PROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

是一款8192字×8位配置的铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。与SRAM不同，无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少10¹³次循环，在次数上显著优于闪存和E²PROM。写入存储器后不需要像闪存或E²PROM那样的轮询序列。

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型号：24LC64-I/SN 编号：C511260

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款64 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个8K x 8位的单块存储器，具有两线串行接口。低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1μA和3mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。还具备高达32字节数据的页写能力。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备，地址空间高达512 Kbits。有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装，也有5引脚SOT-23和芯片级封装。

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型号：24LC32AT-I/SN 编号：C615715

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款32 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个单块4K x 8位存储器，具有两线串行接口。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1 μA和1 mA。专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。具有高达32字节数据的页面写入能力。功能地址线允许在同一总线上最多连接八个设备，提供高达256 Kbits的地址空间。有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装，也有5引脚SOT-23和芯片级封装。

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型号：24LC32AT-I/OT 编号：C616245

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款32 Kbit电可擦除PROM。该器件被组织为一个4K x 8位的单块存储器，具有两线串行接口。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1 μA和1 mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。还具备高达32字节数据的页写入能力。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备，提供高达256 Kbits的地址空间。有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装，也有5引脚SOT-23和芯片级封装。

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型号：MB85RS64TPNF-G-JNERE2 编号：C189810

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

是一款铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。采用串行外设接口 (SPI)。无需像SRAM那样使用备用电池即可保留数据。存储单元可进行10¹³次读写操作，相较于闪存和E²PROM支持的读写操作次数有显著提升。写入数据时不像闪存或E²PROM那样需要很长时间，也无需等待时间。

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型号：MB85RC128APNF-G-JNERE1 编号：C126727

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

是一种铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片，配置为 16,384 字 × 8 位，采用铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。与 SRAM 不同，无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少 10¹² 次循环，在次数上明显优于闪存和 E²PROM。写入存储器后不需要像闪存或 E²PROM 那样的轮询序列。

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型号：MB85RC64TAPN-G-AMEWE1 编号：C189905

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

是一款8192字×8位配置的铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。与SRAM不同，无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少10¹³次循环，在次数上显著优于闪存和E²PROM。写入存储器后不需要像闪存或E²PROM那样的轮询序列。

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型号：MB85RC512TPNF-G-JNERE1 编号：C126729

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

是一种铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。与SRAM不同，无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少10¹³次循环，在次数上显著优于其他非易失性存储产品。写入存储器后不需要像闪存或E²PROM那样的轮询序列。

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型号：25LC080/SN 编号：C153269

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 的25LC080是一款8 Kbit串行电可擦除PROM。该存储器通过简单的SPI兼容串行总线访问，需要时钟输入(SCK)以及单独的数据输入(SI)和数据输出(SO)线路。访问设备通过芯片选择(CS)输入控制。

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型号：25C080-E/SN 编号：C615259

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 的25C080是一款8 Kbit串行电可擦除PROM。该存储器通过简单的SPI兼容串行总线访问，需要时钟输入(SCK)以及单独的数据输入(SI)和数据输出(SO)线路。访问设备通过芯片选择(CS)输入控制。

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型号：MB85RS4MTPF-G-JNERE2 编号：C669469

封装：SOP-8-208mil

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

是一种铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。采用串行外设接口 (SPI)，无需使用备用电池即可保留数据。存储单元可进行10¹³ 次读写操作，比闪存和E²PROM支持的读写操作次数有显著提高。写入数据不像闪存或E²PROM那样需要很长时间，且无需等待时间。

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型号：25LC040/P 编号：C613777

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 的 25LC040 是一款 4 Kbit 串行电可擦除PROM。该存储器通过简单的 SPI 兼容串行总线访问。总线信号包括时钟输入 (SCK) 以及单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。通过芯片选择 (CS) 输入控制对设备的访问。

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