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首页 > 热门关键词 > 赛普拉斯存储器
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FM24CL16B是一款16-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),采用2Kx8组织结构。它具有高耐久性(100万亿次读写)、151年的数据保留时间和低功耗。支持最高1MHz的I2C接口,适用于频繁写入的应用场景。
数据手册
  • 1+

    ¥7.33
  • 10+

    ¥6.4
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    ¥5.52
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    ¥4.86
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    ¥4.46
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  • FM25CL64B 是一个 64-Kbit 非易失性存储器,采用先进的铁电工艺。它提供可靠的 151 年数据保留时间,支持高达 100 万亿次读写操作,无需延迟写入。支持 SPI 接口,最高时钟频率为 20 MHz。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.57
    • 10+

      ¥6.66
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  • 64-Kbit(8K × 8bit),I2C接口,工作电压:2.7V to 3.65V FM24CL64B是一款采用先进铁电工艺的64-Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,其读写操作与RAM类似。它可提供151年可靠的数据保留,同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。
    数据手册
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      ¥4.3
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  • FM24W256是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),采用先进的铁电工艺制造。它具有高耐久性(100万亿次读写)、151年的数据保留时间、快速2线串行接口(I2C),支持高达1 MHz的频率,低功耗,宽电压范围(2.7V至5.5V),工业温度范围(-40°C至+85°C)。该设备适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用,如数据记录和工业控制。
    数据手册
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      ¥19.88
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      ¥15
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  • FM25L16B是一款16Kbit非易失性存储器,采用先进的铁电工艺制造。它支持高速SPI接口,最高时钟频率为20MHz,具有高耐久性和低功耗。适用于需要频繁写入的应用场景。
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      ¥8.41
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      ¥4.93
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      ¥4.75
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  • FM25V02A是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),采用先进的铁电工艺,支持高速SPI接口,具有高耐久性和低功耗特性。
    数据手册
    • 1+

      ¥19.88
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      ¥17.35
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      ¥15.77
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      ¥11.9
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  • FM25V10是一款1-Mbit非易失性存储器,采用先进的铁电工艺,具有高耐久性和低功耗。它支持SPI接口,最高时钟频率为40MHz,适用于需要频繁写入的应用。
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      ¥36.92
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      ¥31.62
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      ¥26.33
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    • 500+

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    • 1000+

      ¥21
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  • FM25W256是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),采用32K x 8的逻辑组织结构。它具有高耐久性(100万亿次读写),151年的数据保持能力,无延迟写入,非常快的SPI接口(最高20 MHz),低功耗,宽电压范围(2.7V至5.5V),以及工业温度范围(-40°C至+85°C)。
    数据手册
    • 1+

      ¥56.04
    • 10+

      ¥49.18
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    • 100+

      ¥37.12
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  • FM25V20A是一款2-Mbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),采用先进的铁电工艺,具有高耐久性和低功耗。支持高速SPI接口,最高频率可达40 MHz。适用于需要频繁写入的应用场景,如数据采集和工业控制。
    数据手册
    • 1+

      ¥53.69
    • 10+

      ¥45.91
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      ¥41.18
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      ¥37.2
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  • FM25V05是一款512-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),具有高耐久性(100万亿次读写)、151年的数据保留时间、高速SPI接口(最高40MHz),低功耗特性(300μA@1MHz,90μA待机电流,5μA睡眠模式电流)。支持SPI模式0和3,工作电压2.0V至3.6V,工作温度范围-40℃至+85℃,8引脚SOIC封装。
    数据手册
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      ¥31.14
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      ¥26.79
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      ¥18.71
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  • FM24V10是一种1-Mbit非易失性存储器,采用先进的铁电工艺,组织为128K×8。它提供高耐久性的读写操作,支持高达3.4 MHz的快速两线串行接口(I2C)。该存储器具有低功耗、高速写入和长达151年的数据保留时间,适用于频繁写入的应用场景。
    数据手册
    • 1+

      ¥39.79
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      ¥22.93
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  • 4-Kbit非易失性存储器采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,其读写操作类似于RAM。它可提供151年的可靠数据保留,同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与EEPROM不同,FM24CL04B以总线速度执行写操作,不会产生写延迟。每个字节成功传输到设备后,数据会立即写入存储阵列,下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外,与其他非易失性存储器相比,该产品具有更高的写入耐久性
    数据手册
    • 1+

      ¥8.52
    • 10+

      ¥7.12
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    • 1000+

      ¥4.7
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  • CY7C1051DV33是一款高性能CMOS静态随机存取存储器(SRAM),具有8-Mbit (512 K x 16)的存储容量。支持高速读写操作,工作电压为3.3V ± 0.3V,工作温度范围为-40℃至85℃。该器件支持低功耗模式,具有自动断电功能。
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    • 1+

      ¥51.95
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  • FM31256-GTR 是一款集成处理器伴生器件,集成了非易失性存储器、实时时钟、低电压复位、看门狗定时器、非易失事件计数器、锁定的64位序列号区域和通用比较器。该器件支持多种功能,包括早期电源失效警告、系统入侵检测等。存储器容量为256Kb,支持I2C接口,最大总线频率为1 MHz。
    数据手册
    • 1+

      ¥58.87
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      ¥50.37
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    • 100+

      ¥33
  • 有货
  • CY14B101NA 是一款快速静态RAM (SRAM),每个存储单元都包含一个非易失性元素。该存储器组织为128K字节的8-Bit或64K字的16-Bit。非易失性元素采用QuantumTrap技术,提供20年的数据保留时间。支持无限次读写和RECALL操作,最多支持1百万次STORE操作。
    数据手册
    • 1+

      ¥129.8
    • 5+

      ¥123.2
    • 30+

      ¥118.8
  • 有货
  • FM24V05是一款512-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),采用先进的铁电工艺制造,提供高耐久性和低功耗。支持I2C接口,最高时钟频率为3.4 MHz,适用于需要频繁写入的应用场景。
    数据手册
    • 1+

      ¥55.57
    • 10+

      ¥47.75
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      ¥42.98
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      ¥38.99
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  • CY62167DV30是一款高性能CMOS静态RAM,组织为1M字×16-Bit。该设备具有超低功耗特性,适用于便携式设备,如手机。它支持自动断电功能,当未选中时可显著降低功耗。
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    • 10+

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      ¥48.97
  • 有货
  • FM25640B是一款64-Kbit非易失性存储器,采用先进的铁电工艺,支持高速SPI接口,具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保留时间。该存储器适用于需要频繁快速写入的应用场景,如数据采集和工业控制。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.2
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      ¥4.6
    • 1000+

      ¥4.42
  • 有货
  • FM24V01A是一款128-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),采用先进的铁电工艺。它支持高达3.4 MHz的I2C接口,具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保留时间。F-RAM无需内部升压电压,写入速度更快,功耗更低。
    数据手册
    • 1+

      ¥16.03
    • 10+

      ¥13.54
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      ¥11.99
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      ¥10.39
    • 500+

      ¥9.67
    • 1000+

      ¥9.36
  • 有货
  • FM24V02A是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),采用先进的铁电工艺,具有高耐久性和低功耗。支持快速两线串行接口(I2C),最高频率可达3.4 MHz。适用于频繁写入的应用场景,如数据记录和工业控制。
    数据手册
    • 1+

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