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首页 > 热门关键词 > 富士通存储器
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是一款8192字×8位配置的铁电随机存取存储器(FRAM)芯片,采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。与SRAM不同,无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少10¹³次循环,在次数上显著优于闪存和E²PROM。写入存储器后不需要像闪存或E²PROM那样的轮询序列。
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  • 是采用形成非易失性存储单元的强电介质工艺和硅栅CMOS工艺的2048字节×8位结构的FeRAM(铁电随机存取存储器)。采用的存储单元在写入/读出操作中每个字节至少具有10¹²次的耐久性,远超其他非易失性存储产品。
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  • 64-Kbit(8K × 8bit),I2C接口,工作电压:3.0V to 5.5V
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  • 是一款铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片,采用 262,144 字 × 8 位配置,使用铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。采用串行外设接口 (SPI),无需使用备用电池即可保留数据,存储单元可进行 10¹³ 次读/写操作,写入数据无需像闪存或 EPROM 那样等待。
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  • 64-Kbit(8K × 8bit),SPI接口,工作电压:3.0V to 3.6V
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  • MB85RS1MT是一款铁电随机存取存储器(FRAM)芯片,配置为131,072字×8位,采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。MB85RS1MT采用串行外设接口(SPI)。
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  • 替代 MB85RC256VPNF-G-JNERE1 C47538
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  • MB85RS64V是一款8位铁电存储器,采用铁电工艺和硅门CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。它支持SPI接口,最高工作频率为20 MHz,工作电压范围为3.0 V到5.5 V,工作温度范围为-40 °C到+85 °C。该存储器无需备用电池即可保留数据,写入数据时不需要等待时间。
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  • 是一款铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片,采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。采用串行外设接口 (SPI)。无需像SRAM那样使用备用电池即可保留数据。存储单元可进行10¹³次读写操作,相较于闪存和E²PROM支持的读写操作次数有显著提升。写入数据时不像闪存或E²PROM那样需要很长时间,也无需等待时间。
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  • 是一种铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片,配置为 16,384 字 × 8 位,采用铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。与 SRAM 不同,无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少 10¹² 次循环,在次数上明显优于闪存和 E²PROM。写入存储器后不需要像闪存或 E²PROM 那样的轮询序列。
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  • FeRAM是一种采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元的芯片,配置为131,072字 × 8位。与SRAM不同,它无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少10¹³次循环,显著优于其他非易失性存储产品。写入内存后不需要像闪存或E²PROM那样的轮询序列。
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  • MB85RC1MT是一款铁电随机存取存储器(FRAM)芯片,配置为131,072字×8位,采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。与静态随机存取存储器(SRAM)不同,MB85RC1MT无需使用数据备份电池即可保留数据。
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  • MB85RS128B是一款铁电随机存取存储器(FRAM)芯片,配置为16384字×8位,采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。MB85RS128B采用串行外设接口(SPI)。与静态随机存取存储器(SRAM)需要备用电池不同,MB85RS128B无需备用电池即可保留数据
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