SRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

是一款262,144位高速静态随机存储器，组织形式为32K x 8。采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。这种先进的技术与创新的电路设计技术相结合，为高速内存需求提供了经济高效的解决方案。输出使能引脚最快可在6ns内工作，地址访问时间最快为12ns。所有双向输入和输出均与TTL兼容，并且通过单一5V电源供电。采用完全静态异步电路，无需时钟或刷新即可操作。封装形式为28引脚300密耳塑料DIP、28引脚300密耳塑料SOJ和TSOP。

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型号：23K256-I/P 编号：C613588

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23K256 是一款256-Kbit SPI Bus Low-Power Serial SRAM，支持32字节页模式和顺序模式读写操作，具有低功耗CMOS技术。

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型号：CY7C1021DV33-10VXIT 编号：C2953032

封装：BSOJ-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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型号：CY7C199D-10VXIT 编号：C2959512

封装：BSOJ-28

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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型号：CY62128ELL-45ZXI 编号：C2944637

封装：TSOP-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62128E是一款高性能CMOS静态RAM，组织为128K字节×8-Bit。该设备采用先进的电路设计，提供超低活动电流，适用于便携式应用。具有自动断电功能，可显著降低未切换地址时的功耗。

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型号：R1LP0108ESN-5SI#S1 编号：C1849455

封装：SOP-32-11.3mm

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

R1LP0108E系列是一组低压1 Mbit静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为131,072字×8位，采用高性能0.15μm CMOS和TFT技术制造。R1LP0108E系列实现了更高的密度、更高的性能和低功耗。

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型号：CY62147EV18LL-55BVXI 编号：C2948522

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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型号：AS6C6264-55SCN 编号：C1351073

封装：SOP-28-8.6mm

品牌：Alliance Memory

AS6C6264是一款65,536位的低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织形式为8,192字×8位。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定

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型号：CY7C199D-10VXI 编号：C1350318

封装：SOJ-28

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C199D是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织为32,768字节 x 8-Bit。具有自动掉电功能，减少未选中时的功耗。输入和输出引脚在未选中时处于高阻抗状态。

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￥32.32
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型号：23LCV1024T-I/ST 编号：C619902

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LCV1024是一款1 Mbit的串行静态随机存取存储器（SRAM）器件。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：AS6C62256-55SIN 编号：C1523867

封装：SOP-28-8.4mm

品牌：Alliance Memory

AS6C62256是一款262,144位的低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织形式为32,768字×8位。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定

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型号：CY62147EV30LL-45ZSXIT 编号：C2951976

封装：TSOPII-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62147EV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为256K字×16位。该器件采用先进的电路设计，可实现超低工作电流。它非常适合用于手机等便携式应用，以延长电池续航时间（More Battery Life™，即MoBL®）

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￥34.85
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型号：IS61C25616AL-10TLI 编号：C1353475

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61C25616AL/AS 和 IS64C25616AL/AS 是高速的 4,194,304 位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为 262,144 字×16 位。它们采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现低功耗下最快达 12 ns 的存取时间

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￥35.09
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￥34.3
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型号：CY62158EV30LL-45ZSXI 编号：C2953733

封装：TSOP-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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￥35.31
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型号：IS61WV12816BLL-12TLI 编号：C1351680

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：RMLV0416EGSB-4S2#AA1 编号：C1350720

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

RMLV0416E系列是4-Mbit静态RAM，组织为262,144字 × 16-Bit，采用Renesas的高性能Advanced LPSRAM技术制造。该系列实现了更高的密度、更高的性能和更低的功耗。RMLV0416E系列提供了低功耗待机功耗。

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型号：AS6C1008-55PCN 编号：C1523885

封装：PDIP-32

品牌：Alliance Memory

AS6C1008是一款1,048,576位的低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织形式为131,072字×8位。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定

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型号：IS62WV25616BLL-55BLI 编号：C1351412

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

高速、低功耗的4M位SRAM，由256K字x16位组成。采用高性能CMOS技术制造，这种高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，使器件具有高性能和低功耗的特点。当CS1为高电平（未选中）或CS1为低电平且LB(overline)和UB(overline)均为高电平时，器件进入待机模式，此时采用CMOS输入电平可降低功耗。通过芯片使能和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写操作。数据字节允许访问上字节 (UB) 和下字节 (LB)。采用JEDEC标准44引脚TSOP（II型）和48引脚微型BGA（6mmx8mm）封装。

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