FDS4559
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述双路场效应管，MOSFET，互补N与P沟道，60 V，4.5 A，0.055 ohm，SOIC，表面安装
- 英文描述Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
- 数据手册FDS4559数据手册Datasheet PDF
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FDS4559概述
FDS4559是使用高级PowerTrench工艺生产的互补MOSFET器件，该工艺经过专门定制以最大程度地降低导通电阻，并保持低栅极电荷，以提供出色的开关性能。适用于LCD背光逆变器。
应用
电源管理
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电源管理
FDS4559中文参数
| 通道类型 | N，P | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大连续漏极电流 | 3.5 A，4.5 A | 每片芯片元件数目 | 2 |
| 最大漏源电压 | 60 V | 典型栅极电荷@Vgs | 12.5 nC @ 10 V，15 nC @ 10 V |
| 封装类型 | SOIC | 长度 | 5mm |
| 安装类型 | 表面贴装 | 最高工作温度 | +175 °C |
| 引脚数目 | 8 | 晶体管材料 | Si |
| 最大漏源电阻值 | 55 mΩ，105 mΩ | 最低工作温度 | -55 °C |
| 通道模式 | 增强 | 系列 | PowerTrench |
| 最大功率耗散 | 2 W | 宽度 | 4mm |
| 晶体管配置 | 隔离式 | 高度 | 1.5mm |
FDS4559引脚图
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