SRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

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型号：71024S15TYG 编号：C1523911

封装：SOJ-32

IDT71024是一款1,048,576-Bit高速静态RAM，组织为128K x 8-Bit。采用高性能高可靠性的CMOS技术，提供成本有效的高速存储解决方案。支持商业（0°C到+70°C）和工业（-40°C到+85°C）温度范围。

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型号：IS66WVS1M8BLL-104NLI 编号：C5264271

封装：SOIC-8

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型号：CY62148ESL-55ZAXIT 编号：C2952470

封装：TFSOP-32

是高性能CMOS静态RAM，组织为512K字×8位。采用先进电路设计，提供超低工作电流，非常适合在便携式应用中提供更长电池续航时间。具有自动掉电功能，可显著降低功耗。当未选中（CE为高电平）时，将设备置于待机模式可使功耗降低99%以上。当设备未选中（CE为高电平）、输出禁用（OE为高电平）或在写入操作期间（CE为低电平且WE为低电平），八个输入和输出引脚（I/O₀至I/O₇）处于高阻态。适用于与具有TTL输入/输出电平的处理器接口，不适用于需要CMOS输入/输出电平的处理器。

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型号：IS61WV25616EFBLL-10BLI 编号：C6883906

封装：TFBGA-48(6x8)

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型号：CY62148EV30LL-55SXI 编号：C2954023

封装：SOIC-32

是高性能CMOS静态RAM，组织为512K字×8位。该设备采用先进的电路设计，可提供超低工作电流，非常适合在便携式应用（如手机）中提供更长的电池续航时间。该设备还具有自动掉电功能，可显著降低功耗。当设备被取消选择（CE为高电平）时，将其置于待机模式可使功耗降低99%以上

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型号：CY62148ELL-45ZSXI 编号：C2947424

封装：SOIC-32

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型号：71V016SA12PHGI 编号：C1349767

封装：TSOPII-44-10.2mm

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型号：23A1024-I/ST 编号：C1523869

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23A1024 是 1 Mbit SPI 兼容的串行 SRAM 设备，支持 SDI 和 SQI 接口。工作电压范围为 1.7-2.2V，支持工业温度范围（-40°C 至 +85°C）。

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型号：AS6C62256-55PCN 编号：C5569983

封装：PDIP-28

品牌：Alliance Memory

AS6C62256是一款262,144位的低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织形式为32,768字×8位。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定

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型号：CY62146EV30LL-45BVXI 编号：C2950604

封装：VFBGA-48

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型号：IS61C5128AS-25QLI-TR 编号：C2065530

封装：SOP-32-11.3mm

是高速的4,194,304位静态随机存取存储器，组织为524,288字×8位。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现低功耗下最快12 ns的访问时间。当CE为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时功耗可通过CMOS输入电平降低。通过使用片选和输出使能输入CE和OE，可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能（WE）控制存储器的读写。一个数据字节允许高字节（UB）和低字节（LB）访问。采用JEDEC标准的36引脚SOJ（400密耳）、32引脚TSOP-I、32引脚SOP、44引脚TSOP-II和32引脚TSOP-II封装。

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型号：IS62WV5128EBLL-45TLI 编号：C5772470

封装：TSOPI-32

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型号：IS61C5128AL-10TLI 编号：C5656690

封装：TSOPII-44

是高速的4,194,304位静态随机存取存储器，组织为524,288字×8位。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现低功耗下最快12 ns的访问时间。当CE为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时功耗可通过CMOS输入电平降低。通过使用片选和输出使能输入CE和OE，可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能（WE）控制存储器的读写。一个数据字节允许高字节（UB）和低字节（LB）访问。采用JEDEC标准的36引脚SOJ（400密耳）、32引脚TSOP-I、32引脚SOP、44引脚TSOP-II和32引脚TSOP-II封装。

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型号：IS62WVS5128FBLL-20NLI 编号：C5741536

封装：SOIC-8

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型号：CY14V101QS-SF108XIT 编号：C2953377

封装：SOIC-16

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型号：CY7C1041G30-10VXI 编号：C2955818

封装：BSOJ-44

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型号：IS61WV25616BLS-25TLI 编号：C1351896

封装：TSOPII-44-10.2mm

是高速、4,194,304 位静态随机存取存储器，组织为 262,144 字 x 16 位。采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能、低功耗的器件。当 CE 为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时通过 CMOS 输入电平可降低功耗。通过使用片选和输出使能输入 CE 和 OE，可轻松实现内存扩展。低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写。数据字节允许高字节 (UB) 和低字节 (LB) 访问。采用 JEDEC 标准 44 引脚 TSOP II 型和 48 引脚 Mini BGA（6mm x 8mm）封装。

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型号：CY62147EV30LL-45BVXI 编号：C5278092

封装：VFBGA-48

CY62147EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为256K x 16-Bit。该设备具有先进的电路设计，提供超低功耗和自动断电功能。适用于便携式应用，如手机。其工作电压范围为2.2V至3.6V，速度为45ns。工业温度范围为-40°C至+85°C。典型待机电流为2.5μA，最大待机电流为7μA。

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型号：CY62157EV30LL-45ZXI 编号：C2953627

封装：TFSOP-48

CY62157EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为512K字节x16-Bit或1M字节x8-Bit。该器件具有先进的电路设计，可提供超低功耗。适用于便携式设备，如手机。支持自动断电功能，可显著降低功耗。

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型号：CY62157ESL-45ZSXI 编号：C2953929

封装：TSOPII-44

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型号：R1RW0416DSB-0PI#D1 编号：C20350962

封装：TSOPII-44

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型号：71V416S10PHG8 编号：C2061083

封装：TSOPII-44-10.2mm

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型号：71V416S12PHG8 编号：C2061677

封装：TSOPII-44-10.2mm