FDS9435A
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，P沟道，30 V，5.3 A，0.042 ohm，SOIC，表面安装
- 英文描述Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
- 数据手册FDS9435A数据手册Datasheet PDF
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FDS9435A概述
FDS9435A是一款-30V P沟道PowerTrench®MOSFET，设计用于最大限度地降低导通电阻并保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。Fairchild最新的中压功率MOSFET经过了优化，结合了低栅极电荷(QG)，小反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复主体二极管，为AC/DC电源中的同步整流提供快速开关。采用屏蔽栅结构，可提供电荷平衡。采用先进的技术，这款设备的FOM(品质因数(QGxRDS(ON)))比上一代低66％。新型PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能无需缓冲电路或者替换更高的额定电压-可以将电压尖峰降至最低。该产品是通用型，适用于许多不同的应用。
高性能沟道技术，极低的Rds(on)
高功率，高电流处理能力
应用
电源管理，工业
高性能沟道技术，极低的Rds(on)
高功率，高电流处理能力
应用
电源管理，工业
FDS9435A中文参数
| 通道类型 | P | 最大栅源电压 | -25 V、+25 V |
| 最大连续漏极电流 | 5.3 A | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电压 | 30 V | 宽度 | 4mm |
| 封装类型 | SOIC | 系列 | PowerTrench |
| 安装类型 | 表面贴装 | 最低工作温度 | -55 °C |
| 引脚数目 | 8 | 高度 | 1.5mm |
| 最大漏源电阻值 | 50 mΩ | 典型栅极电荷@Vgs | 10 nC @ 10 V |
| 通道模式 | 增强 | 长度 | 5mm |
| 最小栅阈值电压 | 1V | 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大功率耗散 | 2.5 W | 晶体管材料 | Si |
| 晶体管配置 | 单 |
FDS9435A引脚图
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