SRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

23X640 是 64 Kbit 的串行 SRAM 器件。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

数据手册

1+
￥6.66
10+
￥6.49
30+
￥6.38

有货

立即购买

型号：23K640T-I/SN 编号：C2061024

封装：SOIC-8

23X640 是 64 Kbit 的串行 SRAM 器件。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

数据手册

1+
￥7.99
10+
￥7.81
30+
￥7.68

有货

立即购买

型号：23A640-I/ST 编号：C1352408

封装：TSSOP-8

23X640 是 64 Kbit 的串行 SRAM 器件。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

数据手册

1+
￥8.66
10+
￥8.47
30+
￥8.35

有货

立即购买

型号：IS61WV3216BLL-12TLI 编号：C1351245

封装：TSOPII-44-10.2mm

IS61/64WV3216BLL是一款高速的524,288位静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为32,768字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，在低功耗的情况下，存取时间最快可达12ns（3.3V±10%）和15ns（2.5V - 3.6V）

数据手册

1+
￥11.5182 ￥14.22
10+
￥11.2833 ￥13.93
30+
￥11.1213 ￥13.73
100+
￥10.9593 ￥13.53

有货

立即购买

型号：IS63WV1288DBLL-10HLI 编号：C1350843

封装：TSOPI-32-8.0mm

是高速、低功耗的131,072字x8位CMOS静态随机存取存储器。采用高性能CMOS技术制造，这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现更高的性能和低功耗。当CE为高电平（未选中）时，器件进入待机模式，在CMOS输入电平下，功耗可降至25μW（典型值）。有32引脚TSOP（II型）、32引脚sTSOP（I型）、48球miniBGA（6mm x 8mm）、32引脚SOJ（400密耳）和32引脚SOJ（300密耳）等封装形式。

数据手册

1+
￥13.18
10+
￥12.87
30+
￥12.66

有货

立即购买

型号：23LCV1024-I/ST 编号：C1523877

封装：TSSOP-8

23LCV1024是一款1 Mbit的SPI串行SRAM，支持电池备份和SDI接口。该设备采用低功耗CMOS技术，支持无限次读写操作，具有外部电池备份支持，零写入时间，128K x 8-Bit组织结构，支持字节、页和顺序模式读写操作，具有高可靠性。工作温度范围为-40°C至+85°C。

数据手册

1+
￥15.48
10+
￥15.14
30+
￥14.19

有货

立即购买

型号：CY62128EV30LL-45SXI 编号：C2953883

封装：SOIC-32

CY62128EV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器（SRAM）模块，组织形式为128K字×8位。该器件采用先进的电路设计，可实现超低工作电流。这使其非常适合在诸如移动电话等便携式应用中延长电池续航时间（MoBL@）

1+
￥22.38
10+
￥19.15
25+
￥17.23

有货

立即购买

型号：IS61LV12816L-10TLI 编号：C3646906

封装：TSOPII-44-10.2mm

IS61LV12816L是一款高速2,097,152位静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为131,072字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现低功耗且最快达8 ns的存取时间

数据手册

1+
￥25.44
10+
￥24.93
30+
￥24.59

有货

立即购买

型号：R1LP0408DSP-5SI#B1 编号：C6749479

封装：SOP-32

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一系列4Mbit静态随机存取存储器，采用512k字×8位结构，由高性能CMOS和TFT技术制造。实现了更高的密度、性能和低功耗，提供低功耗待机功耗，适用于电池备份系统。提供32引脚SOP和32引脚TSOP封装。

1+
￥37.76
10+
￥33.13
25+
￥30.3

有货

立即购买

型号：IS64WV25616EDBLL-10CTLA3 编号：C1352580

封装：TSOPII-44-10.2mm

数据手册

1+
￥106.87
10+
￥101.86
30+
￥93.18

有货

立即购买

型号：IS61WV204816BLL-10TLI-TR 编号：C2065018

封装：TSOPI-48

SRAM 是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址，可以随机访问。SRAM 支持三种不同的模式。每个功能在下面的真值表中描述。

数据手册

1+
￥119.18
30+
￥113.12

有货

立即购买

型号：CY14B101LA-SZ25XI 编号：C5439679

封装：-

数据手册

单价：
￥121.16 / 个

有货

立即购买

型号：RMLV3216AGSD-5S2#AA0 编号：C5884703

封装：TSOPII-52

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

RMLV3216A系列是一组32 Mbit的静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为2,097,152字×16位，采用高性能的先进低功耗静态随机存取存储器（LPSRAM）技术制造。RMLV3216A系列实现了更高的密度、更高的性能和低功耗。该系列具有低功耗待机功耗，因此适用于电池备份系统

1+
￥121.9
10+
￥117.86

有货

立即购买

型号：IS64LF12836A-7.5B3LA3-TR 编号：C2064913

封装：TFBGA-165(13x15)

数据手册

1+
￥122.06
200+
￥47.24
500+
￥45.58
1000+
￥44.76

订货

我要订货

型号：IS61WV102416DBLL-10TLI 编号：C1348726

封装：TSOPI-48

IS61/64WV102416DALL/BLL是高速16M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为1024K字×16位。它采用高性能CMOS工艺制造。这一高可靠性工艺结合创新的电路设计技术，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥127.46
10+
￥114.15
30+
￥103.65

有货

立即购买

型号：M48Z08-100PC1 编号：C1348748

封装：DIP-28

品牌：ST(意法半导体)

M48Z08/18 是8Kx8非易失性静态RAM，具有电池备份功能，能够在系统断电时保持数据。该芯片与DS1225兼容，支持无限次写入。工作电压为4.75至5.5V，适用于工业温度范围。

数据手册

1+
￥174.48
24+
￥165.84

有货

立即购买

型号：M48Z12-70PC1 编号：C1348860

封装：PDIP-24

品牌：ST(意法半导体)

M48Z12是一款2K x 8的非易失性静态RAM，具有电池备份功能，能够在断电情况下保持数据长达10年。它与DS1220兼容，支持无限次写入，读写周期时间相同，具有自动电源失效保护功能。

数据手册

1+
￥203.71
10+
￥187.66

有货

立即购买

型号：CY14B104NA-BA45XIT 编号：C2953438

封装：TFBGA-48

1+
￥299.36
30+
￥284.67

有货

立即购买

型号：IS64WV102416BLL-10MLA3 编号：C1352718

封装：TFBGA-48(9x11)

数据手册

1+
￥346.86
30+
￥329.84

有货

立即购买

型号：7025L20PFGI 编号：C5912462

封装：TQFP-100(14x14)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高速8K x 16双端口静态随机存取存储器，可作为独立的128K位双端口随机存取存储器，或作为组合主/从双端口随机存取存储器用于32位或更多字长的系统。该设备提供两个独立端口，具有独立的控制、地址和输入/输出引脚，允许对内存中的任何位置进行独立、异步的读写访问。芯片使能（CE）控制的自动掉电功能允许每个端口的片上电路进入非常低的待机功耗模式。采用CMOS高性能技术制造，这些设备通常仅消耗750mW的功率。低功耗（L）版本提供电池备份数据保留功能，2V电池的典型功耗为500μW。采用陶瓷84引脚PGA、84引脚扁平封装、PLCC和100引脚TQFP封装。

1+
￥520.18
45+
￥495.85

有货

立即购买

型号：23LC512-I/SN 编号：C1348994

封装：SOIC-8

23LC512是一款512Kbit SPI Serial SRAM，支持SDI和SQI接口，具有低功耗CMOS技术，无限读写次数，零写入时间，64K x 8-Bit组织结构，支持字节、页和顺序模式读写。

数据手册

1+
￥7.17
10+
￥7.01
30+
￥6.91

有货

立即购买

型号：47L04T-I/SN 编号：C2062810

封装：SOIC-8

是 4/16 Kbit SRAM 并带有 EEPROM 备份。该设备组织为 512 × 8 位或 2,048 × 8 位的内存，并采用 I²C 串行接口。SRAM 可进行无限次读写循环，而 EEPROM 单元可提供高耐久性的数据非易失性存储。通过外部电容器，SRAM 数据在掉电时会自动传输到 EEPROM。也可以通过硬件存储引脚或软件控制手动传输数据。上电时，EEPROM 数据会自动恢复到 SRAM，也可以通过软件控制启动恢复操作。提供 8 引脚 PDIP、SOIC 和 TSSOP 封装。

数据手册

1+
￥7.93
10+
￥7.75
30+
￥7.62

有货

立即购买

型号：IS61LV256AL-10TLI-TR 编号：C2062662

封装：TSOPI-28

IS61LV256AL是一款超高速、低功耗的32,768字×8位静态随机存取存储器（SRAM）。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，使得最大访问时间最快可达8 ns

数据手册

1+
￥12.07
10+
￥10.14
30+
￥8.93
100+
￥7.69

有货

立即购买

型号：CY62126EV30LL-45ZSXI 编号：C2944843

封装：TSOPII-44

CY62126EV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为64K字×16位。该器件采用先进的电路设计，可实现超低工作电流。这非常适合为手机等便携式应用提供更长的电池续航时间（MoBL）

1+
￥13.61
10+
￥13.28
30+
￥13.06

有货

立即购买

型号：IS63WV1288DBLL-10TLI 编号：C1350838

封装：TSOPII-32-10.2mm