SRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：CY7C1071DV33-12BAXI 编号：C2944728

封装：TFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥289.98
30+
￥275.75

有货

立即购买

型号：IS62WV5128BLL-55TLI 编号：C1351529

封装：TSOPI-32-8.0mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV5128ALL / IS62WV5128BLL是高速4M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×8位。它采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥13.44
10+
￥13.16
30+
￥12.97

有货

立即购买

型号：IS63WV1024BLL-12TLI 编号：C1350097

封装：TSOPII-32-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥21.53
10+
￥21.02
30+
￥20.69

有货

立即购买

型号：IS61WV1288EEBLL-10HLI 编号：C1349956

封装：STSOP-32-11.8mm

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥22.61
10+
￥22.08
30+
￥21.73

有货

立即购买

型号：IS62WV2568BLL-55TLI 编号：C5741532

封装：TSOPI-32

品牌：ISSI(美国芯成)

是高速的 2M 位静态随机存取存储器，组织形式为 256K 字 x 8 位。采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，产生了高性能、低功耗的器件。当 CS1 为高电平（未选中）或 CS2 为低电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时使用 CMOS 输入电平可降低功耗。通过使用芯片使能和输出使能输入，可以轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写。采用 JEDEC 标准 32 引脚 TSOP（I 型）、sTSOP（I 型）和 36 引脚迷你 BGA 封装。

1+
￥24.14
10+
￥23.6
30+
￥23.24

有货

立即购买

型号：71256SA25YG 编号：C1350202

封装：SOJ-28

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

32K x 8 高级高速 CMOS 静态随机存取存储器（SRAM），有商业级（0°C 至 70°C）和工业级（-40°C 至 85°C）两种温度规格可选。访问时间和周期时间一致。商业级：12ns

数据手册

1+
￥25.54
10+
￥24.93
30+
￥24.52

有货

立即购买

型号：71024S12TYGI 编号：C6463170

封装：SOJ-32

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

IDT71024是一款1,048,576位的高速静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为128K x 8。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。这种先进的技术与创新的电路设计技术相结合，为高速内存需求提供了经济高效的解决方案

1+
￥28.7
10+
￥28.06
23+
￥27.64

有货

立即购买

型号：IS66WV51216EBLL-70TLI-TR 编号：C2063118

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

是高速8M位静态随机存取存储器，组织为512K字×16位。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能、低功耗的器件。当CS1#为高电平（未选中）或CS2为低电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时通过CMOS输入电平可降低功耗。通过使用片选使能和输出使能输入，可以轻松进行内存扩展。低电平有效写使能（WE#）控制存储器的读写。数据字节允许进行高字节（UB#）和低字节（LB#）访问。采用JEDEC标准的48球微型BGA（6mm x 8mm）和44引脚TSOP（II型）封装。也提供裸片销售。

数据手册

1+
￥29.68
10+
￥28.99
30+
￥28.53

有货

立即购买

型号：IS62WV12816BLL-45TLI 编号：C1351971

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV12816ALL/IS62WV12816BLL是高速2M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为128K字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥32.66
10+
￥31.93
30+
￥31.44

有货

立即购买

型号：IS61WV25616EFBLL-10BLI 编号：C6883906

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥34.94
10+
￥34.16
30+
￥33.64
100+
￥33.12

有货

立即购买

型号：IS62WVS5128GBLL-45NLI 编号：C3646907

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62/65WVS5128GALL/GBLL是4M位的快速串行静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字节×8位。它是由两片2Mb串行SRAM堆叠而成的双芯片堆栈。该器件通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线进行访问

数据手册

1+
￥56.31
10+
￥49
30+
￥42.1

有货

立即购买

型号：AS7C34098A-10TCN 编号：C6125864

封装：TSOP2-44-400mil

品牌：Alliance Memory

AS7C34098A是一款高性能CMOS 4,194,304位静态随机存取存储器（SRAM）器件，其结构为262,144字×16位。该器件专为需要快速数据访问、低功耗和简单接口的内存应用而设计。10/12/15/20 ns的等地址访问时间和周期时间（tAA、tRC、tWC），以及4/5/6/7 ns的输出使能访问时间（tOE），非常适合高性能应用

1+
￥58.38
10+
￥50.94
30+
￥46.41
135+
￥42.61

订货

我要订货

型号：IS64WV12816DBLL-12CTLA3 编号：C1351714

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥64.83
10+
￥62.75

有货

立即购买

型号：IS61WV10248BLL-10MLI 编号：C6280212

封装：MiNiBGA-48(9x11)

品牌：ISSI(美国芯成)

这是一款高速、低功耗、1M字x8位的CMOS静态RAM，采用高性能CMOS技术制造。该工艺可靠性高，结合创新电路设计技术，使设备具有更高性能和低功耗。当CE为高电平时，设备进入待机模式，可通过CMOS输入电平降低功耗。该RAM使用单电源供电，所有输入均与TTL兼容，有48球迷你BGA和44引脚TSOP（II型）封装。

1+
￥169.48
10+
￥164.32

有货

立即购买

型号：CY7C1643KV18-450BZI 编号：C2944762

封装：LBGA-165

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥1890.15
210+
￥731.47
420+
￥705.76
1050+
￥693.06

订货

我要订货

型号：AS6C1008-55STIN 编号：C1351893

封装：STSOP-32-11.8mm

品牌：Alliance Memory

AS6C1008是一款1,048,576位的低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织形式为131,072字×8位。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定

数据手册

1+
￥19.85
10+
￥19.36
30+
￥19.02

有货

立即购买

型号：AS6C6264-55SCN 编号：C1351073

封装：SOP-28-8.6mm

品牌：Alliance Memory

AS6C6264是一款65,536位的低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织形式为8,192字×8位。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定

数据手册

1+
￥30.22
10+
￥25.32
30+
￥22.41

有货

立即购买

型号：IS62WV102416DBLL-55TLI 编号：C441487

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62/65WV102416DALL、IS62/65WV102416DBLL 是超低功耗CMOS 16Mbit静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为1M字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥58.35
10+
￥52.29
30+
￥48.59
100+
￥45.49

订货

我要订货

型号：AS6C62256-55SCN 编号：C1351133

封装：SOP-28-8.6mm

品牌：Alliance Memory

AS6C62256是一款262,144位的低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织形式为32,768字×8位。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定

数据手册

1+
￥20.7
10+
￥20.17
30+
￥19.82

有货

立即购买

型号：AS6C6264-55SIN 编号：C1349771

封装：SOP-28-8.6mm

品牌：Alliance Memory

AS6C6264是一款65,536位的低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织形式为8,192字×8位。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定

数据手册

1+
￥24.19
10+
￥23.67
30+
￥21.11

有货

立即购买

型号：IS62WV51216EBLL-45TLI-TR 编号：C2064010

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

1+
￥30.99
10+
￥26.88
30+
￥21.83
100+
￥19.36
500+
￥18.23
1000+
￥17.71

订货

我要订货

型号：AS6C4008-55SIN 编号：C1350086

封装：SOP-32-11.3mm

品牌：Alliance Memory

AS6C4008是一款4,194,304位的低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织形式为524,288字×8位。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定

数据手册

1+
￥34.34
10+
￥33.49
30+
￥32.92

有货

立即购买

型号：CY62157EV30LL-45ZXIT 编号：C914892

封装：TSOPI-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62157EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为512K字节x16-Bit或1M字节x8-Bit。该器件具有先进的电路设计，可提供超低功耗。适用于便携式设备，如手机。支持自动断电功能，可显著降低功耗。

数据手册

1+
￥35.75
10+
￥30.92
30+
￥25.77
100+
￥22.88
500+
￥21.54
1000+
￥20.94

订货

我要订货

型号：AS6C62256-55STCN 编号：C1351063

封装：STSOP-28-8.0mm

品牌：Alliance Memory

AS6C62256是一款262,144位的低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织形式为32,768字×8位。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定

数据手册

1+
￥37.46
10+
￥32.33
30+
￥29.29

有货

立即购买

型号：AS6C4008-55ZIN 编号：C1350078

封装：TSOPII-32-10.2mm

品牌：Alliance Memory

AS6C4008是一款4,194,304位的低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织形式为524,288字×8位。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定

数据手册

1+
￥41.83
10+
￥40.93
30+
￥40.33

有货

立即购买

型号：AS6C6264-55PCN 编号：C1523874

封装：PDIP-28

品牌：Alliance Memory

AS6C6264是一款65,536位的低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织形式为8,192字×8位。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定

数据手册

1+
￥44.95
10+
￥43.95
30+
￥43.28

有货

立即购买

型号：AS7C34096A-12TIN 编号：C1351642

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：Alliance Memory

AS7C34096A是一款高性能CMOS 4,194,304位静态随机存取存储器（SRAM）器件，组织形式为524,288字×8位。它专为需要快速数据访问、低功耗和简单接口的内存应用而设计。10/12/15/20 ns的等地址访问时间和周期时间（tAA、tRC、tWC），以及4/5/6/7 ns的输出使能访问时间（tOE），非常适合高性能应用

数据手册