SRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

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型号：RMLV1616AGBG-5S2#AC0 编号：C1349215

封装：TFBGA-48(7.5x8.5)

RMLV1616A系列是16Mbit静态RAM，组织为1,048,576字×16-Bit，采用Renesas高性能Advanced LPSRAM技术。该系列实现了更高的密度、更高的性能和更低的功耗。RMLV1616A系列具有低功耗待机功耗，适用于电池备份系统。提供48引脚TSOP (I)、52引脚μTSOP (II)或48球细间距球栅阵列封装。

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型号：CY14B256PA-SFXIT 编号：C2953401

封装：SOIC-16

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型号：M48Z58Y-70PC1 编号：C2971683

封装：PDIP-28

品牌：ST(意法半导体)

5V、64Kbit (8Kb x 8) 零功耗 SRAM

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型号：71321SA55JG 编号：C1348851

封装：PLCC-52(19.1x19.1)

是高速2K x 8双端口静态随机存取存储器，带有用于处理器间通信的内部中断逻辑。可作为独立的8位双端口静态随机存取存储器使用，或与“SLAVE”双端口一起用于16位或更多字宽系统中作为“MASTER”双端口静态随机存取存储器。在16位或更多位的内存系统应用中使用主/从双端口静态随机存取存储器方法，可实现全速、无错误操作，无需额外的分立逻辑。两个设备都提供两个独立的端口，具有独立的控制、地址和I/O引脚，允许对存储器中的任何位置进行独立、异步的读写访问

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型号：IS61WV102416EDBLL-10T2LI 编号：C6577483

封装：TSOPI-48

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型号：M48T18-100PC1 编号：C2961930

封装：PCDIP-28

品牌：ST(意法半导体)

5 V、64 Kbit (8 Kb x 8) 计时员静态随机存储器

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型号：CY7C1381KVE33-133AXI 编号：C2944532

封装：LQFP-100(14x20)

CY7C1381KVE33-133AXI 是一款支持133 MHz总线操作的3.3V 512K x 36 和 1M x 18 流通SRAM，具有ECC功能，用于减少软错误率。

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型号：71V321L25TFGI 编号：C5343030

封装：TQFP-64(10x10)

IDT71V321是一款高速2K x 8双端口静态随机存取存储器（SRAM），具备用于处理器间通信的内部中断逻辑。IDT71V321设计用作独立的8位双端口RAM。该器件提供两个独立端口，具有独立的控制、地址和输入/输出引脚，允许对存储器中的任何位置进行独立、异步的读或写操作

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型号：CY7C1061GE30-10BVXI 编号：C2950191

封装：VFBGA-48

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型号：71V30L25TFG 编号：C1353583

封装：TQFP-64(10x10)

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型号：CY7C1460KV25-250AXC 编号：C2949622

封装：LQFP-100(14x20)

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型号：IS61WV204816ALL-12BLI 编号：C5741494

封装：TFBGA-48(6x8)

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型号：CY7C1643KV18-450BZI 编号：C2944762

封装：LBGA-165

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型号：IS63WV1288DBLL-10HLI 编号：C1350843

封装：TSOPI-32-8.0mm

是高速、低功耗的131,072字x8位CMOS静态随机存取存储器。采用高性能CMOS技术制造，这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现更高的性能和低功耗。当CE为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，在CMOS输入电平下，功耗可降至25μW（典型值）。有32引脚TSOP（II型）、32引脚sTSOP（I型）、48球miniBGA（6mm x 8mm）、32引脚SOJ（400密耳）和32引脚SOJ（300密耳）等封装形式。

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型号：R1LP5256ESP-5SI#B1 编号：C1136813

封装：SOP-28-8.4mm

R1LP5256E系列是一系列低压256 Kbit静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为32,768字×8位，采用高性能0.15um CMOS和TFT技术制造。R1LP5256E系列实现了更高的密度、更高的性能和低功耗。

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型号：IS63WV1288DBLL-10TLI 编号：C1350838

封装：TSOPII-32-10.2mm

是高速、低功耗的131,072字x8位CMOS静态随机存取存储器。采用高性能CMOS技术制造，这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现更高的性能和低功耗。当CE为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，在CMOS输入电平下，功耗可降至25μW（典型值）。有32引脚TSOP（II型）、32引脚sTSOP（I型）、48球miniBGA（6mm x 8mm）、32引脚SOJ（400密耳）和32引脚SOJ（300密耳）等封装形式。

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型号：IS61WV1288EEBLL-10TLI 编号：C443418

封装：SOP-32-11.3mm

IS61/64WV1288EEBLL是高速1,048,576位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为131,072字×8位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：IS62WV1288FBLL-45TLI 编号：C1351370

封装：TSOPI-32-8.0mm

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型号：R1LV0208BSA-5SI#B1 编号：C1353806

封装：STSOP-32-11.8mm

R1LV0208BSA 是一系列低压 2 Mbit 静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为 262,144 字×8 位，采用高性能 0.15um CMOS 和 TFT 技术制造。R1LV0208BSA 实现了更高的密度、更高的性能和更低的功耗。

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型号：IS61WV5128FBLL-10TLI 编号：C5803539

封装：TSOP-44-10.2mm

IS61/64WV5128FALL/FBLL是高速、低功耗的4M位静态随机存取存储器（SRAM），其结构为512K字×8位。该产品采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺结合创新的电路设计技术，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：IS61WV6416EEBLL-10TLI 编号：C6644082

封装：TSOPII-44

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型号：R1LP0108ESN-5SI#B1 编号：C1136811

封装：SOP-32-11.3mm

R1LP0108E系列是一组低压1 Mbit静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为131,072字×8位，采用高性能0.15μm CMOS和TFT技术制造。R1LP0108E系列实现了更高的密度、更高的性能和低功耗。

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型号：R1LV5256ESA-5SI#S1 编号：C2061279

封装：TSOP-28-8.0mm

是低电压256Kbit静态RAM，组织形式为32,768字×8位，采用高性能0.15um CMOS和TFT技术制造。实现了更高的密度、更高的性能和低功耗。适用于简单接口、电池供电和电池备份为重要设计目标的内存应用。采用28引脚SOP和28引脚TSOP封装。

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型号：IS63WV1024BLL-12TLI 编号：C1350097

封装：TSOPII-32-10.2mm

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型号：IS61WV1288EEBLL-10HLI 编号：C1349956

封装：STSOP-32-11.8mm

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型号：IS61LV2568L-10TL 编号：C443412

封装：TSOPII-44-10.2mm

IS61LV2568L是一款高速、低功耗的262144字×8位CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。IS61LV2568L采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺结合创新的电路设计技术，使器件具备更高的性能和更低的功耗

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型号：IS62WV2568BLL-55TLI 编号：C5741532

封装：TSOPI-32

是高速的 2M 位静态随机存取存储器，组织形式为 256K 字 x 8 位。采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，产生了高性能、低功耗的器件。当 CS1 为高电平（未选中）或 CS2 为低电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时使用 CMOS 输入电平可降低功耗。通过使用芯片使能和输出使能输入，可以轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写。采用 JEDEC 标准 32 引脚 TSOP（I 型）、sTSOP（I 型）和 36 引脚迷你 BGA 封装。

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型号：71016S15PHGI 编号：C1349177

封装：TSOPII-44-10.2mm

IDT71016是一款1,048,576位的高速静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为64K x 16。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。这种先进的技术与创新的电路设计技术相结合，为高速内存需求提供了经济高效的解决方案

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型号：CY62126EV30LL-55ZSXE 编号：C2956766

封装：TSOPII-44