DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：DIP-6

MOC3071M、MOC3072M 和 MOC3073M 由与非零交叉硅双向交流开关（三端双向可控硅元件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。这些器件将低电压逻辑与 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。这些器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

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型号：6N139-300E 编号：C17292832

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

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型号：PS2502-1-A 编号：C22416454

封装：DIP-4

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是光耦合隔离器，包含一个砷化镓发光二极管和一个 NPN 硅达林顿连接光电晶体管。采用塑料双列直插封装（DIP），另一种为表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼型）。

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型号：VO2223A-X001 编号：C3151702

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

是一款光耦合光电三端双向可控硅，采用 DIP-8 封装驱动功率三端双向可控硅。它提供 5300V 的输入到输出隔离。

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型号：VOR1121A6 编号：C5334341

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

是一款250 V单通道常开光隔离固态继电器（SPST-1 form A）。基于混合架构，可在较宽的环境温度范围内实现快速开关时间。高效的GaAlAs红外发光二极管可实现低输入正向电流。在输出端，高性能MOSFET开关可提供低导通电阻，能够切换直流和交流信号。

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型号：G3VM-352C 编号：C1558926

封装：DIP-8

品牌：OMRON(欧姆龙)

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型号：HCNW136-000E 编号：C6795879

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带模拟应用，在IF = 16mA时，这些器件的电流传输比（CTR）最小为7%。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在IF = 16mA时，这些器件的CTR最小为19%。

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型号：MOC3063TVM 编号：C899843

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：HCNW4502-500E 编号：C17239614

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

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型号：HCPL-4503-300E 编号：C17558752

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

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型号：FOD420 编号：C463480

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

FOD420、FOD4208、FOD4216 和 FOD4218 器件由与混合随机相位三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成，该开关由两个逆向并联 SCR 构成，具有能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4216 和 FOD4218 使用高能效红外发光二极管，具有更高的触发器灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。

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型号：6N139-000E 编号：C691909

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些高增益系列耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器，在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与 TTL 兼容的饱和电压和高速运行。若需要，可将 VCC 和 VO 端子连接在一起，以实现传统的光电达林顿操作。基极接入端子允许进行增益带宽调整

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型号：HCPL-4562-300E 编号：C17341733

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

提供用于模拟信号的宽带隔离。与应用电路结合使用时，非常适合视频隔离。通过AlGaAs LED与高速探测器相结合，实现高线性度和低相移。单通道光耦合器，有8引脚DIP和宽体封装配置。

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型号：ACPL-847-30GE 编号：C17501227

封装：DIP-16

品牌：Broadcom(博通)

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型号：PS2533L-1-F3-A 编号：C5334517

封装：DIP-4

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是光耦合隔离器，包含一个GaAs发光二极管和一个NPN硅达林顿连接光电晶体管。采用塑料DIP（双列直插式封装），另一种是用于表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼型）。

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型号：HCPL-2502-000E 编号：C17630187

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

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型号：PS2533-1-A 编号：C5334520

封装：DIP-4

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS2533 - 1和PS2533L - 1是光耦合隔离器，包含一个砷化镓（GaAs）发光二极管和一个NPN硅达林顿连接光电晶体管。PS2533 - 1采用塑料双列直插式封装（DIP，Dual In - line Package），PS2533L - 1为表面贴装的弯引脚型（鸥翼型）。

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型号：HCPL-2531-300E 编号：C17343237

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些双通道光耦合器包含一对发光二极管和集成光电探测器，输入和输出之间具有电气绝缘。通过降低基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些双通道光耦合器有8引脚DIP和行业标准SO-8封装可供选择。

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￥18.92
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￥18.5
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型号：ACPL-T350-560E 编号：C691964

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

包含一个GaAsP LED，该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200 V/100 A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可用于驱动分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。绝缘电压为VIORM = 630 V峰值（选项060）。

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型号：IL420-X016 编号：C20507094

封装：6-DIP

品牌：VISHAY(威世)

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型号：BRT23F 编号：C19078476

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

由一个光耦合的砷化镓红外发光二极管和一个光敏晶闸管系统组成，集成了噪声抑制和过零电路。该晶闸管系统可实现低触发电流1.2 mA，具有大于10 kV/μs的dV/dt比和高达800 V的负载电压。是一种非常适合微控制器的解决方案，可将低电压逻辑与120 VAC、240 VAC和380 VAC的高电压线路隔离，并控制电阻性、电感性或电容性交流负载，如电机、螺线管、高功率晶闸管、双向晶闸管和固态继电器。

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型号：HCPL-0314-000E 编号：C692006

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

该系列器件由一个 GaAsP 发光二极管与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。

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￥22.89
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￥19.78
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型号：IL4118 编号：C22414338

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

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￥22.54
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型号：ILQ615-2 编号：C5334371

封装：DIP-16

品牌：VISHAY(威世)

使用GaAs IRED发射器和高增益NPN光电晶体管的多通道光电晶体管光耦合器。这些器件采用上下引线框架光耦合和双模绝缘技术，可承受7500 VACₚₑₐₖ的测试电压和1700 VRMS的工作电压。分档的最小/最大和线性CTR特性使这些器件非常适合直流或交流电压检测。消除光电晶体管基极连接可增强在许多工业控制环境中对瞬态电噪声的抗干扰能力。由于保证了最大非饱和和饱和开关特性，可用于中速数据I/O和控制系统。分档的最小/最大CTR规格便于进行电平检测和开关应用的最坏情况接口计算。在IF = 1 mA时保证的CTR增强了与CMOS逻辑的接口能力。

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