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首页 > 热门关键词 > SRAM存储器芯片
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CY7C1009D 10VXIT
型号：CY7C1009D-10VXIT 编号：C1512158
封装：SOJ-32
品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
是一款高性能 CMOS 静态 RAM，其结构为 131,072 个字 x 8 位。低电平有效芯片使能 (CE1(上划线))、高电平有效芯片使能 (CE2)、低电平有效输出使能 (OE(上划线)) 和三态驱动器可轻松实现内存扩展。

  • 1+

    ￥66.05

  • 10+

    ￥56.82

  • 30+

    ￥51.2

  • 100+

    ￥46.48
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    M48Z12 150PC1
    型号：M48Z12-150PC1 编号：C1348747
    封装：DIP-24
    品牌：ST(意法半导体)
    M48Z12是一款2K x 8的非易失性静态RAM，具有电池备份功能，能够在断电情况下保持数据长达10年。它与DS1220兼容，支持无限次写入，读写周期时间相同，具有自动电源失效保护功能。
    数据手册

    • 1+

      ￥79.93

    • 10+

      ￥77.13
  • 订货
    • 我要订货
    47C16-I/SN
    型号：47C16-I/SN 编号：C95796
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 100+

      ￥7.2576

    • 200+

      ￥7.128

    • 500+

      ￥6.9984
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    47L04T-I/ST
    型号：47L04T-I/ST 编号：C610486
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 1+

      ￥4.03

    • 10+

      ￥3.26

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      ￥2.87

    • 100+

      ￥2.48

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      ￥2.25

    • 1000+

      ￥2.13
  • 订货
    • 我要订货
    23K640T-I/ST
    型号：23K640T-I/ST 编号：C2062019
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 100+

      ￥7.0672

    • 200+

      ￥6.941

    • 500+

      ￥6.8148
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    47C04T I/ST
    型号：47C04T-I/ST 编号：C2062888
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 1+

      ￥4.12

    • 10+

      ￥3.32

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      ￥2.3

    • 1000+

      ￥2.18
  • 订货
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    23A640T-I/ST
    型号：23A640T-I/ST 编号：C2064726
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 100+

      ￥7.0672

    • 200+

      ￥6.941

    • 500+

      ￥6.8148
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    47L04 E/ST
    型号：47L04-E/ST 编号：C1350805
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 100+

      ￥7.448

    • 200+

      ￥7.315

    • 500+

      ￥7.182
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    47C16T I/SN
    型号：47C16T-I/SN 编号：C2062759
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 1+

      ￥4.27

    • 10+

      ￥3.45

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      ￥2.26
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    47L04T E/ST
    型号：47L04T-E/ST 编号：C2062598
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 1+

      ￥4.43

    • 10+

      ￥3.57

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    • 100+

      ￥2.73

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      ￥2.47

    • 1000+

      ￥2.34
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    47C04T E/ST
    型号：47C04T-E/ST 编号：C2062708
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 1+

      ￥4.43

    • 10+

      ￥3.57

    • 30+

      ￥3.15

    • 100+

      ￥2.73

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      ￥2.47

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      ￥2.34
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    23K640-E/P
    型号：23K640-E/P 编号：C613589
    封装：PDIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    23K640是64-Kbit低功耗CMOS技术的SPI串行SRAM，支持最高20MHz时钟频率，具有32字节页模式和灵活的操作模式。支持工业温度范围（-40°C至+85°C）和扩展温度范围（-40°C至+125°C）。封装形式包括PDIP、SOIC和TSSOP。
    数据手册

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      ￥4.67

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      ￥3.79

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      ￥2.52
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    47L16T I/ST
    型号：47L16T-I/ST 编号：C2063746
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    47L16是一款16Kbit的SRAM，带有EEPROM备份。该设备支持I2C串行接口，提供无限次读写周期，并且EEPROM单元提供高耐久性的非易失性数据存储。当外部电容器存在时，SRAM数据会在断电时自动传输到EEPROM。上电时，EEPROM数据会自动恢复到SRAM。
    数据手册

    • 100+

      ￥7.9184

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      ￥7.777

    • 500+

      ￥7.6356
    我要订货
    47L16 E/ST
    型号：47L16-E/ST 编号：C1350262
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 1+

      ￥4.97

    • 10+

      ￥4.02

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    • 100+

      ￥3.06

    • 500+

      ￥2.78

    • 1000+

      ￥2.63
  • 订货
    • 我要订货
    47C16T-E/ST
    型号：47C16T-E/ST 编号：C610480
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 1+

      ￥5.02

    • 10+

      ￥4.05

    • 30+

      ￥3.57

    • 100+

      ￥3.09

    • 500+

      ￥2.8

    • 1000+

      ￥2.66
  • 订货
    • 我要订货
    47L16T-E/ST
    型号：47L16T-E/ST 编号：C610488
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 1+

      ￥5.02

    • 10+

      ￥4.05

    • 30+

      ￥3.57

    • 100+

      ￥3.09

    • 500+

      ￥2.8

    • 1000+

      ￥2.66
  • 订货
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    47L04 E/P
    型号：47L04-E/P 编号：C1351806
    封装：PDIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 100+

      ￥8.7808

    • 200+

      ￥8.624

    • 500+

      ￥8.4672
    我要订货
    32K x 8 低电压 CMOS 静态 RAM
    型号：IS62LV256AL-45ULI 编号：C18589
    封装：SOP-28
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256-Kbit(32K x 8bit)，并行接口，工作电压：3.3V 环保托盘
    数据手册

    • 20+

      ￥15.02536

    • 100+

      ￥12.963055

    • 1000+

      ￥11.931903
    我要订货
    N64S818HAS21I
    型号：N64S818HAS21I 编号：C897837
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 64 K 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N64S818HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。
    数据手册

    • 1+

      ￥5.58

    • 10+

      ￥4.5

    • 30+

      ￥3.97

    • 100+

      ￥3.43

    • 500+

      ￥3.11

    • 1000+

      ￥2.95
  • 订货
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    23K256-E/ST
    型号：23K256-E/ST 编号：C619577
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    23K256 是一款256-Kbit SPI Bus Low-Power Serial SRAM，支持32字节页模式和顺序模式读写操作，具有低功耗CMOS技术。
    数据手册

    • 100+

      ￥12.32

    • 200+

      ￥12.1

    • 500+

      ￥11.88
    我要订货
    23A256T-I/ST
    型号：23A256T-I/ST 编号：C619890
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    23A256 是一款256-Kbit SPI Bus Low-Power Serial SRAM，支持32字节页模式和顺序模式读写操作，具有低功耗CMOS技术。
    数据手册

    • 100+

      ￥11.8496

    • 200+

      ￥11.638

    • 500+

      ￥11.4264
    我要订货
    23A256-I/ST
    型号：23A256-I/ST 编号：C1350467
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    23A256是一款256Kbit的低功耗SPI串行SRAM，支持32字节页面模式，具有灵活的工作模式，包括字节读写、页面模式和顺序模式。工作电压范围为1.5V至1.95V，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。
    数据手册

    • 100+

      ￥11.8496

    • 200+

      ￥11.638

    • 500+

      ￥11.4264
    我要订货
    23K256T-E/ST
    型号：23K256T-E/ST 编号：C2064250
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    23K256T是一款256Kbit的低功耗SPI串行SRAM，支持32字节页面模式，具有灵活的工作模式，包括字节读写、页面模式和顺序模式。工作电压范围为2.7V至3.6V，适用于汽车温度范围（-40°C至+125°C）。
    数据手册

    • 1+

      ￥7.36

    • 10+

      ￥6.1

    • 30+

      ￥5.41

    • 100+

      ￥4.63

    • 500+

      ￥4.28

    • 1000+

      ￥4.13
  • 订货
    • 我要订货
    1-Mbit (64 K x 16) 静态随机存取存储器
    型号：CY7C1021DV33-10ZSXI 编号：C26782
    封装：TSOPII-44-10.2mm
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY7C1021DV33 是一款高性能 CMOS 静态随机存取存储器 (SRAM)，组织为 65,536 字节 x 16 -Bit。该设备具有自动掉电功能，可在未选中时显著降低功耗。适用于工业和汽车级温度范围。
    数据手册

    • 单价：

      ￥14.84 / 个
    我要订货
    CY7C1041GN-10ZSXI
    型号：CY7C1041GN-10ZSXI 编号：C2953851
    封装：TSOPII-44
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY7C1041GN 是高性能CMOS快速静态RAM，组织为256K字×16-Bit。支持高写入速度，低功耗，宽工作电压范围。

    • 1+

      ￥11.52

    • 10+

      ￥11.26

    • 56+

      ￥11.09

    • 112+

      ￥10.92
  • 订货
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    IS62WVS2568FBLL 20NLI
    型号：IS62WVS2568FBLL-20NLI 编号：C1353427
    封装：SOIC-8
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS62/65WVS2568FALLFBLL是2M位的串行静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为256K字节×8位。它采用高性能CMOS技术制造。该器件通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线进行访问
    数据手册

    • 1+

      ￥16.04

    • 10+

      ￥15.7

    • 30+

      ￥15.47

    • 100+

      ￥14.17
  • 订货
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    128K x 8 低功耗 CMOS 静态 RAM
    型号：IS62C1024AL-35QLI 编号：C397875
    封装：SOP-32-11.3mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS62C1024AL/IS65C1024AL是一款低功耗、131,072字×8位的CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件
    数据手册

    • 1+

      ￥17.49

    • 10+

      ￥17.06

    • 30+

      ￥16.77

    • 100+

      ￥16.48
  • 订货
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    R1LV0108ESA 5SI#B1
    型号：R1LV0108ESA-5SI#B1 编号：C1349308
    封装：STSOP-32-11.8mm
    品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT
    R1LV0108E 系列是一组低压 1 Mbit 静态随机存取存储器（SRAM），采用高性能 0.15um CMOS 和 TFT 技术制造，组织形式为 131,072 字×8 位。R1LV0108E 系列实现了更高的密度、更高的性能和低功耗。
    数据手册

    • 1+

      ￥19.02

    • 10+

      ￥18.57

    • 30+

      ￥18.27

    • 100+

      ￥17.98
  • 订货
    • 我要订货
    RMLV0408EGSP 4S2#CA1
    型号：RMLV0408EGSP-4S2#CA1 编号：C1136810
    封装：SOP-32-11.3mm
    品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT
    RMLV0408E系列是一组4 Mbit静态随机存取存储器（SRAM），采用高性能先进低功耗静态随机存取存储器（LPSRAM）技术制造，组织形式为524,288字×8位。RMLV0408E系列实现了更高的密度、更高的性能和更低的功耗。该系列具有低功耗待机功耗，因此适用于电池备份系统
    数据手册

    • 1+

      ￥31.54

    • 10+

      ￥30.83

    • 30+

      ￥30.36

    • 100+

      ￥29.88
  • 订货
    • 我要订货
    8-Mbit (512K x 16) 静态随机存取存储器
    型号：CY62157EV30LL-45BVXI 编号：C2944603
    封装：VFBGA-48
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY62157EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为512K字节x16-Bit或1M字节x8-Bit。该器件具有先进的电路设计，可提供超低功耗。适用于便携式设备，如手机。支持自动断电功能，可显著降低功耗。

    • 1+

      ￥46.74

    • 20+

      ￥44.84

    • 100+

      ￥43.7

    • 200+

      ￥42.56

    • 500+

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