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首页 > 热门关键词 > 富士通存储器
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4-Kbit(512 × 8bit),I2C接口,工作电压:3.0V to 5.5V
数据手册
  • 1+

    ¥3.56
  • 10+

    ¥3.05
  • 30+

    ¥2.68
  • 100+

    ¥2.38
  • 500+

    ¥2.22
  • 1500+

    ¥2.16
  • 有货
  • 16-Kbit(2K × 8bit),I2C接口,工作电压:2.7V to 3.6V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.67
    • 10+

      ¥4.98
    • 30+

      ¥4.5
    • 100+

      ¥4.1
    • 500+

      ¥3.44
    • 1500+

      ¥3.36
  • 有货
  • 256-Kbit(32K × 8bit),SPI接口,工作电压:2.7V to 3.6V
    数据手册
    • 1+

      ¥13
    • 10+

      ¥11.49
    • 30+

      ¥10.42
    • 100+

      ¥9.44
    • 500+

      ¥8.99
    • 1500+

      ¥8.8
  • 有货
  • 是采用形成非易失性存储单元的强电介质工艺和硅栅CMOS工艺的2048字节×8位结构的FeRAM(铁电随机存取存储器)。采用的存储单元在写入/读出操作中每个字节至少具有10¹²次的耐久性,远超其他非易失性存储产品。
    • 1+

      ¥3.89
    • 10+

      ¥3.18
    • 30+

      ¥2.83
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      ¥2.47
    • 500+

      ¥2.26
    • 1500+

      ¥2.15
  • 有货
  • 16-Kbit(2K × 8bit),SPI接口,工作电压:2.7V to 3.6V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.74
    • 10+

      ¥3.99
    • 30+

      ¥3.45
    • 100+

      ¥3.01
    • 500+

      ¥2.98
    • 1500+

      ¥2.89
  • 有货
  • 是一款8192字×8位配置的铁电随机存取存储器(FRAM)芯片,采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。与SRAM不同,无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少10¹³次循环,在次数上显著优于闪存和E²PROM。写入存储器后不需要像闪存或E²PROM那样的轮询序列。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.41
    • 10+

      ¥6.28
    • 30+

      ¥5.66
    • 100+

      ¥4.95
    • 500+

      ¥4.35
    • 1500+

      ¥4.2
  • 有货
  • 64-Kbit(8K × 8bit),SPI接口,工作电压:3.0V to 3.6V
    数据手册
    • 1+

      ¥7.22
    • 10+

      ¥6.1
    • 30+

      ¥5.48
    • 100+

      ¥4.79
    • 500+

      ¥4.23
    • 1500+

      ¥4.09
  • 有货
  • 64-Kbit(8K × 8bit),I2C接口,工作电压:3.0V to 5.5V
    数据手册
    • 1+

      ¥9.95
    • 10+

      ¥8.33
    • 30+

      ¥7.44
    • 100+

      ¥6.43
    • 500+

      ¥5.99
    • 1500+

      ¥5.78
  • 有货
  • 是一款铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片,采用 262,144 字 × 8 位配置,使用铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。采用串行外设接口 (SPI),无需使用备用电池即可保留数据,存储单元可进行 10¹³ 次读/写操作,写入数据无需像闪存或 EPROM 那样等待。
    数据手册
    • 1+

      ¥30.93
    • 10+

      ¥26.46
    • 30+

      ¥22.98
    • 100+

      ¥20.3
    • 500+

      ¥19.06
    • 1500+

      ¥18.5
  • 有货
  • 替代 MB85RC256VPNF-G-JNERE1 C47538
    • 1+

      ¥13.75
    • 10+

      ¥11.71
    • 30+

      ¥10.44
    • 100+

      ¥9.13
    • 500+

      ¥8.54
    • 1500+

      ¥8.28
  • 有货
  • 16-Kbit(2K × 8bit),I2C接口,工作电压:3.0V to 5.5V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.55
    • 10+

      ¥4.54
    • 30+

      ¥4.03
    • 100+

      ¥3.53
    • 500+

      ¥3.23
    • 1500+

      ¥3.08
  • 有货
  • MB85RS1MT是一款铁电随机存取存储器(FRAM)芯片,配置为131,072字×8位,采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。MB85RS1MT采用串行外设接口(SPI)。
    数据手册
    • 1+

      ¥30.84
    • 10+

      ¥26.56
    • 30+

      ¥24.01
    • 100+

      ¥21.43
    • 500+

      ¥20.24
    • 1500+

      ¥19.7
  • 有货
  • 512-Kbit(64K × 8bit),SPI接口,工作电压:1.8V to 3.6V
    数据手册
    • 1+

      ¥33.21
    • 10+

      ¥28.7
    • 30+

      ¥26.03
    • 100+

      ¥23.32
    • 500+

      ¥22.07
  • 有货
  • MB85RS64V是一款8位铁电存储器,采用铁电工艺和硅门CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。它支持SPI接口,最高工作频率为20 MHz,工作电压范围为3.0 V到5.5 V,工作温度范围为-40 °C到+85 °C。该存储器无需备用电池即可保留数据,写入数据时不需要等待时间。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.41
    • 10+

      ¥7.1
    • 30+

      ¥6.39
    • 100+

      ¥5.57
    • 500+

      ¥4.96
    • 1500+

      ¥4.8
  • 有货
  • 是一款8192字×8位配置的铁电随机存取存储器(FRAM)芯片,采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。与SRAM不同,无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少10¹³次循环,在次数上显著优于闪存和E²PROM。写入存储器后不需要像闪存或E²PROM那样的轮询序列。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.51
    • 10+

      ¥7.1
    • 30+

      ¥6.33
    • 100+

      ¥5.46
    • 500+

      ¥5.07
  • 有货
  • 是一款铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片,采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。采用串行外设接口 (SPI)。无需像SRAM那样使用备用电池即可保留数据。存储单元可进行10¹³次读写操作,相较于闪存和E²PROM支持的读写操作次数有显著提升。写入数据时不像闪存或E²PROM那样需要很长时间,也无需等待时间。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.11
    • 10+

      ¥7.62
    • 30+

      ¥6.8
    • 100+

      ¥5.88
  • 有货
  • 是一种铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片,配置为 16,384 字 × 8 位,采用铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。与 SRAM 不同,无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少 10¹² 次循环,在次数上明显优于闪存和 E²PROM。写入存储器后不需要像闪存或 E²PROM 那样的轮询序列。
    数据手册
    • 1+

      ¥15.44
    • 10+

      ¥13.24
    • 30+

      ¥11.87
  • 有货
  • FeRAM是一种采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元的芯片,配置为131,072字 × 8位。与SRAM不同,它无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少10¹³次循环,显著优于其他非易失性存储产品。写入内存后不需要像闪存或E²PROM那样的轮询序列。
    • 1+

      ¥32.38
    • 10+

      ¥27.84
    • 30+

      ¥25.15
    • 100+

      ¥22.42
    • 500+

      ¥21.16
  • 有货
  • MB85RS128B是一款铁电随机存取存储器(FRAM)芯片,配置为16384字×8位,采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。MB85RS128B采用串行外设接口(SPI)。与静态随机存取存储器(SRAM)需要备用电池不同,MB85RS128B无需备用电池即可保留数据
    数据手册
    • 1+

      ¥13.08
    • 10+

      ¥10.97
    • 30+

      ¥9.65
  • 有货
    • 1+

      ¥6.97
    • 10+

      ¥5.83
    • 30+

      ¥5.2
    • 100+

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    • 500+

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