SRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

IS61/64WV25616EFALL/EFBLL是高速、低功耗的4M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为256K字×16位。它采用高性能CMOS工艺制造，并集成了ECC功能以提高可靠性。这种高可靠性工艺结合创新的电路设计技术，包括ECC（SEC - DED：单错误纠正 - 双错误检测），造就了高性能、高可靠性的器件

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型号：AS6C4008-55TIN 编号：C5569980

封装：TSOPI-32

AS6C4008是一款4,194,304位的低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织形式为524,288字×8位。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定

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型号：R1LP0108ESN-5SI#S1 编号：C1849455

封装：SOP-32-11.3mm

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

R1LP0108E系列是一组低压1 Mbit静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为131,072字×8位，采用高性能0.15μm CMOS和TFT技术制造。R1LP0108E系列实现了更高的密度、更高的性能和低功耗。

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型号：CY62147EV18LL-55BVXI 编号：C2948522

封装：VFBGA-48

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型号：CY7C199D-10VXI 编号：C1350318

封装：SOJ-28

CY7C199D是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织为32,768字节 x 8-Bit。具有自动掉电功能，减少未选中时的功耗。输入和输出引脚在未选中时处于高阻抗状态。

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型号：23LCV1024T-I/ST 编号：C619902

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LCV1024是一款1 Mbit的串行静态随机存取存储器（SRAM）器件。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：CY62147EV30LL-45ZSXIT 编号：C2951976

封装：TSOPII-44

CY62147EV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为256K字×16位。该器件采用先进的电路设计，可实现超低工作电流。它非常适合用于手机等便携式应用，以延长电池续航时间（More Battery Life™，即MoBL®）

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型号：CY62148EV30LL-55SXI 编号：C2954023

封装：SOIC-32

是高性能CMOS静态RAM，组织为512K字×8位。该设备采用先进的电路设计，可提供超低工作电流，非常适合在便携式应用（如手机）中提供更长的电池续航时间。该设备还具有自动掉电功能，可显著降低功耗。当设备被取消选择（CE为高电平）时，将其置于待机模式可使功耗降低99%以上

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型号：CY7C1041G-10ZSXI 编号：C2947427

封装：TSOPII-44

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型号：AS7C34096A-12JCN 编号：C1350516

封装：SOJ-36

AS7C34096A是一款高性能CMOS 4,194,304位静态随机存取存储器（SRAM）器件，组织形式为524,288字×8位。它专为需要快速数据访问、低功耗和简单接口的内存应用而设计。10/12/15/20 ns的等地址访问时间和周期时间（tAA、tRC、tWC），以及4/5/6/7 ns的输出使能访问时间（tOE），非常适合高性能应用

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型号：IS61WV12816BLL-12TLI 编号：C1351680

封装：TSOPII-44-10.2mm

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型号：IS62WV25616BLL-55BLI 编号：C1351412

封装：TFBGA-48(6x8)

高速、低功耗的4M位SRAM，由256K字x16位组成。采用高性能CMOS技术制造，这种高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，使器件具有高性能和低功耗的特点。当CS1为高电平（未选中）或CS1为低电平且LB(overline)和UB(overline)均为高电平时，器件进入待机模式，此时采用CMOS输入电平可降低功耗。通过芯片使能和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写操作。数据字节允许访问上字节 (UB) 和下字节 (LB)。采用JEDEC标准44引脚TSOP（II型）和48引脚微型BGA（6mmx8mm）封装。

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型号：AS6C62256-55PCN 编号：C5569983

封装：PDIP-28

AS6C62256是一款262,144位的低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织形式为32,768字×8位。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定

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型号：CY7C1019D-10VXI 编号：C2955078

封装：SOJ-32

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型号：CY62157ELL-45ZSXI 编号：C2944723

封装：TSOPII-44

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型号：IS61WV10248EEBLL-10TLI 编号：C6644072

封装：TSOPII-44

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型号：AS6C1616-55TIN 编号：C1348781

封装：TSOPI-48

AS6C1616是一款16,777,216位的低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织形式为1,048,576字×16位。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定

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型号：CY62167DV30LL-55BVXI 编号：C2953578

封装：VFBGA-48

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型号：IS64WV25616BLL-10CTLA3-TR 编号：C2064489

封装：TSOPII-44-10.2mm

高速、4,194,304位静态RAM，组织为262,144字×16位。采用高性能CMOS技术制造，该高可靠性工艺与创新电路设计技术相结合，产生高性能、低功耗的器件。当CE为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时功耗可通过CMOS输入电平降低。通过片选使能和输出使能输入CE和OE，可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能（WE）控制存储器的读写。数据字节允许上字节（UB）和下字节（LB）访问。采用JEDEC标准44引脚TSOP II型和48引脚Mini BGA（6mm x 8mm）封装。

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型号：71321SA55JG 编号：C1348851

封装：PLCC-52(19.1x19.1)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是高速2K x 8双端口静态随机存取存储器，带有用于处理器间通信的内部中断逻辑。可作为独立的8位双端口静态随机存取存储器使用，或与“SLAVE”双端口一起用于16位或更多字宽系统中作为“MASTER”双端口静态随机存取存储器。在16位或更多位的内存系统应用中使用主/从双端口静态随机存取存储器方法，可实现全速、无错误操作，无需额外的分立逻辑。两个设备都提供两个独立的端口，具有独立的控制、地址和I/O引脚，允许对存储器中的任何位置进行独立、异步的读写访问

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型号：CY7C10612G30-10ZSXI 编号：C2949442

封装：TSOPII-54