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首页 > 热门关键词 > DIP光耦
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PS2561D - 1是一款光耦合隔离器,包含一个砷化镓(GaAs)发光二极管和一个NPN型硅光电晶体管。PS2561D - 1采用塑料双列直插式封装(DIP,Dual In - line Package),而PS2561DL - 1是用于表面贴装的弯引脚型(鸥翼型)。
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  • 通用经济型光MOS继电器CYAQW21x,有8引脚封装的双通道单刀单掷(2 Form A)和4引脚封装的单通道单刀单掷(1 Form A)可供选用,增强隔离电压5000V。
    数据手册
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  • 通用经济型光MOS继电器CYAQW21x,有8引脚封装的双通道单刀单掷(2 Form A)和4引脚封装的单通道单刀单掷(1 Form A)可供选用,增强隔离电压5000V。
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  • 6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容,与传统光电晶体管相比,速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接,改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。
    数据手册
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  • 通用经济型光MOS继电器CYAQW21x,有8引脚封装的双通道单刀单掷(2 Form A)和4引脚封装的单通道单刀单掷(1 Form A)可供选用,增强隔离电压5000V。
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  • 特性:常开,单刀单掷。 可控制400V交流或直流电压。 可切换130mA负载。 LED控制电流为5mA。 低导通电阻。 dv/dt >500V/ms。 隔离测试电压为3750VACrms
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  • 该系列器件由一个 GaAsP 发光二极管与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.67
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  • H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器,针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化,利用开路集电极输出实现最大应用灵活性。
    数据手册
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  • 有货
  • APSEMI光电继电器是最可靠、技术最先进的逻辑到功率接口器件。其基本功能是接收来自微处理器的低电流信号,以控制交流和直流负载的开关,同时在逻辑电路和功率电路之间提供隔离屏障。
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      ¥10.54
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      ¥17.69
  • 有货
  • ILD621/ILQ621 和 ILD621GB/ILQ621GB 是多通道光电晶体管光耦合器,采用 GaAs 红外发光二极管发射器和高增益 NPN 硅光电晶体管。这些器件采用双模塑绝缘技术制造。这种组装工艺可承受 7500 VDC 的测试电压
    数据手册
    • 1+

      ¥19.39
    • 10+

      ¥16.61
    • 25+

      ¥14.96
  • 有货
  • 应用于数字现场总线隔离交流、等离子显示面板电平移位、多路数据传输、计算机外围接口和微处理器系统接口
    • 1+

      ¥21.56
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      ¥18.34
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      ¥16.43
  • 有货
  • 光耦合门,结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时,共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证,确保系统无故障运行。
    • 1+

      ¥22.06
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      ¥21.53
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  • 有货
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      ¥23.36
    • 10+

      ¥19.87
    • 42+

      ¥17.8
  • 有货
  • 该系列由与高压输出检测电路光耦合的AlGaAs红外发光二极管(LED)输入级组成。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成,用于开关两个分立的高压MOSFET。通过输入LED的最小输入电流为3 mA时,继电器导通(触点闭合)。输入电压为0.8V或更低时,继电器关断(触点断开)
    • 1+

      ¥25.76
    • 10+

      ¥21.87
    • 50+

      ¥19.56
  • 有货
  • HCPL - 3120 包含一个 GaAsP 发光二极管,而 HCPL - J312 和 HCNW3120 包含一个 AlGaAs 发光二极管。该发光二极管通过光耦合到一个带有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET
    • 1+

      ¥32.05
    • 10+

      ¥27.6
    • 30+

      ¥24.96
  • 有货
  • 这些器件是超低功耗、高增益的单通道和双通道光耦合器。HCPL-4701代表单通道8引脚DIP配置,与行业标准6N139引脚兼容。HCPL-4731代表双通道8引脚DIP配置,与流行标准HCPL-2731引脚兼容。
    • 1+

      ¥35.16
    • 10+

      ¥30.38
    • 30+

      ¥27.53
  • 有货
  • 是单极、常开(1-Form-A)固态继电器。使用光耦合MOSFET技术,提供3750Vrms的输入到输出隔离,并具有超低导通电阻,适用于大电流操作。光耦合输出采用专利的OptoMOS架构,由高效红外LED控制。具有半导体器件的卓越可靠性,可用于替代机械继电器。没有移动部件,可在更紧凑的表面贴装或通孔封装中提供更快、无弹跳的开关。
    • 1+

      ¥36.25
    • 10+

      ¥35.36
    • 50+

      ¥34.76
  • 有货
  • 高速光耦合器将 820 nm 的 AlGaAs 发光二极管与高速光电探测器相结合。这种组合实现了非常高的数据速率能力和低输入电流。图腾柱输出或三态输出无需上拉电阻,并允许直接驱动数据总线。探测器具有带内置施密特触发器的光接收器输入级,可提供逻辑兼容的波形,无需额外的波形整形。迟滞特性提供差模抗噪能力,并最大程度减少输出信号抖动的可能性。在 0℃ 至 70℃ 的温度范围内保证电气和开关特性。
    数据手册
    • 1+

      ¥36.95
    • 10+

      ¥36.09
    • 50+

      ¥32.32
  • 有货
  • 是电压/电流阈值检测光耦合器,低电流版本使用高效AlGaAs LED,可在低驱动电流下提供更高的光输出。该器件采用阈值感应输入缓冲IC,允许通过单个外部电阻在很宽的输入电压范围内控制阈值水平。输入缓冲器具有多种功能:用于额外抗噪和抗开关干扰的迟滞功能、便于与交流输入信号配合使用的二极管电桥,以及用于保护缓冲器和LED免受各种过压和过流瞬变影响的内部钳位二极管。由于在驱动LED之前进行阈值感应,因此从LED到探测器的光耦合变化不会影响阈值水平。
    • 1+

      ¥41.08
    • 10+

      ¥35.3
    • 50+

      ¥31.77
  • 有货
  • 是一款250V、200mA、10Ω的双常开(1-Form-A)固态继电器,由两个独立控制的光耦合MOSFET开关组成。超高效MOSFET开关和光伏管芯的组合提供了3750Vrms的输入到输出隔离。 光耦合输出采用专利的OptoMOS架构,由高效红外LED控制。 这款双单极OptoMOS继电器在各种应用中比分立单极继电器提供更紧凑的设计解决方案,并通过将两个开关集成在一个8引脚封装中节省了电路板空间。
    • 1+

      ¥47.41
    • 10+

      ¥41.06
    • 50+

      ¥37.2
    • 100+

      ¥33.96
  • 有货
    • 1+

      ¥54.3
    • 10+

      ¥47.04
    • 50+

      ¥42.61
    • 100+

      ¥38.9
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