DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

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型号：K10101B 编号：C22381648

封装：DIP-4

品牌：Cosmo(冠西)

由红外发光二极管组成，光耦合到光电晶体管探测器。它们采用4引脚DIP封装，有宽引脚间距和SMD选项。

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型号：PC817C 编号：C41416268

封装：DIP-4L

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型号：UPC817AG-D04-T 编号：C2900480

封装：DIP-4

品牌：UTC(友顺)

是一款4引脚双列直插式（DIP）光电晶体管光电耦合器，它采用友顺科技的先进技术，为客户提供输入与输出之间的高隔离电压等特性。

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型号：PC817X1CSZ9F 编号：C691380

封装：DIP-4

品牌：SHARP(夏普)

应用：OA设备。视听设备。家用电器。电信设备（终端）。测量设备。加工机械。计算机

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型号：TLP785(BLL,F 编号：C3021399

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP785由一个与红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5000 Vrms（最小值））。

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型号：BL814B 编号：C41425713

封装：DIP-4L

特性：电流传输比（CTR）：在IF = ±1mA，VCE = 5V时为20~300%。输入输出间高隔离电压（Viso）：5000V rms。集电极-发射极击穿电压BVCEO ≥ 80V。工作温度：-55°C ~ 110°C。应用：开关电源、智能电表。工业控制、测量仪器

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型号：MPC3053-GV 编号：C34373708

封装：DIP-6

光耦：控制可控硅触发，低触发电流：≤5mA，正向电压：1.2V，正向电流：60mA，断态峰值电压(Vdrm)：600V，静态dv/dt：1000V/us，可直接替代：M3062(触发电流≤10mA)，其它规格详见规格书MPCM303X,MPCM303X等,。该器件由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管与过零控制电路组成，采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装，引线间距2.54mm。可有效的隔离强电与弱电，通过其它功率元器件可控制AC120V、240V运行的阻性和感性负载，如固态继电器，电机，电磁阀等。

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型号：EL3081 编号：C115479

封装：DIP-6

品牌：EVERLIGHT(亿光)

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型号：MOC3052M-A 编号：C5175312

封装：DIP-5

品牌：LITEON(光宝)

5引脚DIP光耦合器，三端双向可控硅驱动器输出。高输入输出隔离电压Viso = 5000Vrms。高重复峰值断态电压VDRM：最小600V。高断态电压临界上升率dV/dt：最小1000V/μs。多种封装形式，包括双列直插式、宽引脚间距式、表面贴装式和卷带封装。通过多项安全认证，如UL、TUV、CSA、FIMKO、VDE、CQC。符合RoHS指令。 ESD通过HBM 8000V/MM 2000V。 MSL等级1

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型号：FOD817AS 编号：C243067

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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型号：BL847 编号：C42378424

封装：DIP-16L

特性：电流传输比 (CTR: 50~600% at IF = 5mA, VCE = 5V)。输入和输出之间的高隔离电压 (Viso = 5000V rms)。集电极-发射极击穿电压 BVCEO ≥ 80V。工作温度: -55°C~110°C。应用：可编程控制器。系统电器、测量仪器

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型号：BL3052 编号：C41425726

封装：DIP-6L

特性：高输入输出隔离电压（Viso = 5000V rms）。工作温度：-55℃ ~ 100℃。应用：电磁阀控制。镇流器

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型号：H11L1 编号：C78588

封装：DIP-6

品牌：EVERLIGHT(亿光)

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型号：MPC3120-GV 编号：C52200865

封装：DIP-8

输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：20kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：500ns；500ns 电源电压：15V~30V 高抗扰度，2.5A 输出电流，门极驱动器光耦合器 MP3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/100A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动

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型号：MP4800-G(B) 编号：C47361130

封装：DIP-8

IPM光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：10kV/us 低触发电流：≤5mA 传播延迟tpLH/tpHL：200ns；200ns 电源电压：3.0V~30V 高抗扰度 . MP4800 是一款IPM门极驱动光耦合器, 它适用于IPM接口隔离, 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动, 交流和无刷直流电机驱动, 工业逆变器, 开关电源, 通用数字隔离

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￥2.86
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型号：MP3150-G(B) 编号：C47361125

封装：DIP-8

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：20kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：250ns；250ns 电源电压：15V~30V 高抗噪能力、1.0A输出电流、栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分800V/20A IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT或MOSFET

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型号：MPC3150L-GV 编号：C47361122

封装：DIP-8

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：20kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：500ns；500ns 电源电压：15V~30V 高抗噪能力、1.0A输出电流、栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分800V/20A IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT或MOSFET。

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￥2.86
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型号：MP3150(SL)(T1)-G(B) 编号：C47361228

封装：SMD-8P

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：20kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：250ns；250ns 电源电压：15V~30V 高抗噪能力、1.0A输出电流、栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分800V/20A IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT或MOSFET

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型号：MP3184(SL)(T1)-G(B) 编号：C47361231

封装：SMD-8P

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：35kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：210ns；210ns 电源电压：15V~30V 高抗扰度，3.0A 输出电流，门极驱动器光耦合器 MP3184 是一款 3.0A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/100A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动

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￥2.99
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型号：MP3184-G(B) 编号：C47361128

封装：DIP-8

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：35kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：210ns；210ns 电源电压：15V~30V 高抗扰度，3.0A 输出电流，门极驱动器光耦合器 MP3184 是一款 3.0A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/100A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动

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型号：MP350A(SL)(T1)-G(B) 编号：C47361230

封装：SMD-8P

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：15kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：400ns；400ns 电源电压：15V~30V 高抗扰度，2.5A 输出电流，门极驱动器光耦合器 MP350A 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/100A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动

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￥3.13
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型号：FOD819 编号：C479729

封装：DIP-4

品牌：onsemi(安森美)

FOD819 在 4 引脚双列直插封装内包括一个砷化镓 (GaAs) 红外发光二极管，驱动带有集成的基极发射电阻 RBE 的硅光电达林顿输出。当绝缘数据信号传输中需要更高速度性能时，它适用于以更高性能替代受欢迎的 FOD817 系列。

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型号：PS2565-1-A 编号：C17304143

封装：DIP-4

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是光耦合隔离器，包含砷化镓发光二极管和 NPN 硅光电晶体管。采用塑料双列直插式封装（DIP），PS2565L-1 是用于表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼式），PS2565L1-1 是宽引脚弯曲型，PS2565L2-1 是用于表面贴装的宽引脚弯曲型。

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￥4.37
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￥4.26
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型号：HCPL-817-00AE 编号：C17514602

封装：DIP-4

包含一个与光电晶体管光耦合的发光二极管。采用4引脚DIP封装，有宽引脚间距选项和引脚弯曲SMD选项。输入输出隔离电压为5000Vrms。响应时间tr典型值为4μs，在输入电流为5mA时最小电流传输比（CTR）为50%。

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￥4.68
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￥3.8
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￥3.37

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型号：ACPL-847-000E 编号：C7501744

封装：DIP-16

是一款直流输入双通道、全间距光电晶体管光耦合器，包含两个发光二极管，它们与两个独立的晶体管进行光耦合，采用8引脚DIP封装。同样，有一款直流输入四通道、全间距光电晶体管光耦合器，包含四个发光二极管，它们与四个独立的晶体管进行光耦合，采用16引脚DIP封装。两款光耦合器都有宽引脚间距选项和引脚弯曲的贴片式（SMD）选项，输入-输出隔离电压为5000Vrms。响应时间tr通常为4μs，在输入电流为5mA时，最小电流传输比（CTR）为50%。

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￥5.49
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￥5.36
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型号：ACPL-827-06CE 编号：C2937294

封装：DIP-8

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￥6.53
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型号：6N137-300E 编号：C6795936

封装：DIP-8