DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

是单通道光电晶体管耦合器，由砷化镓红外 LED 和硅 NPN 光电晶体管组成。

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型号：SFH601-2 编号：C3009765

封装：DIP-6

具有GaAs红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并封装在塑料DIP-6封装中。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合装置设计用于两个电隔离电路之间的信号传输。

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型号：CNY172M 编号：C899072

封装：DIP-6

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。

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型号：MP4810-G(B) 编号：C47361131

封装：DIP-8

IPM光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：10kV/us 低触发电流：≤5mA 传播延迟tpLH/tpHL：200ns；200ns 电源电压：3.0V~30V 高抗扰度 . MP4810 是一款IPM门极驱动光耦合器, 它适用于IPM接口隔离, 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动, 交流和无刷直流电机驱动, 工业逆变器, 开关电源, 通用数字隔离

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型号：MP4800(SL)(T1)-G(B) 编号：C47361237

封装：SMD-8P

IPM光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：10kV/us 低触发电流：≤5mA 传播延迟tpLH/tpHL：200ns；200ns 电源电压：3.0V~30V 高抗扰度 . MP4800 是一款IPM门极驱动光耦合器, 它适用于IPM接口隔离, 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动, 交流和无刷直流电机驱动, 工业逆变器, 开关电源, 通用数字隔离

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型号：MP4810(SL)(T1)-G(B) 编号：C47361238

封装：SMD-8P

IPM光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：10kV/us 低触发电流：≤5mA 传播延迟tpLH/tpHL：200ns；200ns 电源电压：3.0V~30V 高抗扰度 . MP4810 是一款IPM门极驱动光耦合器, 它适用于IPM接口隔离, 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动, 交流和无刷直流电机驱动, 工业逆变器, 开关电源, 通用数字隔离

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型号：4N26M 编号：C89367

封装：DIP-6

该通用型光耦合器包含一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管，采用 6 引脚双列直插封装。

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型号：CNY17F-3X001 编号：C17576692

封装：DIP-6

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型号：MP350A-G(B) 编号：C47361127

封装：DIP-8

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：15kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：400ns；400ns 电源电压：15V~30V 高抗扰度，2.5A 输出电流，门极驱动器光耦合器 MP350A 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/100A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动

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型号：H11L1TVM 编号：C899475

封装：DIP-6

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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型号：PC3SD12NTZAF 编号：C79475

封装：DIP-6

品牌：SHARP(夏普)

光控三端双向可控硅耦合器包括一个红外发射二极管 (IRED)，该二极管通过光耦合到一个输出光控三端双向可控硅。这些器件具有全波控制功能，是中高电流三端双向可控硅的理想隔离驱动器。DIP 封装提供 5.0kV 的输入到输出隔离，并具有出色的换向抗噪性。

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型号：SFH620A-3X001 编号：C3009245

封装：DIP-4

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为2.54mm，可端部堆叠。选择选项6时，爬电距离和电气间隙距离 > 8mm。此版本符合IEC 60950 (DIN VDE 0805)标准，适用于400Vᵣₘₛ或直流的工作电压。

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型号：SFH617A-4X016 编号：C145216

封装：DIP-4

110℃ 额定 SFH617A (DIP) 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个 GaAs 红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

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型号：SFH618A-2 编号：C19181005

封装：DIP-4

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54 mm，可端对端堆叠。选择选项 6 时，爬电距离和电气间隙距离 >8 mm。

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型号：SFH615AA 编号：C17404782

封装：DIP-4

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型号：MOC8050SR2VM 编号：C899881

封装：DIP-6

MOC8021M 和 MOC8050M 为光电达林顿型光耦合器,无基极联接。此类器件具有与硅达林顿光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管。

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型号：4N27 编号：C7503419

封装：DIP-6

4N25系列是行业标准的单通道光电晶体管耦合器。该系列包括4N25、4N26、4N27、4N28。每个光耦合器由砷化镓红外LED和一个硅NPN光电晶体管组成

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型号：MOC8102 编号：C19168905

封装：DIP-6

MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104系列光耦合器由砷化镓红外发光二极管和硅平面光电晶体管探测器组成，采用塑料插入式DIP - 6封装。该耦合器件适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。待耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压

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型号：ST3M-2223 编号：C771773

封装：DIP-7

品牌：STEIPU(斯泰普)

小型对应AC负载的可控硅输出光电耦合器

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型号：TCDT1124 编号：C17493025

封装：DIP-6

TCDT1120(G) 系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用 6 引脚塑料双列直插式封装。

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型号：SFH619A 编号：C17647058

封装：DIP-4

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型号：VO3120 编号：C506490

封装：DIP-8

该产品由一个LED与带有功率输出级的集成电路光耦合而成。此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达800V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可使用该产品驱动一个分立功率级，该功率级再驱动IGBT栅极。

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型号：SFH628A-4 编号：C17355448

封装：DIP-4

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型号：TCET1109G 编号：C143036

封装：DIP-4

TCET110由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚塑料双列直插式封装。

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型号：MOC3041VM 编号：C899809

封装：DIP-6

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：4N29M 编号：C898952

封装：DIP-6

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M 和 TIL113M 具有与硅外延平面光电达林顿进行光耦合的砷化镓红外发光二极管。

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型号：H11L3M 编号：C899482

封装：DIP-6

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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型号：ACPL-827-30BE 编号：C6795869

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是一款直流输入双通道、全间距光电晶体管光耦合器，包含两个发光二极管，与两个独立的晶体管进行光耦合。采用8引脚DIP封装。是一款直流输入四通道、全间距光电晶体管光耦合器，包含四个发光二极管，与四个独立的晶体管进行光耦合。采用16引脚DIP封装。两种光耦合器都有宽引脚间距选项和引脚弯曲表面贴装（SMD）选项，输入输出隔离电压为5000Vrms。响应时间t(Γ)典型值为4μs，在输入电流为5mA时，最小电流传输比（CTR）为50%。

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型号：SFH618A-3 编号：C19078475

封装：DIP-4

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型号：FOD8523SD 编号：C463971

封装：SMD-4P