SRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：IS62WV102416FBLL-45BLI 编号：C5741520

封装：VFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥118.91
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￥115.29

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型号：CY14B101LA-SZ25XI 编号：C5439679

封装：-

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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单价：
￥121.16 / 个

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型号：IS61WV51216EDBLL-8TLI 编号：C5741504

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥133.61
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￥127.36

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型号：IS61WV51216EDBLL-10BLI 编号：C1349210

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS61WV20488FBLL-10TLI 编号：C6644074

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

高速、16M位静态随机存取存储器，按2048K字x8位组织。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件。当片选信号CS#为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时通过CMOS输入电平可降低功耗。通过使用片选使能和输出使能输入可轻松实现内存扩展。低电平有效的写使能信号（WE#）控制存储器的读写操作。器件采用JEDEC标准的44引脚薄型小外形封装（TSOP II）、48引脚微型球栅阵列封装（6mm x 8mm）和54引脚薄型小外形封装（TSOP II）。

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￥136.06
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型号：70V24L20PFGI 编号：C6081410

封装：TQFP-100(14x14)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：IS61LF12836A-7.5TQLI 编号：C5656697

封装：LQFP-100(14x20)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS61WV10248BLL-10MLI 编号：C6280212

封装：MiNiBGA-48(9x11)

品牌：ISSI(美国芯成)

这是一款高速、低功耗、1M字x8位的CMOS静态RAM，采用高性能CMOS技术制造。该工艺可靠性高，结合创新电路设计技术，使设备具有更高性能和低功耗。当CE为高电平时，设备进入待机模式，可通过CMOS输入电平降低功耗。该RAM使用单电源供电，所有输入均与TTL兼容，有48球迷你BGA和44引脚TSOP（II型）封装。

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型号：CY62167ELL-45ZXIT 编号：C2953119

封装：TFSOP-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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￥171.88
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型号：CY7C1061G30-10BV1XI 编号：C2948709

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1061G和CY7C1061GE是带有嵌入式ECC的高性能CMOS快速静态随机存取存储器（SRAM）器件。这两款器件均提供单芯片使能和双芯片使能选项，以及多种引脚配置。CY7C1061GE器件包含一个ERR引脚，该引脚在读取周期期间对单比特错误检测和纠正事件发出信号

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型号：CY7C1370KVE33-167AXI 编号：C2949876

封装：LQFP-100(14x20)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

单价：
￥207 / 个

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型号：IS61WV102416BLL-10TLI-TR 编号：C2066108

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：CY14B104NA-BA45XIT 编号：C2953438

封装：TFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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型号：IS61WV3216BLL-12TLI 编号：C1351245

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV3216BLL是一款高速的524,288位静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为32,768字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，在低功耗的情况下，存取时间最快可达12ns（3.3V±10%）和15ns（2.5V - 3.6V）

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型号：IS62LV256AL-20TLI 编号：C1352060

封装：TSOPI-28-8.0mm

品牌：ISSI(美国芯成)

是一款高速、低功耗的32,768字×8位静态RAM，采用高性能CMOS技术制造。这种高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现最快15 ns的访问时间。当CE为高电平（未选中）时，设备进入待机模式，在CMOS输入电平下功耗降至150 μW（典型值）。通过使用低电平有效芯片使能（CE）可轻松进行内存扩展。低电平有效写使能（WE）控制存储器的读写操作。有JEDEC标准的28引脚SOJ、28引脚SOP和28引脚TSOP（I型）封装。

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型号：CY7C1021DV33-10ZSXIT 编号：C2759921

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1021DV33是一款高性能CMOS静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为65,536字×16位。该器件具备自动掉电功能，在未被选中时可显著降低功耗。向该器件写入数据时，需将片选信号（CE(overline)）和写使能信号（WE）置为低电平

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型号：IS62WV6416FBLL-45TLI 编号：C6644095

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

是高速的1M位静态随机存取存储器，组织为64k字×16位。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能、低功耗的器件。当CS1#为高电平（未选中）或CS2为低电平（未选中）或CS1#为低电平、CS2为高电平且LB#和UB#均为高电平时，器件进入待机模式，此时使用CMOS输入电平可降低功耗

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型号：IS62C1024AL-35QLI-TR 编号：C2653510

封装：SOP-32-11.3mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62C1024AL/IS65C1024AL是一款低功耗、131,072字×8位的CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：AS6C62256-55SCN 编号：C1351133

封装：SOP-28-8.6mm

品牌：Alliance Memory

AS6C62256是一款262,144位的低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织形式为32,768字×8位。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定

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型号：71256SA25YG 编号：C1350202

封装：SOJ-28

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

32K x 8 高级高速 CMOS 静态随机存取存储器（SRAM），有商业级（0°C 至 70°C）和工业级（-40°C 至 85°C）两种温度规格可选。访问时间和周期时间一致。商业级：12ns

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型号：71024S12TYGI 编号：C6463170

封装：SOJ-32

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

IDT71024是一款1,048,576位的高速静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为128K x 8。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。这种先进的技术与创新的电路设计技术相结合，为高速内存需求提供了经济高效的解决方案

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型号：IS66WVS1M8BLL-104NLI-TR 编号：C17452695

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

集成内存设备包含 8Mb 伪静态随机存取存储器，采用自刷新 DRAM 阵列，组织为 1M 字 x 8 位。该设备支持 SPI（串行外设接口）和 QPI（四路外设接口）协议，信号引脚数量极少（6 个信号引脚：CLK、CE# 和 4 个 SIO），具有隐藏刷新操作，适用于工业温度和汽车 A2 级温度范围。支持带内复位，而非专用的 RESET# 引脚，最小传输数据大小为 8 位。

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型号：IS61WV12816DBLL-10BLI 编号：C1351579

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61WV12816DAxx/DBxx 和 IS64WV12816DBxx 是高速 2,097,152 位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为 131,072 字×16 位。它们采用 ISSI 的高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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￥38.79
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￥33.64
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￥30.58

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型号：IS61WV25616FBLL-10TLI 编号：C6644080

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

是高速、低功耗的4M位静态随机存取存储器，组织为256K字×16位。采用高性能CMOS技术制造。当片选信号（CS#）为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时功耗可通过CMOS输入电平降低。通过片选使能和输出使能输入可轻松实现内存扩展。低电平有效的写使能（WE#）控制存储器的读写操作。数据字节允许对高字节（UB#）和低字节（LB#）进行访问。有JEDEC标准的48球迷你BGA（6mm x 8mm）、44引脚400mil SOJ和44引脚TSOP（II型）封装。

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￥38.65
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￥38.06

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型号：AS7C34096A-12TIN 编号：C1351642

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：Alliance Memory

AS7C34096A是一款高性能CMOS 4,194,304位静态随机存取存储器（SRAM）器件，组织形式为524,288字×8位。它专为需要快速数据访问、低功耗和简单接口的内存应用而设计。10/12/15/20 ns的等地址访问时间和周期时间（tAA、tRC、tWC），以及4/5/6/7 ns的输出使能访问时间（tOE），非常适合高性能应用

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