0.7366

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型号：6N137-GV 编号：C52200864

封装：DIP8

输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：10kV/us 数据速率：10Mbit/s 传播延迟tpLH/tpHL：75ns；75ns 电源电压：4.5V~5.5V 高速 10MB/s 逻辑门极光耦合器。

5+
￥1.1268
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￥1.102
135+
￥1.0855

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型号：CYMOC3021 编号：C970349

封装：DIP-6

品牌：OCIC(卓睿科)

均由一个 GaAs 红外发光二极管与一个单片硅光电双向可控硅开关元件光耦合组成。

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5+
￥1.1351
50+
￥0.8752
150+
￥0.7726

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型号：MPC3120R-GV 编号：C47361121

封装：DIP-8

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：35kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：400ns；400ns 电源电压：15V~30V 高抗扰度，2.5A 输出电流，门极驱动器光耦合器 MPC3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动。

5+
￥1.262
50+
￥1.2342
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￥1.2157

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型号：CYMOC3061 编号：C3018799

封装：DIP-6

品牌：OCIC(卓睿科)

CYMOC304X, CYMOC306X, CYMOC308X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管一个硅感光双向可控硅组成的光电耦合器件。元件设计为电子及功率双向可控硅控制单元，可应用于交流240V以下的电阻及电感负载等电路之间的信号传输，使输入端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。

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5+
￥1.2934
50+
￥0.986
150+
￥0.8683
500+
￥0.7214
2500+
￥0.656
5000+
￥0.6168

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型号：AT4N33-CuH-D 编号：C20612709

封装：DIP-6

品牌：AOTE(奥特)

AT4N33是一款由 GaAs发光二极管和达林顿晶体管组成的光电耦合器。可以在保持驱动电路和负载电路之间的高度隔离的同时实现开关，具有使用寿命长、速度快等优点能让它替代常规继电器。广泛应用于：开关电源，工业控制、测量仪器、可编程控制器、家用电器等。

5+
￥1.3009
50+
￥1.0237
130+
￥0.9049
520+
￥0.7566
2470+
￥0.6906
6500+
￥0.651

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型号：VO617A-4 编号：C17692434

封装：DIP-4

1+
￥1.36
10+
￥1.33
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￥1.31

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型号：CYMOC3063 编号：C970351

封装：DIP-6

品牌：OCIC(卓睿科)

CYMOC304X、CYMOC306X、CYMOC308X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管一个硅感光双向可控硅组成的光电耦合器件。元件设计为电子及功率双向可控硅控制单元，可应用于交流240V以下的电阻及电感负载等电路之间的信号传输，使输入端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。

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1+
￥1.3966
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￥1.1118
50+
￥0.9087

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型号：TCET1103 编号：C17486598

封装：DIP-4

TCET110由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚塑料双列直插式封装。

1+
￥1.49
10+
￥1.45
30+
￥1.42

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型号：TCET1102 编号：C17203631

封装：DIP-4

TCET110由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚塑料双列直插式封装。

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￥1.54
10+
￥1.5
30+
￥1.48

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型号：MP4810-G(B) 编号：C47361131

封装：DIP-8

IPM光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：10kV/us 低触发电流：≤5mA 传播延迟tpLH/tpHL：200ns；200ns 电源电压：3.0V~30V 高抗扰度 . MP4810 是一款IPM门极驱动光耦合器, 它适用于IPM接口隔离, 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动, 交流和无刷直流电机驱动, 工业逆变器, 开关电源, 通用数字隔离

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￥1.55
10+
￥1.51
45+
￥1.49

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型号：MP4800(SL)(T1)-G(B) 编号：C47361237

封装：SMD-8P