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FOD3150是一个1.0A的输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分800V/20A IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT和MOSFET。

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型号：6N138M 编号：C898994

封装：DIP-8

6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分割达林顿光检测器进行光耦合的 AlGaAs LED。该分割达林顿配置将输入光电二极管和第一级增益与输出晶体管进行分离，与传统达林顿光电晶体管光耦合器相比，可实现更低的输出饱和电压和更高的运行速度。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的发射极-基极电阻器在温度范围内提供了卓越的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适用于 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及较高的扇出 TTL 要求。内部噪声屏蔽提供卓越的 10 kV/us 共模抑制。

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型号：HCPL2530 编号：C410940

封装：DIP-8

由一个与高速光电探测器晶体管光耦合的AlGaAs LED组成。光电二极管偏置的独立连接通过减少输入晶体管的基极-集电极电容，比传统光电晶体管光耦合器提高了几个数量级的速度。内部噪声屏蔽提供了10kV/µs的卓越共模抑制能力。改进的封装允许480V的工作电压，而行业标准为220V。

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型号：LH1540AT 编号：C1525252

封装：DIP-6

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型号：VOR1142A6 编号：C1558819

封装：DIP-6

SPST常开开关（1 form A）可在许多应用中替代机电继电器。它采用GaAlAs IRED驱动控制和MOSFET作为开关输出。

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型号：H11N1 编号：C22404786

封装：DIP-6

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型号：HCNW4506-300E 编号：C6052274

封装：DIP-8

HCPL - 4506和HCPL - 0466包含一个GaAsP（磷砷化镓）发光二极管，而HCPL - J456和HCNW4506包含一个AlGaAs（铝镓砷）发光二极管。该发光二极管与一个集成的高增益光电探测器进行光耦合。器件间的传播延迟差异极小，这使得这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的理想解决方案

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型号：ILQ621 编号：C17554764

封装：DIP-16

ILD621、ILQ621、ILD621GB、ILQ621GB 是多通道光电晶体管光耦合器，采用砷化镓红外发光二极管（IRED）发射器和高增益 NPN 硅光电晶体管。这些器件采用双模塑绝缘技术制造。鉴于在 1.0 mA 的正向电流（lF）下，其集电极 - 发射极饱和电流传输比（CTRCEsat）最低为 30%，ILD621、ILQ621GB 非常适合用于 CMOS 接口

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型号：ILD615-2 编号：C5334377

封装：DIP-8

使用GaAs IRED发射器和高增益NPN光电晶体管的多通道光电晶体管光耦合器。这些器件采用上下引线框架光耦合和双模绝缘技术，可承受7500 VACₚₑₐₖ的测试电压和1700 VRMS的工作电压。分档的最小/最大和线性CTR特性使这些器件非常适合直流或交流电压检测。消除光电晶体管基极连接可增强在许多工业控制环境中对瞬态电噪声的抗干扰能力。由于保证了最大非饱和和饱和开关特性，可用于中速数据I/O和控制系统。分档的最小/最大CTR规格便于进行电平检测和开关应用的最坏情况接口计算。在IF = 1 mA时保证的CTR增强了与CMOS逻辑的接口能力。

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型号：HCPL-2602-000E 编号：C692029

封装：DIP-8

是光耦合线路接收器，结合了GaAsP发光二极管、输入电流调节器和集成高增益光电探测器。输入调节器可作为线路接收器应用的线路终端，它能钳位线路电压并调节LED电流，使线路反射不影响电路性能。调节器在开始分流多余电流之前允许典型的8.5 mA LED电流。探测器IC的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管，使能输入对探测器进行门控

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型号：LOC117 编号：C5752289

封装：DIP-8

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型号：IL4108 编号：C19631577

封装：DIP-6

IL410和IL4108由一个与光敏晶闸管系统光耦合的砷化镓红外发光二极管组成，该系统集成了噪声抑制和过零电路。晶闸管系统可实现2 mA的低触发电流，其dV/dt比大于10 kV/μs，负载电压最高可达800 V。

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型号：HCPL-263L-300E 编号：C6569997

封装：DIP-8

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型号：ASSR-1411-001E 编号：C5555230

封装：DIP-6

该系列由与高压输出检测电路光耦合的AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。通过输入LED的最小输入电流为3 mA时，继电器导通（触点闭合）。输入电压为0.8V或更低时，继电器关断（触点断开）

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型号：HCPL-7721-000E 编号：C2925075

封装：DIP-8

采用8引脚DIP或SO-8封装形式，利用最新的CMOS IC技术，实现了低功耗的出色性能。仅需两个旁路电容即可实现完全的CMOS兼容性。基本组成部分包括CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。CMOS逻辑输入信号控制LED驱动IC，为LED供电。探测器IC集成了光电二极管、高速跨阻放大器和带输出驱动器的电压比较器。

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型号：HCNW3120-000E 编号：C692002

封装：DIP-8

HCPL - 3120 包含一个 GaAsP 发光二极管，而 HCPL - J312 和 HCNW3120 包含一个 AlGaAs 发光二极管。该发光二极管通过光耦合到一个带有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET

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型号：PLA170 编号：C1558843

封装：DIP-6

PLA170是一款单极常开（1-Form-A）固态继电器，采用光耦合MOSFET技术，可实现3750Vrms的增强型输入 - 输出隔离。其光耦合输出采用专利OptoMOS架构，由高效红外LED控制。

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型号：ACPL-312T-500E 编号：C17507904

封装：DIP-8

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型号：HCPL-3120-060E 编号：C6795900

封装：DIP-8

HCPL - 3120 包含一个 GaAsP 发光二极管，而 HCPL - J312 和 HCNW3120 包含一个 AlGaAs 发光二极管。该发光二极管通过光耦合到一个带有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET

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型号：HCPL-3700-500E 编号：C2927820

封装：DIP-8

是电压/电流阈值检测光耦合器，低电流版本使用高效AlGaAs LED，可在低驱动电流下提供更高的光输出。该器件采用阈值感应输入缓冲IC，允许通过单个外部电阻在很宽的输入电压范围内控制阈值水平。输入缓冲器具有多种功能：用于额外抗噪和抗开关干扰的迟滞功能、便于与交流输入信号配合使用的二极管电桥，以及用于保护缓冲器和LED免受各种过压和过流瞬变影响的内部钳位二极管。由于在驱动LED之前进行阈值感应，因此从LED到探测器的光耦合变化不会影响阈值水平。

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型号：LAA125 编号：C461271

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型号：PLA110L 编号：C6952196

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型号：ASSR-4120-502E 编号：C6800675

封装：DIP-8-300mil

博通ASSR - 41xx系列由一个与高压输出检测电路光耦合的砷化铝镓红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路构成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流达到3 mA时，继电器导通（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器断开（触点打开）。单通道配置的ASSR - 4110和ASSR - 4111相当于1个A型机电继电器（EMR），双通道配置的ASSR - 4120相当于2个A型EMR。它们有4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP和鸥翼表面贴装DIP封装可供选择。其电气和开关特性在-40℃至+85℃的温度范围内有明确规定。它们用于信号和低功率交流/直流负载的通用开关。ASSR - 4111支持交流/直流和仅直流输出连接。对于仅直流连接，输出电流Io增加到0.24A，导通电阻R(ON)降至8.5Ω。

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型号：HCPL-2430-000E 编号：C24750

封装：DIP-8

高速光耦合器将 820 nm 的 AlGaAs 发光二极管与高速光电探测器相结合。这种组合实现了非常高的数据速率能力和低输入电流。图腾柱输出或三态输出无需上拉电阻，并允许直接驱动数据总线。探测器具有带内置施密特触发器的光接收器输入级，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。迟滞特性提供差模抗噪能力，并最大程度减少输出信号抖动的可能性。在 0℃ 至 70℃ 的温度范围内保证电气和开关特性。

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型号：LAA127 编号：C6974785

封装：DIP-8