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首页 > 热门关键词 > SRAM存储器芯片
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4-Mbit SPI/SDI/SQI 143Mhz 串行 RAM 带可选电池备份
型号：23AA04M-I/SN 编号：C27585175
封装：SOIC-8
品牌：MICROCHIP(美国微芯)
是一款4 Mbit串行SRAM设备，通过简单的SPI兼容串行总线访问内存。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及单独的数据输入（SI）和数据输出（SO）线。通过片选（CS）输入控制对设备的访问。此外，如果应用需要更高的数据速率，还支持SDI（串行双接口）和SQI（串行四接口）。该设备还支持对存储阵列进行无限次读写。

  • 1+

    ￥47.45

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    ￥46.39

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    ￥44.97
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    2M x 16高速异步CMOS静态RAM，3.3V/1.8V供电
    型号：IS61WV204816BLL-10BLI 编号：C1351316
    封装：BGA-48(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS61/64WV204816ALL/BLL是高速32M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为2048K字×16位。它采用高性能CMOS工艺制造。这一高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件
    数据手册

    • 1+

      ￥148.88

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      ￥132.23
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    M48Z35-70PC1
    型号：M48Z35-70PC1 编号：C2971548
    封装：DIP-28
    品牌：ST(意法半导体)
    M48Z35/Y 是一款32Kx8的非易失性静态RAM，集成了电源故障检测电路和电池控制逻辑，能够在断电后保持数据。它与JEDEC标准32Kx8 SRAM引脚和功能兼容，适用于需要高可靠性的应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥152.41

    • 10+

      ￥147.09
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    CY62137CV30LL-70BVXE
    型号：CY62137CV30LL-70BVXE 编号：C2950619
    封装：VFBGA-48
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥1.596

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      ￥0.6177

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      ￥0.5852
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    47C16 I/ST
    型号：47C16-I/ST 编号：C1351112
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    47C16是一款16Kbit SRAM，带有EEPROM备份。该设备支持无限次读写操作，并且在掉电时会自动将SRAM数据存储到EEPROM中。支持3V供电，工业温度范围（-40°C至+85°C），采用8引脚TSSOP封装。
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    • 单价：

      ￥7.8084 / 个
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    带EEPROM备份的4/16 Kbit静态随机存取存储器（SRAM）
    型号：47C04-I/SN 编号：C610310
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    具备EEPROM备份功能的4/16 Kbit SRAM采用512×8位或2,048×8位的存储器结构，并使用I²C串行接口。它能为SRAM提供无限次的读写循环，而EEPROM单元则能提供高耐久性的数据非易失性存储。搭配外部电容使用时，掉电时SRAM数据会自动传输至EEPROM
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    • 单价：

      ￥6.264 / 个
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    N25S830HAS22I
    型号：N25S830HAS22I 编号：C136398
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 256 Kb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 32 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N25S830HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。
    数据手册

    • 1+

      ￥16.03

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    IS61WV51232BLL 10BLI
    型号：IS61WV51232BLL-10BLI 编号：C1352600
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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      ￥38.75

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      ￥26.63
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    47C16-I/SN
    型号：47C16-I/SN 编号：C95796
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 单价：

      ￥7.3332 / 个
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    47L04T-I/ST
    型号：47L04T-I/ST 编号：C610486
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

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      ￥4.03

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    47C04T I/ST
    型号：47C04T-I/ST 编号：C2062888
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    • 1+

      ￥4.12

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      ￥2.18
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    23K640T-I/ST
    型号：23K640T-I/ST 编号：C2062019
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    23A640T-I/ST
    型号：23A640T-I/ST 编号：C2064726
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

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    47L04 E/ST
    型号：47L04-E/ST 编号：C1350805
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 单价：

      ￥7.5276 / 个
    我要订货
    47C16T I/SN
    型号：47C16T-I/SN 编号：C2062759
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 1+

      ￥4.27

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      ￥3.45

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      ￥2.26
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    47L04T E/ST
    型号：47L04T-E/ST 编号：C2062598
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 单价：

      ￥7.6248 / 个
    我要订货
    47C04T E/ST
    型号：47C04T-E/ST 编号：C2062708
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 1+

      ￥4.43

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      ￥3.57

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      ￥2.47

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      ￥2.34
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    23K640-E/P
    型号：23K640-E/P 编号：C613589
    封装：PDIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    23K640是64-Kbit低功耗CMOS技术的SPI串行SRAM，支持最高20MHz时钟频率，具有32字节页模式和灵活的操作模式。支持工业温度范围（-40°C至+85°C）和扩展温度范围（-40°C至+125°C）。封装形式包括PDIP、SOIC和TSSOP。
    数据手册

    • 1+

      ￥4.67

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      ￥2.52
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    47L16T I/ST
    型号：47L16T-I/ST 编号：C2063746
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    47L16是一款16Kbit的SRAM，带有EEPROM备份。该设备支持I2C串行接口，提供无限次读写周期，并且EEPROM单元提供高耐久性的非易失性数据存储。当外部电容器存在时，SRAM数据会在断电时自动传输到EEPROM。上电时，EEPROM数据会自动恢复到SRAM。
    数据手册

    • 1+

      ￥4.74

    • 10+

      ￥3.83

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      ￥2.92

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      ￥2.65

    • 1000+

      ￥2.51
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    47L16 E/ST
    型号：47L16-E/ST 编号：C1350262
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 1+

      ￥4.97

    • 10+

      ￥4.02

    • 30+

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      ￥3.06

    • 500+

      ￥2.78

    • 1000+

      ￥2.63
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    • 我要订货
    47C16T-E/ST
    型号：47C16T-E/ST 编号：C610480
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 1+

      ￥5.02

    • 10+

      ￥4.05

    • 30+

      ￥3.57

    • 100+

      ￥3.09

    • 500+

      ￥2.8

    • 1000+

      ￥2.66
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    • 我要订货
    47L16T-E/ST
    型号：47L16T-E/ST 编号：C610488
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 1+

      ￥5.02

    • 10+

      ￥4.05

    • 30+

      ￥3.57

    • 100+

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      ￥2.8

    • 1000+

      ￥2.66
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    47L04 E/P
    型号：47L04-E/P 编号：C1351806
    封装：PDIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    数据手册

    • 单价：

      ￥8.8776 / 个
    我要订货
    32K x 8 低压 CMOS 静态 RAM
    型号：IS62LV256AL-45ULI 编号：C18589
    封装：SOP-28
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256-Kbit(32K x 8bit)，并行接口，工作电压：3.3V 环保托盘
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    • 110+

      ￥16.655935

    • 200+

      ￥14.805276

    • 500+

      ￥12.295907

    • 1000+

      ￥10.351145
    我要订货
    N64S818HAS21I
    型号：N64S818HAS21I 编号：C897837
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 64 K 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N64S818HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。
    数据手册

    • 1+

      ￥5.58

    • 10+

      ￥4.5

    • 30+

      ￥3.97

    • 100+

      ￥3.43

    • 500+

      ￥3.11

    • 1000+

      ￥2.95
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    • 我要订货
    23K256-E/ST
    型号：23K256-E/ST 编号：C619577
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    23K256 是一款256-Kbit SPI Bus Low-Power Serial SRAM，支持32字节页模式和顺序模式读写操作，具有低功耗CMOS技术。
    数据手册

    • 单价：

      ￥12.4416 / 个
    我要订货
    23A256T-I/ST
    型号：23A256T-I/ST 编号：C619890
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    23A256 是一款256-Kbit SPI Bus Low-Power Serial SRAM，支持32字节页模式和顺序模式读写操作，具有低功耗CMOS技术。
    数据手册

    • 单价：

      ￥11.9772 / 个
    我要订货
    23A256-I/ST
    型号：23A256-I/ST 编号：C1350467
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    23A256是一款256Kbit的低功耗SPI串行SRAM，支持32字节页面模式，具有灵活的工作模式，包括字节读写、页面模式和顺序模式。工作电压范围为1.5V至1.95V，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。
    数据手册

    • 单价：

      ￥11.9772 / 个
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    23K256T-E/ST
    型号：23K256T-E/ST 编号：C2064250
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    23K256T是一款256Kbit的低功耗SPI串行SRAM，支持32字节页面模式，具有灵活的工作模式，包括字节读写、页面模式和顺序模式。工作电压范围为2.7V至3.6V，适用于汽车温度范围（-40°C至+125°C）。
    数据手册

    • 1+

      ￥7.36

    • 10+

      ￥6.1

    • 30+

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    • 100+

      ￥4.63

    • 500+

      ￥4.28

    • 1000+

      ￥4.13
  • 订货
    • 我要订货
    1-Mbit (64 K x 16) 静态随机存取存储器
    型号：CY7C1021DV33-10ZSXI 编号：C26782
    封装：TSOPII-44-10.2mm
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY7C1021DV33 是一款高性能 CMOS 静态随机存取存储器 (SRAM)，组织为 65,536 字节 x 16 -Bit。该设备具有自动掉电功能，可在未选中时显著降低功耗。适用于工业和汽车级温度范围。
    数据手册

    • 70+

      ￥25.88076

    • 100+

      ￥23.923391

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      ￥22.020394
    我要订货
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