SRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：IS62WV5128EBLL-45TLI 编号：C5772470

封装：TSOPI-32

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥44.69
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￥43.69
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￥43.02

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型号：IS61C5128AL-10TLI 编号：C5656690

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

是高速的4,194,304位静态随机存取存储器，组织为524,288字×8位。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现低功耗下最快12 ns的访问时间。当CE为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时功耗可通过CMOS输入电平降低。通过使用片选和输出使能输入CE和OE，可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能（WE）控制存储器的读写。一个数据字节允许高字节（UB）和低字节（LB）访问。采用JEDEC标准的36引脚SOJ（400密耳）、32引脚TSOP-I、32引脚SOP、44引脚TSOP-II和32引脚TSOP-II封装。

1+
￥44.9
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￥43.9
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￥43.23

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型号：AS6C62256-55PCN 编号：C5569983

封装：PDIP-28

品牌：Alliance Memory

AS6C62256是一款262,144位的低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织形式为32,768字×8位。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定

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￥46.05
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￥45.05
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￥44.39

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型号：CY14V101QS-SF108XIT 编号：C2953377

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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￥49.89
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￥48.71
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￥47.93

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型号：CY7C1041G30-10VXI 编号：C2955818

封装：BSOJ-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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￥50.85
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￥49.55
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￥48.68

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型号：CY62137EV30LL-45ZSXIT 编号：C2953208

封装：TSOPII-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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￥51.96
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￥44.68
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￥40.25

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型号：IS61WV25616BLS-25TLI 编号：C1351896

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

是高速、4,194,304 位静态随机存取存储器，组织为 262,144 字 x 16 位。采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能、低功耗的器件。当 CE 为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时通过 CMOS 输入电平可降低功耗。通过使用片选和输出使能输入 CE 和 OE，可轻松实现内存扩展。低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写。数据字节允许高字节 (UB) 和低字节 (LB) 访问。采用 JEDEC 标准 44 引脚 TSOP II 型和 48 引脚 Mini BGA（6mm x 8mm）封装。

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1+
￥52.64
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￥51.41
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￥50.59

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型号：IS62WVS5128FBLL-20NLI 编号：C5741536

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥52.75
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￥51.57
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型号：CY7C1041G30-10BVXI 编号：C2947465

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1041G是一款4兆-Bit（256K字×16-Bit）高速静态随机存取存储器，带有错误检测和纠正功能（ECC）。支持单字节和双字节访问，工作电压范围为1.65V至2.2V，2.2V至3.6V，以及4.5V至5.5V。具备低功耗特性，适用于工业级应用。

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￥53.72
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￥52.52
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￥51.72

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型号：CY62147EV30LL-45BVXI 编号：C5278092

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62147EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为256K x 16-Bit。该设备具有先进的电路设计，提供超低功耗和自动断电功能。适用于便携式应用，如手机。其工作电压范围为2.2V至3.6V，速度为45ns。工业温度范围为-40°C至+85°C。典型待机电流为2.5μA，最大待机电流为7μA。

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￥54.39
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￥52.2

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型号：CY62157EV30LL-45ZXI 编号：C2953627

封装：TFSOP-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62157EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为512K字节x16-Bit或1M字节x8-Bit。该器件具有先进的电路设计，可提供超低功耗。适用于便携式设备，如手机。支持自动断电功能，可显著降低功耗。

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￥55.49
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￥54.19
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￥53.32

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型号：IS61WV25616EDBLL-8TLI 编号：C1351821

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥56.15
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￥54.84
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￥53.96

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型号：CY62157ESL-45ZSXI 编号：C2953929

封装：TSOPII-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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￥57.77
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￥56.41
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￥55.51

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型号：IS61WV102416FBLL-10TLI 编号：C1352436

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥81.92
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￥70.45
30+
￥63.46

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型号：71V416S12PHG8 编号：C2061677

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款 4,194,304 位的高速静态随机存取存储器，组织形式为 256K x 16。采用高性能、高可靠性的 CMOS 技术制造。这种先进的技术与创新的电路设计技术相结合，为高速内存需求提供了最有效的解决方案。具有一个输出使能引脚，最快可在 5ns 内工作，地址访问时间最快可达 10ns。所有双向输入和输出均与 LVTTL 兼容，工作电源为单一的 3.3V。使用完全静态异步电路，操作无需时钟或刷新。封装形式包括 44 引脚、400 密耳塑料 SOJ 封装、44 引脚、400 密耳 TSOP II 型封装和 48 球栅阵列、9mm x 9mm 封装。

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￥86.1
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￥83.48

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型号：RMLV0408EGSB-4S2#HA1 编号：C2061049

封装：TSOPII-32-11.3mm

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

RMLV0408E系列是一组4 Mbit静态随机存取存储器（SRAM），采用高性能先进低功耗静态随机存取存储器（LPSRAM）技术制造，组织形式为524,288字×8位。RMLV0408E系列实现了更高的密度、更高的性能和更低的功耗。该系列具有低功耗待机功耗，因此适用于电池备份系统

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￥95.24
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￥92.19

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型号：71V416S15PHG 编号：C1350065

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

IDT71V416 是一款 4,194,304 位的高速静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为 256K x 16。它采用高性能、高可靠性的 CMOS 技术制造。这种先进技术与创新的电路设计技术相结合，为高速内存需求提供了经济高效的解决方案

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￥100.99
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￥97.91

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型号：IS62WV102416GBLL-45TLI 编号：C1352370

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥108.68
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￥105.2

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型号：IS62WV102416FBLL-45BLI 编号：C5741520

封装：VFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥118.91
10+
￥115.29

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型号：IS61WV51216EDBLL-8TLI 编号：C5741504

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥133.61
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￥127.36

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型号：IS61WV51216EDBLL-10BLI 编号：C1349210

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥133.72
30+
￥127.16

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型号：IS61WV20488FBLL-10TLI 编号：C6644074

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

高速、16M位静态随机存取存储器，按2048K字x8位组织。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件。当片选信号CS#为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时通过CMOS输入电平可降低功耗。通过使用片选使能和输出使能输入可轻松实现内存扩展。低电平有效的写使能信号（WE#）控制存储器的读写操作。器件采用JEDEC标准的44引脚薄型小外形封装（TSOP II）、48引脚微型球栅阵列封装（6mm x 8mm）和54引脚薄型小外形封装（TSOP II）。