SRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：23LCV1024T-I/SN 编号：C2060967

封装：SOIC-8

是一款 1 Mbit 串行 SRAM 设备，通过简单的串行外设接口 (SPI) 兼容串行总线访问内存。所需的总线信号包括时钟输入 (SCK) 以及单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。通过片选 (CS) 输入控制对设备的访问。此外，如果应用需要更快的数据速率，还支持 SDI（串行双接口）。该设备还支持对内存阵列进行无限次读写，并支持通过连接到 VBAT（引脚 7）的外部电池/硬币电池进行数据备份。有标准封装，包括 8 引脚 SOIC、PDIP 和先进的 8 引脚 TSSOP。

数据手册

1+
￥24.59
10+
￥24.01
30+
￥23.63

有货

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型号：IS62WV12816BLL-55BLI 编号：C5741528

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

1+
￥25.77
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￥25.19
30+
￥24.81

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型号：23LCV512-I/ST 编号：C220280

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LCV512是一款512Kbit的SPI兼容串行SRAM，支持外部电池备份和SDI接口。该设备支持无限次读写操作，工作电压范围为2.5V至5.5V，最高时钟频率为20MHz，支持工业温度范围（-40°C至+85°C）。

数据手册

1+
￥34.58
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￥30.17
30+
￥27.55

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型号：CY62146ESL-45ZSXIT 编号：C2953196

封装：TSOPII-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

是高性能CMOS静态RAM，组织为256K字×16位。该器件采用先进的电路设计，可提供超低工作电流，非常适合在便携式应用（如手机）中提供更长的电池续航时间。该器件还具有自动掉电功能，当地址不切换时可降低功耗。当器件被禁用（CE为高电平）时，将其置于待机模式可使功耗降低99%以上。当器件被禁用（CE为高电平）、输出被禁用（OE为高电平）、字节高位使能和字节低位使能均被禁用（BHE、BLE为高电平）或在写入操作期间（CE为低电平且WE为低电平），输入和输出引脚（I/O₀至I/O₁₅）处于高阻抗状态。要写入器件，将片选（CE）和写使能（WE）输入置为低电平

1+
￥66.3
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￥57.04
30+
￥51.4

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型号：IS62WV51216EALL-55TLI 编号：C1352315

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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1+
￥81.03
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￥69.71
30+
￥62.81

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型号：CY62167DV30LL-55BVXI 编号：C2953578

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥112.39
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￥107.13
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￥98

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型号：IS61WV204816BLL-10TLI-TR 编号：C2065018

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

SRAM 是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址，可以随机访问。SRAM 支持三种不同的模式。每个功能在下面的真值表中描述。

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￥122.21
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￥116.15

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型号：CY14B101LA-SZ45XIT 编号：C2953457

封装：SOIC-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

单价：
￥134.49 / 个

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型号：CY7C10612G30-10ZSXI 编号：C2949442

封装：TSOPII-54

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

高性能CMOS快速静态RAM设备，带有嵌入式ECC。提供单芯片使能选项。CY7C10612GE设备包括一个错误指示引脚，在读取周期内发出错误检测和纠正事件信号。写入设备时，将芯片使能(CE(overline))和写使能(WE)输入置为低电平。如果字节低使能(BLE)为低电平，则来自I/O引脚(I/O₀至I/O₇)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₉)指定的位置。如果字节高使能(BHE)为低电平，则来自I/O引脚(I/O₈至I/O₁₅)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₉)指定的位置

1+
￥167.92
30+
￥159.68

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型号：CY7C1061G30-10ZSXI 编号：C2959389

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1061G和CY7C1061GE是高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式错误校正码(ECC)。这些设备提供单芯片使能和双芯片使能选项，支持多种封装。

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1+
￥174.94
10+
￥144.9

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型号：IS61WV102416FBLL-8BLI 编号：C7211320

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

是高速、16M 位静态随机存取存储器，组织为 1024K 字 x 16 位。采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能、低功耗的器件。当 CS# 为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时可通过 CMOS 输入电平降低功耗。通过使用片选和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE#) 控制存储器的读写。数据字节允许访问上字节 (UB#) 和下字节 (LB#)。器件采用 JEDEC 标准 48 引脚 TSOP（I 型）、48 引脚微型 BGA（6mm x 8mm）和 54 引脚 TSOP（II 型）封装。

1+
￥180.5
30+
￥172.06

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型号：71321LA55PPGI 编号：C5520723

封装：TQFP-52(10x10)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1+
￥197.17
30+
￥186.98

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型号：CY7C1071DV33-12BAXI 编号：C2944728

封装：TFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥289.98
30+
￥275.75

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型号：7025L20PFGI 编号：C5912462

封装：TQFP-100(14x14)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高速8K x 16双端口静态随机存取存储器，可作为独立的128K位双端口随机存取存储器，或作为组合主/从双端口随机存取存储器用于32位或更多字长的系统。该设备提供两个独立端口，具有独立的控制、地址和输入/输出引脚，允许对内存中的任何位置进行独立、异步的读写访问。芯片使能（CE）控制的自动掉电功能允许每个端口的片上电路进入非常低的待机功耗模式。采用CMOS高性能技术制造，这些设备通常仅消耗750mW的功率。低功耗（L）版本提供电池备份数据保留功能，2V电池的典型功耗为500μW。采用陶瓷84引脚PGA、84引脚扁平封装、PLCC和100引脚TQFP封装。