SRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：IS62WV51216BLL-55TLI 编号：C11315

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

8-Mbit(512K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.5V to 3.6V

数据手册

1+
￥70.39
10+
￥66.57
30+
￥61.4

有货

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型号：IS61WV51216EDBLL-10TLI 编号：C57407

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

8-Mbit(512K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.4V to 3.6V

数据手册

1+
￥108.74
10+
￥95.5
30+
￥87.43
135+
￥80.67

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型号：IS62C256AL-45ULI-TR 编号：C14323

封装：SOIC-28-8.4mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256-Kbit(32K x 8bit)，并行接口，工作电压：5V

数据手册

1+
￥15.71
10+
￥13.01
30+
￥11.52
100+
￥9.85
500+
￥8.29
1000+
￥7.95

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型号：23K256T-I/SN 编号：C136317

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23K256T-I/SN 是一款256Kb的低功耗串行SRAM，通过SPI总线进行访问。支持32字节的页模式操作，工作电压为2.7-3.6V，适用于工业级温度范围（-40℃至+85℃）。采用8引脚SOIC封装。

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1+
￥15.6
10+
￥13.23
30+
￥11.75
100+
￥9.23
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￥8.55
1000+
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型号：IS61WV51216BLL-10TLI 编号：C397874

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61WV51216ALL/BLL和IS64WV51216BLL是高速8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它们采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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1+
￥95.14
10+
￥82.54
30+
￥72.45

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型号：IS61WV25616BLL-10TLI 编号：C53825

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

4-Mbit(256K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.4V to 3.6V

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1+
￥28.72
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￥25.63
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￥23.8
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￥21.17
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￥20.32
1000+
￥19.93

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型号：IS61WV204816BLL-10TLI 编号：C1349134

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV204816ALL/BLL是高速32M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为2048K字×16位。它采用高性能CMOS工艺制造。这一高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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1+
￥148.7
10+
￥138.95
30+
￥126.57
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￥115.77

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型号：HT1307BRMZ 编号：C50338903

封装：MSOP-8

品牌：HTCSEMI(海天芯)

低功耗，512位静态CMOS RAM，按64字×8位组织。内置32,768 Hz振荡器（由外部晶体控制），RAM的前8字节用于时钟/日历功能，并以二进制编码十进制（BCD）格式配置。地址和数据通过两线双向总线串行传输。内置地址寄存器在每次写入或读取数据字节后自动递增。时钟具有内置电源检测电路，可检测电源故障，并在电源故障时自动切换到电池供电。维持RAM和时钟操作所需的能量可由小型锂硬币电池提供。使用50mAh、3V锂电池时，典型数据保留时间超过10年。

5+
￥1.5558
50+
￥1.2282
150+
￥1.0878
500+
￥0.9127

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型号：IS62WV12816BLL-55TLI 编号：C397872

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV12816ALL/IS62WV12816BLL是高速2M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为128K字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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1+
￥23.73
10+
￥20.9
30+
￥19.22
100+
￥17.52
500+
￥16.74

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型号：IS62WV5128BLL-55HLI-TR 编号：C2065138

封装：STSOP-32-11.8mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV5128ALL / IS62WV5128BLL是高速4M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×8位。它采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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1+
￥29.02
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￥25.02
30+
￥22.64
100+
￥20.24

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型号：23LC1024-I/ST 编号：C1523870

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LC1024是一款1 Mbit SPI兼容的串行SRAM，支持SDI（双线）和SQI（四线）接口。该设备通过简单的SPI兼容串行总线访问内存，支持无限次读写操作，零写入时间，以及字节、页和顺序模式的读写操作。

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1+
￥33.57
10+
￥28.51
30+
￥25.5
100+
￥22.46

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型号：IS62WV51216BLL-55TLI-TR 编号：C2064581

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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1+
￥51.32
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￥44.18
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￥38.18
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￥33.88

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型号：IS61WV6416BLL-12TLI 编号：C435811

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV6416BLL是一款高速1,048,576位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为65,536字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，在低功耗的情况下，存取时间最快可达12ns（3.3V±10%）和15ns（2.5V - 3.6V）

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