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IS61C256AL是一款超高速、低功耗的32,768字×8位静态随机存取存储器（SRAM）。它采用高性能CMOS技术制造。这种高可靠性的工艺与创新的电路设计技术相结合，使得最大访问时间最快可达10 ns

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型号：IS61WV25616EDBLL-10TLI 编号：C883296

封装：TSOP-44-10.2mm

IS61/64WV25616EDBLL 是一款高速的 4,194,304 位静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为 262,144 字×16 位。它采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：AS7C1026B-12JCN 编号：C1351435

封装：SOJ-44

AS7C1026B是一款高性能CMOS 1,048,576位静态随机存取存储器（SRAM）器件，组织形式为65,536字×16位。它专为需要快速数据访问、低功耗和简单接口的内存应用而设计。10/12/15/20 ns的等地址访问时间和周期时间（t_AA、t_RC、t_WC），以及5、6、7、8 ns的输出使能访问时间Δ[t_OE]，非常适合高性能应用

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型号：IS61LV25616AL-10TLI 编号：C17354

封装：TSOPII-44-10.2mm

4-Mbit(256K × 16bit)，并行接口，工作电压：3.3V

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型号：AS6C6264-55PCN 编号：C1523874

封装：PDIP-28

AS6C6264是一款65,536位的低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织形式为8,192字×8位。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定

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型号：AS7C34098A-10TIN 编号：C5554782

封装：TSOP-442

AS7C34098A是一款高性能CMOS 4,194,304位静态随机存取存储器（SRAM）器件，其结构为262,144字×16位。该器件专为需要快速数据访问、低功耗和简单接口的内存应用而设计。10/12/15/20 ns的等地址访问时间和周期时间（tAA、tRC、tWC），以及4/5/6/7 ns的输出使能访问时间（tOE），非常适合高性能应用

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型号：AS7C34098A-12TIN 编号：C1351728

封装：TSOP-44-10.2mm

AS7C34098A是一款高性能CMOS 4,194,304位静态随机存取存储器（SRAM）器件，其结构为262,144字×16位。该器件专为需要快速数据访问、低功耗和简单接口的内存应用而设计。10/12/15/20 ns的等地址访问时间和周期时间（tAA、tRC、tWC），以及4/5/6/7 ns的输出使能访问时间（tOE），非常适合高性能应用

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型号：CY7C1011DV33-10ZSXI 编号：C1349125

封装：TSOPII-44-10.2mm

CY7C1010DV33 是一款高性能 CMOS 静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为 256K 字×8 位。通过低电平有效的片选信号（CE）、低电平有效的输出使能信号（OE）和三态驱动器，可轻松实现存储器扩展。向该器件写入数据时，需将片选信号（CE）和写使能信号（WE）置为低电平

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型号：AS6C4008-55STIN 编号：C1349756

封装：STSOP-32-11.8mm

AS6C4008是一款4,194,304位的低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织形式为524,288字×8位。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定

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型号：AS6C1616-55TIN 编号：C1348781

封装：TSOPI-48

AS6C1616是一款16,777,216位的低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织形式为1,048,576字×16位。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定

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型号：IS61WV204816BLL-10BLI 编号：C1351316

封装：BGA-48(6x8)

IS61/64WV204816ALL/BLL是高速32M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为2048K字×16位。它采用高性能CMOS工艺制造。这一高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：AS6C62256-55STCN 编号：C1351063

封装：STSOP-28-8.0mm

AS6C62256是一款262,144位的低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织形式为32,768字×8位。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定

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型号：IS61LV5128AL-10TLI 编号：C40493

封装：TSOPII-44-10.2mm

4-Mbit(512K × 8bit)，并行接口，工作电压：3.3V

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型号：AS6C4008-55TIN 编号：C5569980

封装：TSOPI-32

AS6C4008是一款4,194,304位的低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织形式为524,288字×8位。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定

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型号：AS6C4008-55ZIN 编号：C1350078

封装：TSOPII-32-10.2mm

AS6C4008是一款4,194,304位的低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织形式为524,288字×8位。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定

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型号：AS7C34096A-10TIN 编号：C5554776

封装：TSOP-442

AS7C34096A是一款高性能CMOS 4,194,304位静态随机存取存储器（SRAM）器件，组织形式为524,288字×8位。它专为需要快速数据访问、低功耗和简单接口的内存应用而设计。10/12/15/20 ns的等地址访问时间和周期时间（tAA、tRC、tWC），以及4/5/6/7 ns的输出使能访问时间（tOE），非常适合高性能应用

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型号：AS6C6416-55TIN 编号：C1349200

封装：TSOPI-48

AS6C6416 是一款 67,108,864 位的低功耗 CMOS 静态随机存取存储器，其组织形式为 4,194,304 字×16 位或 8,388,608 字×8 位。它采用高性能、高可靠性的 CMOS 技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定

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型号：IS62WV25616BLL-55TLI-TR 编号：C76487

封装：TSOPII-44-10.2mm

4-Mbit(256K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.5V to 3.6V

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型号：IS61WV102416BLL-10MLI 编号：C1348798

封装：TFBGA-48

高速16M位静态随机存取存储器，组织为1024K字x16位。采用高性能CMOS技术制造，此高可靠性工艺结合创新电路设计技术，可实现高性能和低功耗。当CE为高电平时（未选中），设备进入待机模式，可通过CMOS输入电平降低功耗。通过使用片选和输出使能输入（CE和OE）可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能（WE）控制存储器的读写操作。数据字节支持高字节（UB）和低字节（LB）访问。器件封装采用JEDEC标准的48引脚TSOP I型和48引脚迷你BGA（9mm x 11mm）。

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型号：CY62256NLL-55ZXIT 编号：C2759940

封装：TSOPI-28

CY62256N是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织为32K字节 x 8-Bit。支持自动掉电功能，当未选中时可降低99.9%的功耗。工作电压范围为4.5V至5.5V，写入/读取操作由低电平有效的写使能信号(WE)控制。提供多种封装选项，包括28-pin PDIP、28-pin SOIC、28-pin TSOP I和28-pin reverse TSOP I。

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型号：47L16-I/SN 编号：C610325

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

47L04/47C04/47L16/47C16（47XXX）是一款带EEPROM备份的4/16 Kbit SRAM。该器件的存储器组织形式为512×8位或2048×8位，并采用I²C串行接口。47XXX的SRAM可进行无限次读写循环，而EEPROM单元则提供高耐用性的数据非易失性存储

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型号：CY62148ELL-45ZSXIT 编号：C2952831

封装：TSOP-32

CY62148E 是一款高性能 CMOS 静态 RAM，组织为 512K 字 × 8 -Bit。该设备具有超低待机电流，非常适合便携式应用。它还具有自动断电功能，当地址未切换时显著降低功耗。将设备置于待机模式（CE 高电平）可使功耗降低超过 99%。

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型号：47C04-I/SN 编号：C610310

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

具备EEPROM备份功能的4/16 Kbit SRAM采用512×8位或2,048×8位的存储器结构，并使用I²C串行接口。它能为SRAM提供无限次的读写循环，而EEPROM单元则能提供高耐久性的数据非易失性存储。搭配外部电容使用时，掉电时SRAM数据会自动传输至EEPROM

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型号：CY62126EV30LL-45ZSXI 编号：C2944843

封装：TSOPII-44

CY62126EV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为64K字×16位。该器件采用先进的电路设计，可实现超低工作电流。这非常适合为手机等便携式应用提供更长的电池续航时间（MoBL）

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￥13.12
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型号：CY62137CV30LL-70BVXE 编号：C2950619

封装：VFBGA-48

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￥0.596
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型号：CY7C1010DV33-10ZSXIT 编号：C2953050

封装：TSOPII-44

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￥18.125
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￥17.4
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￥16.82
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￥16.53
500+
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型号：47C16-I/ST 编号：C1351112

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

47C16是一款16Kbit SRAM，带有EEPROM备份。该设备支持无限次读写操作，并且在掉电时会自动将SRAM数据存储到EEPROM中。支持3V供电，工业温度范围（-40°C至+85°C），采用8引脚TSSOP封装。

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型号：IS62C256AL-45ULI 编号：C1348805

封装：SOP-28-8.4mm

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型号：N25S830HAS22I 编号：C136398

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 256 Kb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 32 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N25S830HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。

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￥13.67
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￥9.99
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型号：IS61LPS12836EC-200TQLI 编号：C1351151

封装：LQFP-100(14x20)