美国芯成存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IS62WV51216BLL-55TLI 编号：C11315

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

8-Mbit(512K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.5V to 3.6V

数据手册

1+
￥34.33
10+
￥30.45
30+
￥26.15
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￥23.03 ￥23.5
500+
￥22.0892 ￥22.54
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￥21.6972 ￥22.14

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型号：IS61WV25616BLL-10TLI 编号：C53825

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

4-Mbit(256K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.4V to 3.6V

数据手册

1+
￥25.15
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￥21.53
30+
￥19.38
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￥16.31
500+
￥15.3
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￥14.85

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型号：IS42S16400J-6TLI 编号：C2897490

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16400J是一款64Mb同步动态随机存取内存(SDRAM)，具有1兆位x16位x4个bank的组织结构，支持全同步操作，所有信号都参考正时钟边缘。工作频率为166MHz，单3.3V电源供电，LVTTL接口。可编程突发长度，内部bank用于隐藏行访问/预充电时间，具备自动刷新模式和低功耗模式。

数据手册

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￥15.4
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￥12.99
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￥11.49
100+
￥9.47
500+
￥8.77
1000+
￥8.47

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型号：IS62WV51216EBLL-45TLI 编号：C1348903

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV51216EALL/IS62WV51216EBLL 是高速 8M 位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为 512K 字×16 位。它采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥34.29
10+
￥29.87
30+
￥26.12
135+
￥23.46
540+
￥22.23
945+
￥21.68

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型号：IS62WV51216BLL-55TLI-TR 编号：C2064581

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

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￥45.05
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￥38.78
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￥33.51
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￥29.74
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￥28
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￥27.22

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型号：IS25LP016D-JNLE-TR 编号：C2653501

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存存储器以精简引脚封装形式，提供了一种兼具高度灵活性与高性能的通用存储解决方案。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，这些引脚也可配置为多I/O模式

数据手册

1+
￥4.15
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￥3.34
30+
￥2.94
100+
￥2.54
500+
￥2.23
1000+
￥2.11

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型号：IS25LP064A-JBLE-TR 编号：C2841348

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP064A 串行闪存存储器在引脚数量精简的封装中，提供了一种具备高灵活性和高性能的多功能存储解决方案。闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 功能

1+
￥9.93
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￥8.13
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￥7.14
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￥6.02
500+
￥5.53
1000+
￥5.3

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型号：IS61WV25616EDBLL-10TLI 编号：C883296

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV25616EDBLL 是一款高速的 4,194,304 位静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为 262,144 字×16 位。它采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

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￥29.78
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￥25.08
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￥22.28
100+
￥19.45
500+
￥18.15
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￥17.56

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型号：IS25LP256D-JLLE-TR 编号：C2886434

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP256D 和 IS25WP256D 串行闪存为采用简化引脚封装的系统提供了灵活且高性能的存储解决方案。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 模式

数据手册

1+
￥31.25
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￥26.72
30+
￥24.03
100+
￥19.74
500+
￥18.49

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型号：IS61WV51216EDBLL-10TLI 编号：C57407

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

8-Mbit(512K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.4V to 3.6V

数据手册

1+
￥93.66
10+
￥81.69
30+
￥74.39

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型号：IS61WV51216BLL-10TLI 编号：C397874

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61WV51216ALL/BLL和IS64WV51216BLL是高速8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它们采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥95.17
10+
￥82.57
30+
￥72.47
100+
￥66.03

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型号：IS61WV204816BLL-10TLI 编号：C1349134

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV204816ALL/BLL是高速32M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为2048K字×16位。它采用高性能CMOS工艺制造。这一高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥177.88
10+
￥166.81
30+
￥152.76
100+
￥140.51

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型号：IS62C256AL-45ULI-TR 编号：C14323

封装：SOIC-28-8.4mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256-Kbit(32K x 8bit)，并行接口，工作电压：5V

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1+
￥12.51
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￥10.84
30+
￥9.92
100+
￥8.88
500+
￥7.92
1000+
￥7.71

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型号：IS61LV25616AL-10TLI 编号：C17354

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

4-Mbit(256K × 16bit)，并行接口，工作电压：3.3V

数据手册

1+
￥34.32
10+
￥29.5
30+
￥26.63
135+
￥22.09
540+
￥20.75

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型号：IS61WV102416DBLL-10BLI 编号：C1348743

封装：BGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV102416DALL/BLL是高速16M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为1024K字×16位。它采用高性能CMOS工艺制造。这一高可靠性工艺结合创新的电路设计技术，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥82.67
10+
￥68.27
30+
￥61.62
100+
￥56.03

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型号：IS25LP040E-JYLA3-TR 编号：C6062478

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP/WP040E/020E/010E/512E/025E系列串行闪存存储器在引脚数量简化的封装中提供了一种灵活且高性能的多功能存储解决方案。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式

1+
￥3.41
10+
￥2.68
30+
￥2.37
100+
￥1.98
500+
￥1.81
1000+
￥1.71

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型号：IS66WVE4M16EBLL-70BLI 编号：C1350157

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

PSRAM产品是为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。64Mb DRAM核心器件组织形式为4M×16位。这些器件具备行业标准的异步存储器接口，与其他低功耗SRAM或伪SRAM（PSRAM）产品相同

数据手册

1+
￥28.38
10+
￥24.48
30+
￥22.17
100+
￥18.42

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型号：IS25LP016D-JULA3-TR 编号：C43316710

封装：USON-8(2x3)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存提供了一种通用的存储解决方案，在引脚数量简化的封装中具备高度灵活性和高性能。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式

1+
￥4.77
10+
￥3.79
30+
￥3.31
100+
￥2.83
500+
￥2.54
1000+
￥2.39

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型号：IS25LP064D-JKLA3-TR 编号：C27531352

封装：WSON-8(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP064D 和 IS25WP064D 串行闪存为简化引脚封装提供了高灵活性和高性能的多功能存储解决方案。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 接口

1+
￥10.56
10+
￥8.86
30+
￥7.79
100+
￥6.7
500+
￥6.21
1000+
￥5.99

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型号：IS61WV6416BLL-12TLI 编号：C435811

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV6416BLL是一款高速1,048,576位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为65,536字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，在低功耗的情况下，存取时间最快可达12ns（3.3V±10%）和15ns（2.5V - 3.6V）

数据手册

1+
￥14.49
10+
￥12.22
30+
￥10.8
135+
￥9.35
540+
￥8.69
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