DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

由红外发光二极管与光电晶体管探测器光耦合组成，采用4引脚DIP封装，有宽引脚间距和SMD可选。

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型号：BL817B 编号：C41416202

封装：DIP-4L

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型号：LTV-817-C 编号：C109225

封装：DIP-4

品牌：LITEON(光宝)

LTV817C 直插光耦光电耦合

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￥0.242144

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型号：LTV-816-D-CU 编号：C5124515

封装：DIP-4

品牌：LITEON(光宝)

特性：电流传输比CTR: MIN 50%，在IF = 5mA，VCE = 5V时。高输入-输出隔离电压 (Viso = 5,000Vrms)。响应时间tr:TP 4μs，在VCE = 2V，Ic = 2mA，RL = 100Ω时。双列直插式封装

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型号：UPC817AG-D04-T 编号：C2900480

封装：DIP-4

品牌：UTC(友顺)

是一款4引脚双列直插式（DIP）光电晶体管光电耦合器，它采用友顺科技的先进技术，为客户提供输入与输出之间的高隔离电压等特性。

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型号：PC817X1CSZ9F 编号：C691380

封装：DIP-4

品牌：SHARP(夏普)

应用：OA设备。视听设备。家用电器。电信设备（终端）。测量设备。加工机械。计算机

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型号：TLP785(BLL,F 编号：C3021399

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP785由一个与红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5000 Vrms（最小值））。

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型号：TLP521-1GB-W(KTP) 编号：C49443625

封装：DIP-4

外观为白色胶体，输入类型:DC,输出类型:光电三极管，隔离电压(Vrms)：2.5kV

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型号：BL815 编号：C41425715

封装：DIP-4L

特性：电流传输比（CTR：在IF = 1mA，VCE = 2V时为600~7500%）。输入输出间高隔离电压（Viso = 5000V rms）。工作温度：-55℃~110℃。应用：开关电源、智能电表。工业控制、测量仪器

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型号：MOC3053 编号：C20612446

封装：DIP-6

由一个砷化镓红外发光二极管与一个单片硅随机相位光电三端双向可控硅光耦合组成。它们设计用于电子控制和功率线路之间的接口，以控制115至240VAC操作的电阻性和电感性负载。

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型号：AT4N36-CuH-D 编号：C22396196

封装：DIP-6

品牌：AOTE(奥特)

AT4N36是一款由发光二极管和一个光电晶体管组成的光电耦合器。六引脚封装（DIP6、 SMD6）。广泛应用于：电源调节器、数字逻辑输入、微处理输入。

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型号：KMOC3061 编号：C920676

封装：DIP-5

品牌：Cosmo(冠西)

由与单片硅探测器光耦合的砷化镓红外发射二极管组成，可实现零电压交叉双向可控硅驱动器的功能。设计用于与可控硅配合使用，应用于由115/240V交流线路供电的设备的逻辑系统接口，如固态继电器、工业控制、电机、螺线管和家用电器等。

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型号：MOC3052M-A 编号：C5175312

封装：DIP-5

品牌：LITEON(光宝)

5引脚DIP光耦合器，三端双向可控硅驱动器输出。高输入输出隔离电压Viso = 5000Vrms。高重复峰值断态电压VDRM：最小600V。高断态电压临界上升率dV/dt：最小1000V/μs。多种封装形式，包括双列直插式、宽引脚间距式、表面贴装式和卷带封装。通过多项安全认证，如UL、TUV、CSA、FIMKO、VDE、CQC。符合RoHS指令。 ESD通过HBM 8000V/MM 2000V。 MSL等级1

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型号：FOD817AS 编号：C243067

封装：SMD-4P

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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型号：EL3023-V 编号：C3034994

封装：DIP-6

品牌：EVERLIGHT(亿光)

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型号：BL3052 编号：C41425726

封装：DIP-6L

特性：高输入输出隔离电压（Viso = 5000V rms）。工作温度：-55℃ ~ 100℃。应用：电磁阀控制。镇流器

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￥2.1354
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型号：BL847 编号：C42378424

封装：DIP-16L

特性：电流传输比 (CTR: 50~600% at IF = 5mA, VCE = 5V)。输入和输出之间的高隔离电压 (Viso = 5000V rms)。集电极-发射极击穿电压 BVCEO ≥ 80V。工作温度: -55°C~110°C。应用：可编程控制器。系统电器、测量仪器

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型号：HCPL-814-000E 编号：C6795850

封装：DIP-4

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 814包含一个光电晶体管，与两个反并联连接的发光二极管光耦合。它可由交流输入电流直接驱动。该器件采用4引脚DIP封装，提供宽引脚间距和引脚弯曲SMD两种选项

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￥2.48
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型号：6N137 编号：C2904408

封装：DIP-8

品牌：Slkor(萨科微)

6N137由一个高效的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和一个高速光检测器组成。其工作参数在 -55 °C 至 100 °C 的温度范围内得到保证。

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型号：HCPL-4506-C1L0 编号：C19185363

封装：DIP-8

HCPL-4506 高速光电耦合器采用一个GaAsP 的LED。LED 光耦合到一个集成高增益光电检测器上。此光耦通过减少开关死区时间，来最小化器件之间的传输延迟差，为提高逆变器效率提供优良的解决方案。

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型号：H11L1TVM 编号：C899475

封装：DIP-6

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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型号：FOD819 编号：C479729

封装：DIP-4

FOD819 在 4 引脚双列直插封装内包括一个砷化镓 (GaAs) 红外发光二极管，驱动带有集成的基极发射电阻 RBE 的硅光电达林顿输出。当绝缘数据信号传输中需要更高速度性能时，它适用于以更高性能替代受欢迎的 FOD817 系列。

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型号：MOC8102 编号：C19168905

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104系列光耦合器由砷化镓红外发光二极管和硅平面光电晶体管探测器组成，采用塑料插入式DIP - 6封装。该耦合器件适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。待耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压

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型号：HCPL-2531-C1L0 编号：C19185356

封装：DIP-8

这类晶体二极管型光耦在LED与集成光敏接收器之间用一绝缘层来保证输入与输出间的电器隔离。光电二极管和输出晶体管集电极分别给予偏置电压，可以使常规光敏晶体管的速度提高。

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型号：HCPL-817-00AE 编号：C17514602

封装：DIP-4

品牌：Broadcom(博通)

包含一个与光电晶体管光耦合的发光二极管。采用4引脚DIP封装，有宽引脚间距选项和引脚弯曲SMD选项。输入输出隔离电压为5000Vrms。响应时间tr典型值为4μs，在输入电流为5mA时最小电流传输比（CTR）为50%。

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型号：ACPL-847-000E 编号：C7501744

封装：DIP-16

品牌：Broadcom(博通)

是一款直流输入双通道、全间距光电晶体管光耦合器，包含两个发光二极管，它们与两个独立的晶体管进行光耦合，采用8引脚DIP封装。同样，有一款直流输入四通道、全间距光电晶体管光耦合器，包含四个发光二极管，它们与四个独立的晶体管进行光耦合，采用16引脚DIP封装。两款光耦合器都有宽引脚间距选项和引脚弯曲的贴片式（SMD）选项，输入-输出隔离电压为5000Vrms。响应时间tr通常为4μs，在输入电流为5mA时，最小电流传输比（CTR）为50%。

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￥5.27

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型号：VO3120 编号：C506490

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

该产品由一个LED与带有功率输出级的集成电路光耦合而成。此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达800V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可使用该产品驱动一个分立功率级，该功率级再驱动IGBT栅极。

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￥5.92
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￥5.78
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型号：PS2561D-1Y-A 编号：C17698547

封装：DIP-4

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS2561D - 1是一款光耦合隔离器，包含一个砷化镓（GaAs）发光二极管和一个NPN型硅光电晶体管。PS2561D - 1采用塑料双列直插式封装（DIP，Dual In - line Package），而PS2561DL - 1是用于表面贴装的弯引脚型（鸥翼型）。

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￥6.21
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￥5.09
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型号：MOC3041VM 编号：C899809

封装：DIP-6