IRLB3034PBF
- 厂商名称Infineon
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，40 V，195 A，0.0014 ohm，TO-220AB，通孔
- 英文描述Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab)TO-220AB Tube
- 数据手册IRLB3034PBF数据手册Datasheet PDF
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IRLB3034PBF概述
IRLB3034PBF是40V单N沟道HEXFET功率MOSFET，采用TO-220AB封装。该MOSFET具有改善的栅极，雪崩特性和动态dV/dt耐用性，可实现快速开关。适用于SMPS，不间断电源，高速电源开关，直流电动机驱动器，硬开关和高频电路中的高效同步整流。
增强的体二极管dV/dt和dI/dt功能
全面表征的电容和雪崩SOA
4.5V Vgs时的Rds（on）非常低
在4.5V VGS时具有出色的RxQ
针对逻辑电平驱动进行了优化
漏极至源极电压（Vds）为40V
栅极至源极电压为±20V
Vgs 10V时的导通电阻Rds（on）为1.4mohm
25°C时375W的功耗Pd
工作结温范围为-55°C至175°C
应用
电源管理，工业，便携式器材，消费电子产品
增强的体二极管dV/dt和dI/dt功能
全面表征的电容和雪崩SOA
4.5V Vgs时的Rds（on）非常低
在4.5V VGS时具有出色的RxQ
针对逻辑电平驱动进行了优化
漏极至源极电压（Vds）为40V
栅极至源极电压为±20V
Vgs 10V时的导通电阻Rds（on）为1.4mohm
25°C时375W的功耗Pd
工作结温范围为-55°C至175°C
应用
电源管理，工业，便携式器材，消费电子产品
IRLB3034PBF中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 343 A | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大漏源电压 | 40 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | TO-220AB | 长度 | 10.67mm |
| 安装类型 | 通孔 | 最高工作温度 | +175 °C |
| 引脚数目 | 3 | 典型栅极电荷@Vgs | 108 nC @ 4.5 V |
| 最大漏源电阻值 | 2 mΩ | 最低工作温度 | -55 °C |
| 通道模式 | 增强 | 系列 | HEXFET |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V | 宽度 | 4.83mm |
| 最小栅阈值电压 | 1V | 晶体管材料 | Si |
| 最大功率耗散 | 375 W | 高度 | 9.02mm |
IRLB3034PBF引脚图
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