DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：VO617A-4 编号：C17692434

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥1.36
10+
￥1.33
30+
￥1.31

有货

立即购买

型号：CYMOC3063 编号：C970351

封装：DIP-6

品牌：OCIC(卓睿科)

CYMOC304X、CYMOC306X、CYMOC308X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管一个硅感光双向可控硅组成的光电耦合器件。元件设计为电子及功率双向可控硅控制单元，可应用于交流240V以下的电阻及电感负载等电路之间的信号传输，使输入端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。

数据手册

1+
￥1.3966
10+
￥1.1118
50+
￥0.9087

有货

立即购买

型号：TCET1103 编号：C17486598

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

TCET110由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚塑料双列直插式封装。

1+
￥1.49
10+
￥1.45
30+
￥1.42

有货

立即购买

型号：BL3083 编号：C41425734

封装：DIP-6L

品牌：GME(银河微电)

特性：高输入输出隔离电压 (Viso = 5000V rms)。工作温度：-55℃ ~ 100℃。应用：电磁阀控制。灯光控制

5+
￥1.4919
50+
￥1.1794
130+
￥1.0455
520+
￥0.8784

有货

立即购买

型号：MOC3021VPE-AXW 编号：C46597936

封装：DIP-6

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

可控硅输出光耦，非过零，负载电压400V, IFT最大值15mA，DIP6

5+
￥1.5087
50+
￥1.1927
130+
￥1.0573

有货

立即购买

型号：MOC3053VPE-AXW 编号：C46597938

封装：DIP-6

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

可控硅输出光耦，非过零，负载电压600V, IFT最大值5mA，DIP6

5+
￥1.5087
50+
￥1.1927
130+
￥1.0573

有货

立即购买

型号：MOC3022VPE-AXW 编号：C46597939

封装：DIP-6

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

可控硅输出光耦，非过零，负载电压400V, IFT最大值10mA，DIP6

5+
￥1.5087
50+
￥1.1927
130+
￥1.0573

有货

立即购买

型号：MOC3052VPE-AXW 编号：C46597942

封装：DIP-6

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

可控硅输出光耦，非过零，负载电压600V, IFT最大值10mA，DIP6

5+
￥1.5087
50+
￥1.1927
130+
￥1.0573

有货

立即购买

型号：VO617A 编号：C5241902

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

110℃额定的VO617A具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个GaAs红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料DIP-4封装中。

数据手册

5+
￥1.5096
50+
￥1.2255
200+
￥1.0417

有货

立即购买

型号：TCET1102 编号：C17203631

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

TCET110由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚塑料双列直插式封装。

1+
￥1.54
10+
￥1.5
30+
￥1.48

有货

立即购买

型号：CY4N33 编号：C7589059

封装：DIP-6

品牌：OCIC(卓睿科)

由砷化镓的红外发光二极管和光电达林顿管组成。

5+
￥1.5544
50+
￥1.2205
150+
￥1.0775

有货

立即购买

型号：CTT2223 编号：C191940

封装：DIP-7

品牌：CT MICRO

随机相位功率三端双向可控硅开关元件由一个三端双向可控硅开关元件和一个光控三端双向可控硅开关元件组成，后者与砷化镓红外发射二极管进行光耦合，并封装在一个7引脚DIP封装中。它还提供不同的引脚成型选项。

数据手册

1+
￥1.7112 ￥3.72
10+
￥1.1952 ￥3.32
40+
￥0.8112 ￥3.12
80+
￥0.7618 ￥2.93
480+
￥0.7306 ￥2.81

有货

立即购买

型号：MOC3081VPE-AXW 编号：C46597935

封装：DIP-6

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

可控硅输出光耦，带过零功能，负载电压800V, IFT最大值15mA，DIP6

5+
￥1.7204
50+
￥1.3601
130+
￥1.2056

有货

立即购买

型号：MOC3082VPE-AXW 编号：C46597943

封装：DIP-6

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

可控硅输出光耦，带过零功能，负载电压800V, IFT最大值10mA，DIP6

5+
￥1.7204
50+
￥1.3601
130+
￥1.2056

有货

立即购买

型号：KP40101C 编号：C920668

封装：DIP-4

品牌：Cosmo(冠西)

KP4010系列由一个光电达林顿管与一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚DIP封装，有宽引脚间距和SMD可选封装。集电极 - 发射极电压为300V。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点

数据手册

5+
￥2.0171
50+
￥1.6643
200+
￥1.5131

有货

立即购买

型号：SFH615A-1 编号：C19181017

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥2.14
10+
￥2.09
30+
￥2.05

有货

立即购买

型号：CNY75A 编号：C19111710

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥2.15
10+
￥2.11
50+
￥2.07

有货

立即购买

型号：4N35TVM 编号：C898967

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

数据手册

1+
￥2.24
10+
￥2.19
50+
￥2.15

有货

立即购买

型号：CQY80N 编号：C19167334

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

CQY80N(G) 系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用 6 引脚塑料双列直插式封装。

1+
￥2.28
10+
￥2.23
30+
￥2.2

有货

立即购买

型号：SFH6206-1T 编号：C7509627

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

SFH620A（DIP）和 SFH6206（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

1+
￥2.29
10+
￥2.24
30+
￥2.2

有货

立即购买

型号：SFH617A-3 编号：C2979746

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

额定温度为110°C的SFH617A（DIP）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用砷化镓（GaAs）红外二极管发射器，通过光耦合至硅平面光电晶体管探测器，并封装在塑料DIP 4封装中。该耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

数据手册

5+
￥2.2924
50+
￥1.8255
200+
￥1.5699

有货

立即购买

型号：SFH601-3 编号：C5334352

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

具有 GaAs 红外发射二极管发射器，光耦合至硅平面光电晶体管探测器，并采用塑料 DIP-6 封装。具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合装置设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

数据手册

1+
￥2.34
10+
￥2.29
50+
￥2.25

有货

立即购买

型号：SFH601-2 编号：C3009765

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

具有GaAs红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并封装在塑料DIP-6封装中。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合装置设计用于两个电隔离电路之间的信号传输。

1+
￥2.5
10+
￥2.45
30+
￥2.41

有货

立即购买

型号：SFH617A-4 编号：C19136284

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

额定温度为110°C的SFH617A（DIP）具备高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特性。这些耦合器采用GaAs红外二极管发射器，通过光耦合至硅平面光电晶体管探测器，并封装在塑料DIP - 4封装中。该耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

1+
￥2.57
10+
￥2.51
30+
￥2.47

有货

立即购买

型号：4N26M 编号：C89367

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器包含一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管，采用 6 引脚双列直插封装。

数据手册

1+
￥2.74
10+
￥2.16
50+
￥1.78

有货

立即购买

型号：CNY172M 编号：C899072

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。

数据手册

1+
￥2.8
10+
￥2.25
50+
￥2.02

有货

立即购买

型号：4N37 编号：C2980320

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

每个光耦合器由砷化镓红外 LED 和硅 NPN 光电晶体管组成。

数据手册

1+
￥2.86
10+
￥2.28
30+
￥2.04

有货

立即购买

型号：CNY17F-1 编号：C19078474

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

光耦合器由砷化镓红外发射二极管和硅平面光电晶体管探测器组成，采用塑料插件 DIP-6 封装。该耦合装置适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。待耦合电路之间的电位差不得超过最大允许参考电压。与 CNY17 系列相比，F 型的基极端未连接，从而显著提高了共模干扰抗扰度。

1+
￥3.07
10+
￥3
65+
￥2.95

有货

立即购买

型号：4N38 编号：C5346030

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

由砷化镓红外LED和硅NPN光电晶体管组成。这些耦合器通过UL认证，符合5000 VRMS隔离测试电压。这种隔离性能通过双模隔离制造工艺实现。通过订购选项1，这些系列产品可符合DIN EN 60747-5-5局部放电隔离规范。这些隔离工艺和ISO9001质量体系使产品具备商用塑料光电晶体管光耦合器中较高的隔离性能。器件有适合表面贴装的引脚成型配置，可采用卷带包装或标准管装。

数据手册

1+
￥3.16
10+
￥3.08
50+
￥3.03

有货

立即购买

型号：CYHCPL2530 编号：C47115513

封装：DIP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

CYHCPL2530 和CYHCPL2531 由一颗红外LED 耦合一颗三极管输出1Mbit/s 高速IC 的高速光耦，光电二极管偏置的单独连接通过减小输入晶体管的基极集电极电容，使速度比传统的光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制10kV/µs。与220V的工业标准相比，改进的封装具有优越的绝缘性，允许480V的工作电压。

1+
￥3.27
10+
￥3.2
50+
￥3.15

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示