SRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

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型号：R1LV0208BSA-5SI#B1 编号：C1353806

封装：STSOP-32-11.8mm

R1LV0208BSA 是一系列低压 2 Mbit 静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为 262,144 字×8 位，采用高性能 0.15um CMOS 和 TFT 技术制造。R1LV0208BSA 实现了更高的密度、更高的性能和更低的功耗。

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型号：IS62C1024AL-35QLI 编号：C397875

封装：SOP-32-11.3mm

IS62C1024AL/IS65C1024AL是一款低功耗、131,072字×8位的CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：IS61WV6416EEBLL-10TLI 编号：C6644082

封装：TSOPII-44

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型号：IS62WV6416FBLL-45TLI 编号：C6644095

封装：TSOPII-44

是高速的1M位静态随机存取存储器，组织为64k字×16位。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能、低功耗的器件。当CS1#为高电平（未选中）或CS2为低电平（未选中）或CS1#为低电平、CS2为高电平且LB#和UB#均为高电平时，器件进入待机模式，此时使用CMOS输入电平可降低功耗

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型号：R1LV0108ESA-5SI#B1 编号：C1349308

封装：STSOP-32-11.8mm

R1LV0108E 系列是一组低压 1 Mbit 静态随机存取存储器（SRAM），采用高性能 0.15um CMOS 和 TFT 技术制造，组织形式为 131,072 字×8 位。R1LV0108E 系列实现了更高的密度、更高的性能和低功耗。

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型号：R1LP0108ESN-5SI#B1 编号：C1136811

封装：SOP-32-11.3mm

R1LP0108E系列是一组低压1 Mbit静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为131,072字×8位，采用高性能0.15μm CMOS和TFT技术制造。R1LP0108E系列实现了更高的密度、更高的性能和低功耗。

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型号：IS62C1024AL-35QLI-TR 编号：C2653510

封装：SOP-32-11.3mm

IS62C1024AL/IS65C1024AL是一款低功耗、131,072字×8位的CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：R1LV5256ESA-5SI#S1 编号：C2061279

封装：TSOP-28-8.0mm

是低电压256Kbit静态RAM，组织形式为32,768字×8位，采用高性能0.15um CMOS和TFT技术制造。实现了更高的密度、更高的性能和低功耗。适用于简单接口、电池供电和电池备份为重要设计目标的内存应用。采用28引脚SOP和28引脚TSOP封装。

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型号：CY7C1021DV33-10VXIT 编号：C2953032

封装：BSOJ-44

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型号：IS61WV12816EDBLL-10TLI 编号：C1351846

封装：TSOP-44-10.2mm

IS61/64WV12816EDBLL是高速2,097,152位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为131,072字×16位。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这一高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：IS61LV2568L-10TL 编号：C443412

封装：TSOPII-44-10.2mm

IS61LV2568L是一款高速、低功耗的262144字×8位CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。IS61LV2568L采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺结合创新的电路设计技术，使器件具备更高的性能和更低的功耗

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型号：CY62147EV30LL-45ZSXI 编号：C2950583

封装：TSOPII-44

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型号：71016S15PHGI 编号：C1349177

封装：TSOPII-44-10.2mm

IDT71016是一款1,048,576位的高速静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为64K x 16。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。这种先进的技术与创新的电路设计技术相结合，为高速内存需求提供了经济高效的解决方案

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型号：CY62126EV30LL-55ZSXE 编号：C2956766

封装：TSOPII-44

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型号：CY7C1041GN30-10BVJXI 编号：C2947579

封装：VFBGA-48

CY7C1041GN 是高性能CMOS快速静态RAM，组织为256K字×16-Bit。支持高写入速度，低功耗，宽工作电压范围。

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型号：AS6C62256-55SIN 编号：C1523867

封装：SOP-28-8.4mm

品牌：Alliance Memory

AS6C62256是一款262,144位的低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织形式为32,768字×8位。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定

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型号：CY7C1010DV33-10ZSXI 编号：C2948646

封装：TSOPII-44

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型号：CY7C1049G-10VXI 编号：C2955765

封装：BSOJ-36

CY7C1049G是一款高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式ECC功能，支持单比特错误检测和纠正。提供单个和双芯片使能选项，多种引脚配置。工作电压范围为1.65V到5.5V，适用于工业环境。

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型号：71024S15TYG 编号：C1523911

封装：SOJ-32

IDT71024是一款1,048,576-Bit高速静态RAM，组织为128K x 8-Bit。采用高性能高可靠性的CMOS技术，提供成本有效的高速存储解决方案。支持商业（0°C到+70°C）和工业（-40°C到+85°C）温度范围。

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型号：CY62158EV30LL-45ZSXI 编号：C2953733

封装：TSOP-44

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型号：CY62148ESL-55ZAXIT 编号：C2952470

封装：TFSOP-32

是高性能CMOS静态RAM，组织为512K字×8位。采用先进电路设计，提供超低工作电流，非常适合在便携式应用中提供更长电池续航时间。具有自动掉电功能，可显著降低功耗。当未选中（CE为高电平）时，将设备置于待机模式可使功耗降低99%以上。当设备未选中（CE为高电平）、输出禁用（OE为高电平）或在写入操作期间（CE为低电平且WE为低电平），八个输入和输出引脚（I/O₀至I/O₇）处于高阻态。适用于与具有TTL输入/输出电平的处理器接口，不适用于需要CMOS输入/输出电平的处理器。

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型号：CY62148ELL-45ZSXI 编号：C2947424

封装：SOIC-32

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型号：71V016SA12PHGI 编号：C1349767

封装：TSOPII-44-10.2mm

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型号：23A1024-I/ST 编号：C1523869

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23A1024 是 1 Mbit SPI 兼容的串行 SRAM 设备，支持 SDI 和 SQI 接口。工作电压范围为 1.7-2.2V，支持工业温度范围（-40°C 至 +85°C）。

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型号：IS61WV12816BLL-12TLI 编号：C1351680

封装：TSOPII-44-10.2mm

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型号：CY62157EV18LL-55BVXI 编号：C2947425

封装：VFBGA-48

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型号：CY62146EV30LL-45BVXI 编号：C2950604

封装：VFBGA-48

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型号：IS61C5128AS-25QLI-TR 编号：C2065530

封装：SOP-32-11.3mm