SRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

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型号：AS7C34098A-12TIN 编号：C1351728

封装：TSOP-44-10.2mm

AS7C34098A是一款高性能CMOS 4,194,304位静态随机存取存储器（SRAM）器件，其结构为262,144字×16位。该器件专为需要快速数据访问、低功耗和简单接口的内存应用而设计。10/12/15/20 ns的等地址访问时间和周期时间（tAA、tRC、tWC），以及4/5/6/7 ns的输出使能访问时间（tOE），非常适合高性能应用

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型号：23LCV1024-I/P 编号：C613595

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LCV1024是一款1 Mbit的SPI兼容串行SRAM，支持外部电池备份和SDI接口。该器件支持无限次读写操作，具有低功耗CMOS技术，支持字节、页面和连续模式读写。

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型号：23LCV512-I/ST 编号：C220280

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LCV512是一款512Kbit的SPI兼容串行SRAM，支持外部电池备份和SDI接口。该设备支持无限次读写操作，工作电压范围为2.5V至5.5V，最高时钟频率为20MHz，支持工业温度范围（-40°C至+85°C）。

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型号：CY62148ELL-55SXI 编号：C2953576

封装：SOIC-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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型号：AS7C34098A-10TIN 编号：C5554782

封装：TSOP-442

AS7C34098A是一款高性能CMOS 4,194,304位静态随机存取存储器（SRAM）器件，其结构为262,144字×16位。该器件专为需要快速数据访问、低功耗和简单接口的内存应用而设计。10/12/15/20 ns的等地址访问时间和周期时间（tAA、tRC、tWC），以及4/5/6/7 ns的输出使能访问时间（tOE），非常适合高性能应用

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型号：RMLV0408EGSB-4S2#AA1 编号：C1350716

封装：TSOPII-32

是一款4Mbit静态随机存取存储器，组织为524,288字×8位，采用高性能先进LPSRAM技术制造。实现了更高的密度、更高的性能和低功耗。提供低功耗待机功耗，适用于电池备份系统。提供32引脚SOP、32引脚TSOP（II）或32引脚sTSOP封装。

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型号：IS61WV25616FBLL-10TLI 编号：C6644080

封装：TSOPII-44

是高速、低功耗的4M位静态随机存取存储器，组织为256K字×16位。采用高性能CMOS技术制造。当片选信号（CS#）为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时功耗可通过CMOS输入电平降低。通过片选使能和输出使能输入可轻松实现内存扩展。低电平有效的写使能（WE#）控制存储器的读写操作。数据字节允许对高字节（UB#）和低字节（LB#）进行访问。有JEDEC标准的48球迷你BGA（6mm x 8mm）、44引脚400mil SOJ和44引脚TSOP（II型）封装。

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型号：RMLV0414EGSB-4S2#HA1 编号：C2061929

封装：TSOPII-44-10.2mm

是一款4Mbit静态随机存取存储器，组织形式为262,144字×16位，采用高性能先进低功耗静态随机存取存储器（LPSRAM）技术制造。实现了更高的密度、更高的性能和低功耗。提供低功耗待机功耗，因此适用于电池备份系统。采用44引脚薄小外形封装（TSOP (II)）。

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型号：AS6C1008-55PCN 编号：C1523885

封装：PDIP-32

AS6C1008是一款1,048,576位的低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织形式为131,072字×8位。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定

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型号：AS7C34096A-10TIN 编号：C5554776

封装：TSOP-442

AS7C34096A是一款高性能CMOS 4,194,304位静态随机存取存储器（SRAM）器件，组织形式为524,288字×8位。它专为需要快速数据访问、低功耗和简单接口的内存应用而设计。10/12/15/20 ns的等地址访问时间和周期时间（tAA、tRC、tWC），以及4/5/6/7 ns的输出使能访问时间（tOE），非常适合高性能应用

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型号：IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR 编号：C2065273

封装：TSOP-44-10.2mm

IS61WV51216EDALL和IS61/64WV51216EDBLL是高速8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它们采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：CY62146ESL-45ZSXIT 编号：C2953196

封装：TSOPII-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

是高性能CMOS静态RAM，组织为256K字×16位。该器件采用先进的电路设计，可提供超低工作电流，非常适合在便携式应用（如手机）中提供更长的电池续航时间。该器件还具有自动掉电功能，当地址不切换时可降低功耗。当器件被禁用（CE为高电平）时，将其置于待机模式可使功耗降低99%以上。当器件被禁用（CE为高电平）、输出被禁用（OE为高电平）、字节高位使能和字节低位使能均被禁用（BHE、BLE为高电平）或在写入操作期间（CE为低电平且WE为低电平），输入和输出引脚（I/O₀至I/O₁₅）处于高阻抗状态。要写入器件，将片选（CE）和写使能（WE）输入置为低电平

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型号：M48Z12-150PC1 编号：C1348747

封装：DIP-24

M48Z12是一款2K x 8的非易失性静态RAM，具有电池备份功能，能够在断电情况下保持数据长达10年。它与DS1220兼容，支持无限次写入，读写周期时间相同，具有自动电源失效保护功能。

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型号：M48Z58Y-70MH1F 编号：C2062195

封装：SOP-28-8.9mm

M48Z58Y 是一款 8 Kbit x 8 非易失性静态 RAM，集成了电源故障选择电路和电池控制逻辑。它在单个芯片上提供了超低功耗的 SRAM 功能。

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型号：IS61WV204816BLL-10TLI-TR 编号：C2065018

封装：TSOPI-48

SRAM 是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址，可以随机访问。SRAM 支持三种不同的模式。每个功能在下面的真值表中描述。

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型号：IS61WV102416DBLL-10TLI 编号：C1348726

封装：TSOPI-48

IS61/64WV102416DALL/BLL是高速16M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为1024K字×16位。它采用高性能CMOS工艺制造。这一高可靠性工艺结合创新的电路设计技术，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：M48Z58Y-70PC1 编号：C2971683

封装：PDIP-28

5V、64Kbit (8Kb x 8) 零功耗 SRAM

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型号：CY14B101LA-SZ45XIT 编号：C2953457

封装：SOIC-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

单价：
￥134.49 / 个

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型号：M48Z58-70PC1 编号：C1348741

封装：DIP-28

M48Z58 是一款 8 Kbit x 8 非易失性静态 RAM，集成了电源故障选择电路和电池控制逻辑。它在单个芯片上提供了超低功耗的 SRAM 功能。

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型号：M48Z35Y-70MH1F 编号：C1852774

封装：SOP-28-8.9mm

M48Z35/Y 是一款32Kx8的非易失性静态RAM，集成了电源故障检测电路和电池控制逻辑，能够在断电后保持数据。它与JEDEC标准32Kx8 SRAM引脚和功能兼容，适用于需要高可靠性的应用。

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型号：7024L15PFG 编号：C1349865

封装：TQFP-100(14x14)

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型号：7025L20PFGI 编号：C5912462

封装：TQFP-100(14x14)