DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

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型号：APY212GH 编号：C53109382

封装：DIP-4

1 Form A(SPST-NO) 负载电压: 60V 连续负载电流:1.8A

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型号：APY211G3E 编号：C44635429

封装：DIP-4

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型号：SFH620A-3 编号：C500642

封装：DIP-4

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型号：CYAQW214EH 编号：C3018808

封装：DIP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

通用经济型光MOS继电器CYAQW21x，有8引脚封装的双通道单刀单掷（2 Form A）和4引脚封装的单通道单刀单掷（1 Form A）可供选用，增强隔离电压5000V。

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型号：SFH618A-3 编号：C19078475

封装：DIP-4

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型号：APV216E 编号：C44635411

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型号：APV215G1E 编号：C44916764

封装：DIP-6

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型号：APV214E 编号：C44635410

封装：DIP-6

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型号：6N135VM 编号：C188656

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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型号：TLP2662(F) 编号：C5346751

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高强度GaAs红外发光二极管(LED)与高增益、高速感光芯片光耦合而成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用DIP8封装。两个LED感光对有助于节省电路板空间。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制能力，可将抗噪性提高至±20kV/μs。

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型号：APV215G2E 编号：C53120874

封装：DIP-6

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型号：H11L2M 编号：C258255

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路集电极输出实现最大应用灵活性。

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型号：APY414E 编号：C42444418

封装：DIP-4

APSEMI光电继电器是最可靠、技术最先进的逻辑到功率接口器件。其基本功能是接收来自微处理器的低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑电路和功率电路之间提供隔离屏障。

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型号：APV252GAE 编号：C44916768

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型号：AQW212EH 编号：C719670

封装：DIP-8

品牌：PANASONIC(松下)

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型号：APV211G4AE 编号：C53120872

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型号：HCNW4504-000E 编号：C49269389

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型号：HCNW139-000E 编号：C188686

封装：DIP-8

0.5mA 低输入电流,高增益光电耦合器

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型号：HCPL-2502-000E 编号：C17630187

封装：DIP-8

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型号：IL4208 编号：C7469107

封装：DIP-6

IL420 和 IL4208 由一个光学耦合的 GaAs 红外发光二极管和一个带有集成噪声抑制和非零交叉功能的光敏晶闸管系统组成。该晶闸管系统能够实现低至 1 mA 的触发电流，并具有大于 10 kV/μs 的 dV/dt 比率以及高达 800 V 的负载电压。IL420 和 IL4208 是一种完美的微控制器友好型解决方案，用于将低压逻辑与 120 VAC、240 VAC 和 380 VAC 高压线路隔离，并控制电阻性、电感性或电容性交流负载，如电机、电磁阀、高功率晶闸管、TRIAC 或固态继电器。

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型号：HCPL-2201-000E 编号：C6052292

封装：DIP-8

是光耦合逻辑门。HCPL22XX和HCPL-02XX包含GaAsP LED，而HCNW22XX包含AlGaAs LED。探测器具有图腾柱输出级和内置施密特触发器的光接收器输入级，可提供逻辑兼容波形，无需额外的波形整形。

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型号：ILQ621GB 编号：C5342966

封装：DIP-16

ILD621/ILQ621 和 ILD621GB/ILQ621GB 是多通道光电晶体管光耦合器，采用 GaAs 红外发光二极管发射器和高增益 NPN 硅光电晶体管。这些器件采用双模塑绝缘技术制造。这种组装工艺可承受 7500 VDC 的测试电压

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型号：HCPL-4562-000E 编号：C49278084

封装：DIP-8

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型号：HCNW2611-300E 编号：C7466708

封装：DIP

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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型号：HCNW4503-000E 编号：C49269409

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型号：LH1510AT 编号：C3008925

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