DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP785(D4-GB,F 编号：C9199

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP785由一个硅光电晶体管和一个砷化镓（GaAs）红外发光二极管通过光耦合组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5kVRMS（最小值））。TLP785F是TLP785的长爬电距离表面贴装引脚成型类型。

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5+
￥1.9187
50+
￥1.5232
200+
￥1.3537

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型号：KP40101B 编号：C14563

封装：DIP-4

品牌：Cosmo(冠西)

特性：高电流传输比（Vcco：300V MIN）（CTR：在IF = 1mA，Vce = 2V时，最小值为600%）。输入和输出之间的高隔离电压（Viso：5000Vrms）。紧凑的双列直插式封装。可用封装：DIP/SMDr H。应用：系统设备，测量仪器。工业机器人

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5+
￥2.0916
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￥1.7381
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￥1.5865

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型号：CNY75A 编号：C19111710

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥2.15
10+
￥2.11
50+
￥2.07

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型号：CNY17F-2 编号：C5334345

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

由砷化镓红外发光二极管和硅平面光电晶体管探测器组成，采用塑料插件 DIP-6 封装。适用于两个电气隔离电路之间的信号传输，耦合电路之间的电位差不得超过最大允许参考电压。与 CNY17 系列相比，F 型的基极端未连接，显著提高了共模干扰抗扰度。

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1+
￥2.17
10+
￥2.12
30+
￥2.08

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型号：4N35TVM 编号：C898967

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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1+
￥2.24
10+
￥2.19
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型号：CQY80N 编号：C19167334

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

CQY80N(G) 系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用 6 引脚塑料双列直插式封装。

1+
￥2.28
10+
￥2.23
30+
￥2.2

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型号：SFH6206-1T 编号：C7509627

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

SFH620A（DIP）和 SFH6206（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

1+
￥2.29
10+
￥2.24
30+
￥2.2

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型号：SFH601-3 编号：C5334352

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

具有 GaAs 红外发射二极管发射器，光耦合至硅平面光电晶体管探测器，并采用塑料 DIP-6 封装。具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合装置设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

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1+
￥2.34
10+
￥2.29
50+
￥2.25

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型号：HCPL-3150-C1H0 编号：C48392934

封装：DIP-8

品牌：KTP(科泰普)

应用于工业逆变器、不间断电源、感应加热和隔离 IGBT/功率MOSFET栅极驱动等。 HCPL-3150是一个1.0A的输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分800V/ 20A IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT和MOSFET。它由铝砷化镓(AlGaAs)发光二极管组成，该二极管以光学方式耦合到具有高速驱动器的集成电路，以实现推挽式MOSFET输出级。

1+
￥2.63
10+
￥2.05
50+
￥1.8
100+
￥1.49

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型号：VO618A-3 编号：C142630

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

额定温度为110℃，具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器具有砷化镓红外二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并集成在塑料DIP-4封装中。耦合装置设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器可端部堆叠，间距为2.54mm。选项6和8可实现大于8.0mm的爬电距离和电气间隙。此版本符合IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高400VRMS或直流的工作电压。

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1+
￥2.65
10+
￥2.11
30+
￥1.88

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型号：4N37 编号：C2980320

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

每个光耦合器由砷化镓红外 LED 和硅 NPN 光电晶体管组成。

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1+
￥2.78
10+
￥2.21
30+
￥1.96

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型号：MP3182-G(B) 编号：C47361129

封装：DIP-8

品牌：MP(美禄科技)

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：35kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：200ns；200ns 电源电压：10V~30V 高抗扰度，3.0A 输出电流，门极驱动器光耦合器 MP3182 是一款 3.0A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/100A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动

1+
￥2.99
10+
￥2.37
45+
￥2.1
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￥1.77

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型号：CNY17F-1 编号：C19078474

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

光耦合器由砷化镓红外发射二极管和硅平面光电晶体管探测器组成，采用塑料插件 DIP-6 封装。该耦合装置适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。待耦合电路之间的电位差不得超过最大允许参考电压。与 CNY17 系列相比，F 型的基极端未连接，从而显著提高了共模干扰抗扰度。

1+
￥3.07
10+
￥3
65+
￥2.95

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型号：4N38 编号：C5346030

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

由砷化镓红外LED和硅NPN光电晶体管组成。这些耦合器通过UL认证，符合5000 VRMS隔离测试电压。这种隔离性能通过双模隔离制造工艺实现。通过订购选项1，这些系列产品可符合DIN EN 60747-5-5局部放电隔离规范。这些隔离工艺和ISO9001质量体系使产品具备商用塑料光电晶体管光耦合器中较高的隔离性能。器件有适合表面贴装的引脚成型配置，可采用卷带包装或标准管装。

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1+
￥3.16
10+
￥3.08
50+
￥3.03

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型号：SFH620A-2 编号：C3008899

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，引脚间距为 2.54mm。选择选项 6 可实现大于 8mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950 (DIN VDE 0805) 标准，适用于 400Vₐₙₛ 或直流的工作电压。

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1+
￥3.33
10+
￥3.24
30+
￥3.18

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型号：HCPL-817-00BE 编号：C2927830

封装：DIP-4

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 817包含一个发光二极管和一个光电晶体管，二者通过光耦合。它采用4引脚双列直插式封装（DIP），有宽引脚间距选项和弯引脚贴片（SMD）选项。输入 - 输出隔离电压为5000 Vrms

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1+
￥3.68
10+
￥3.6
30+
￥3.55

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型号：LTV-0223 编号：C2918480

封装：DIP-8

品牌：LITEON(光宝)

固态继电器是砷化镓铝发光二极管、光电三端双向可控硅探测器和主功率三端双向可控硅的集成。这些器件非常适合控制高压交流负载，具有固态可靠性，同时在输入和输出之间提供5 kV隔离（Vso(rms)）。

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1+
￥3.69
10+
￥2.99
50+
￥2.64

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型号：SFH617A-3X016 编号：C5273047

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

110°C 额定 SFH617A (DIP) 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个 GaAs 红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器光学耦合，并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器可端部堆叠，间距为 2.54mm。选择选项 6 可实现 >8.8min 的爬电距离和电气间隙。

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1+
￥3.74
10+
￥3.04
30+
￥2.68

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型号：KP10400E 编号：C920666

封装：DIP-16

品牌：Cosmo(冠西)

KP1040 系列由一个红外发光二极管和一个光电晶体管探测器光耦合组成。它们采用 16 引脚 DIP 封装，有宽引脚间距和 SMD 可选封装。

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1+
￥3.7802 ￥4.61
10+
￥2.7 ￥3.75
24+
￥2.0584 ￥3.32
96+
￥1.7918 ￥2.89
504+
￥1.6306 ￥2.63
1440+
￥1.55 ￥2.5

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型号：APY212E 编号：C42444404

封装：DIP-4

品牌：APSEMI(先进光)

APSEMI光电继电器是最可靠、技术最先进的逻辑到功率接口器件。其基本功能是接收来自微处理器的低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑电路和功率电路之间提供隔离屏障。与机械继电器相比，光电继电器具有显著优势，包括：长寿命（机械和电气寿命无限制）、无触点弹跳开关、更高的速度和高频开关能力、更高的灵敏度（更低的功耗）、抗电磁干扰（EMI）或射频干扰（RFI）、无电弧、无触点弹跳和噪声、更耐振动和冲击、可进行交流或直流负载切换、封装尺寸小

1+
￥4.27
10+
￥3.43
30+
￥3.01
100+
￥2.59
500+
￥2.34
1000+
￥2.22

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型号：PS2501-1-L-A 编号：C17304905

封装：DIP-4

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是光耦合隔离器，包含一个砷化镓发光二极管和一个NPN硅光电晶体管。采用塑料双列直插封装（DIP），还有用于表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼型）。

1+
￥4.61
10+
￥4.51
30+
￥4.44

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型号：APY211G2E 编号：C42444421

封装：DIP-4

品牌：APSEMI(先进光)

1+
￥4.85
10+
￥4.28
30+
￥4.03
100+
￥3.73
500+
￥3.59
1000+
￥3.51

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型号：APY214E 编号：C42444458

封装：DIP-4

品牌：APSEMI(先进光)

APSEMI光电继电器是可靠的、技术先进的逻辑到功率接口器件。其基本功能是接收来自微处理器的低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑电路和功率电路之间提供隔离屏障。

1+
￥4.92
10+
￥3.94
30+
￥3.44
100+
￥2.96
500+
￥2.66
1000+
￥2.51

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型号：APY210E 编号：C42444416

封装：DIP-4

品牌：APSEMI(先进光)

用于从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和电源之间提供隔离屏障。通过接收低电平输入电流(<5mA)，为输入红外LED供电，该LED与光电二极管阵列芯片光耦合。该IC进而产生光电压，为两个通常以源极到源极配置连接的MOSFET供电，允许交流和直流输出负载。光继电器基本上通过移动光子来实现其开关功能，不会产生机械磨损，提供一致可靠的开关性能。

1+
￥4.92
10+
￥3.94
30+
￥3.44
100+
￥2.96
500+
￥2.66
1000+
￥2.51

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型号：PS2501-1-K-A 编号：C17373935

封装：DIP-4

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是光耦合隔离器，包含一个砷化镓发光二极管和一个NPN硅光电晶体管。采用塑料双列直插封装（DIP），还有用于表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼型）。

1+
￥5.42
10+
￥4.41
30+
￥3.9

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型号：CYAQW214D4 编号：C20417306

封装：DIP-4

品牌：OCIC(卓睿科)

通用经济型光MOS继电器CYAQW21X，有8引脚封装的双通道单刀单掷（2 Form A）和4引脚封装的单通道单刀单掷（1 Form A）可供选用，增强隔离电压5000V。

1+
￥5.59
10+
￥4.5
30+
￥3.96
100+
￥3.42

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型号：CYAQW210D4 编号：C20417307

封装：DIP-4

品牌：OCIC(卓睿科)

通用经济型光MOS继电器CYAQW21X，有8引脚封装的双通道单刀单掷（2 Form A）和4引脚封装的单通道单刀单掷（1 Form A）可供选用，增强隔离电压5000V。

1+
￥5.59
10+
￥4.5
30+
￥3.96

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型号：LTV-3120 编号：C2961006

封装：DIP-8

品牌：LITEON(光宝)

该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用和电源系统逆变器中的功率IGBT和MOSFET。它包含一个与带有功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。3.0A的峰值输出电流能够直接驱动大多数额定值高达1200V / 100A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该系列可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。光耦合器的工作参数在-40℃至+110℃的温度范围内得到保证。

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